公开(公告)号：CN104891988A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510244660.9

申请日：2015-05-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  周星星 ,  刘笑 ,  冯琴 ,  周昌荣 ,  杨涛 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种Bi0.5Na0.4Li0.1MxTi1-xO3无铅反铁电高储能密度陶瓷及其制备方法，其中：0.03≤x≤0.3，M为(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的一种，(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的Me为？Mg、Zn、Ni中的一种，(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的Mb为Al、Co、Cr中的一种。方法采用高温高压烧结炉制备Bi0.5Na0.4Li0.1MxTi1-xO3无铅反铁电高储能密度陶瓷，基于电滞回线计算的储能密度可达0.8~1.6？J/cm3。

公开(公告)号：CN104876564A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201510244452.9

申请日：2015-05-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  王子兴 ,  杨涛 ,  冯琴 ,  周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  刘飞 ,  陈国华

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/50 ,  C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种(1-x)Li0.45Re0.45Ca0.1TiO3-xBi0.5Ae0.5MeO3高介电微波陶瓷及其制备方法，其中：Me为Zr、Ti、Sn、Mn中的一种，Ae为Na、Li、K中的一种，Re为Sm、Nd、Gd、Dy中的一种，0.05≤x≤0.5。先采用传统合成技术合成(1-x)Li0.45Re0.45Ca0.1TiO3-xBi0.5Ae0.5MeO3粉体，然后采用高温高压烧结技术制备(1-x)Li0.45Re0.45Ca0.1TiO3-xBi0.5Ae0.5MeO3高介电微波陶瓷。本发明制备的高介电微波陶瓷，其介电常数（εr）介于75~190，品质因子与谐振频率的乘积（Q.f）介于4000~12000GHz，谐振频率温度系数（Tcf）介于-150~250ppm/℃且可基于成分调节Tcf至近零。

公开(公告)号：CN103219466B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201310154664.9

申请日：2013-04-28

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  王华 ,  何玉汝 ,  戴培邦

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05

Abstract: 本发明提供了一种有机阻变存储器及其制备方法，包括由下至上叠接的衬底、下电极、阻变层、上电极，其特征是：存储结构为阵列式结构，阻变层的有机阻变转换材料为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和聚醚酰亚胺（PEI）的共混物。制备时，先在衬底上制备条状下电极，然后涂覆有机阻变层膜，低温固化后，在阻变层膜的表面制备交叉的条状电极，形成阵列存储结构。本发明的优点是，该有机阻变存储器具有高的开关比，稳定的存储性能，极小的关态电流，较低的制备温度。

公开(公告)号：CN104291792A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201410507261.2

申请日：2014-09-28

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  周贤界 ,  王华 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  张小文

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/10 ,  C04B35/04 ,  C04B35/48 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种氧化物陶瓷靶材及其制备方法，所述氧化物陶瓷靶材由30-70wt%的In2O3、5-40wt%的XO、10-50wt%的ZnO组成，上述三者比例之和为100%，其中XO是铝、镁、锡或铪的氧化物。所述制备方法包括如下步骤：（1）将30-70wt%的In2O3、5-40wt%的XO和10-50wt%的ZnO装入粉碎机中粉碎；（2）将球磨后得到的混合物粉体压制成型，获得平面或管状的素坯；（3）将平面或管状的素坯脱脂；（4）将脱脂后的素坯进行烧结，获得高密度的陶瓷靶材。本发明用于替代现有的含镓氧化物陶瓷靶材，在保持性能的同时，实现靶材及TFT器件成本的降低。

公开(公告)号：CN102244010B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201110150070.1

申请日：2011-06-03

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 王华 ,  刘思佳 ,  许积文 ,  周尚菊 ,  杨玲

IPC: H01L21/36 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种玻璃衬底p-CuAlO2/n-ZnO:Al透明薄膜异质结的制备方法，(1)采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺制备p-CAO透明导电薄膜后，再采用超声喷雾热解(USP)工艺制备n-AZO透明导电薄膜；(2)制备p-CAO薄膜时需多次匀胶、分层预热处理；(3)p-CAO薄膜需经退火处理，且退火在氩气气氛下进行；(4)采用USP工艺，在已覆盖CAO薄膜衬底上沉积n-AZO透明导电薄膜；(5)沉积n-AZO透明导电薄膜时衬底需加热，且衬底温度不超过320℃，样品自然冷却即得p-CuAlO2/n-ZnO:Al(p-CAO/n-AZO)透明薄膜异质结。该方法新颖、简单，且能满足大面积成膜工艺要求，其制备的p-CAO/n-AZO异质结为全透明结构并能实现p-n结功能，具有良好的光电性能。

公开(公告)号：CN102424577B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201110278893.2

申请日：2011-09-20

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 王华 ,  巨锦华 ,  许积文 ,  袁昌来 ,  张小文

IPC: H01C7/10 ,  C04B35/453 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低压压敏电阻陶瓷材料及其制备方法，它是在ZnO-Bi2O3基低压压敏陶瓷中同时添加V2O5和TiO2来实现，用料量V2O5︰TiO2︰ZnO-Bi2O3基的摩尔比为0.05-0.08︰0.80-1.30︰98.62-99.15，其中ZnO-Bi2O3基包括ZnO、Bi2O3、Co2O3、MnCO3组成成分，且ZnO︰Bi2O3︰Co2O3︰MnCO3的摩尔比为97.40-98.20︰0.60-0.80︰0.80-1.20︰0.40-0.60，用传统制陶工艺烧制而成。本发明的优点是：（1）Ti掺杂可提高压敏陶瓷材料的非线性系数，降低电位梯度；（2）V掺杂可降低陶瓷材料的烧结温度，并节约能耗，降低成本；（3）预烧能增强粉体活性；（4）分段升温、保温的工艺可以提高陶瓷的质量和性能，同时降低能耗，节约成本。

公开(公告)号：CN102585762A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210031373.6

申请日：2012-02-13

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  杨玲 ,  许积文 ,  杨涛 ,  朱保华

IPC: C09K3/00

Abstract: 本发明公开了一种电气石基空气负离子与电磁屏蔽功能基元材料及其制备方法，具体步骤是：1、将硝酸铁溶液与电气石超细粉混合、烘干、煅烧得电气石表面包覆纳米α-Fe2O3\TiO2核壳结构复合粉体；2、把α-Fe2O3\TiO2复合粉体与氧化钛溶胶混合、烘干、煅烧得到电气石表面包覆α-Fe2O3\TiO2双层核壳结构纳米复合粉体；3、进一步把步骤2的产品在氩气或氮气的气氛炉中煅烧，得到电气石表面包覆Fe3O4\TiO2核壳结构纳米复合粉体；4、将步骤3所得产品经球磨后即得到电气石基空气负离子与电磁屏蔽功能基元材料。本发明产品产生的负离子浓度高，电磁屏蔽能力强，且制备工艺简单，原材料成本低。

公开(公告)号：CN102180704A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110052767.5

申请日：2011-03-04

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 王华 ,  许积文 ,  周尚菊 ,  杨玲 ,  任明放

IPC: C04B41/50

Abstract: 本发明公开了一种Si衬底Bi3TiNbO9-Bi4Ti3O12自然超晶格铁电薄膜的制备方法，采用溶胶-凝胶工艺，直接形成自然超晶格结构；为弥补Bi2O3在高温下易于挥发，在Bi3TiNbO9-Bi4Ti3O12名义成分配料的基础上，采用Bi适度过量的成分配方；采用多次匀胶、分层退火；成膜退火在氧气气氛下进行。该方法简单且能满足硅平面工艺的要求，其制备的Bi3TiNbO9-Bi4Ti3O12铁电薄膜具有超晶格结构和突出的铁电性能、优异的抗疲劳特性及良好的综合性能。

公开(公告)号：CN119742170A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202510052762.4

申请日：2025-01-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  姜少璞 ,  赵景泰 ,  许积文 ,  马垒 ,  饶光辉

IPC: H01F41/02 ,  H01F1/34 ,  C04B35/26 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明属于软磁铁氧体材料技术领域，具体涉及一种镍锌铁氧体复合材料及其制备方法和应用。本发明通过添加易于软化的烧结助剂，在与镍锌铁氧体复合后，升温至烧结温度后，熔融态的烧结助剂填充镍锌铁氧体晶粒间形成复合软磁铁氧体，从而降低整个复合材料的烧结成型温度。同时本发明中镍锌铁氧体自身较脆，韧度低，烧结助剂韧度相对较高，加入烧结助剂，借助烧结助剂的高韧度，并保持镍锌铁氧体的高耐压强度，有利于陶瓷器件的加工。本发明通过加入烧结助剂可稳定提高饱和磁感应强度，从而提高镍锌铁氧体复合材料的能量储存和转换的效率。

公开(公告)号：CN119504257A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411637190.8

申请日：2024-11-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  黎淸宁 ,  袁昌来 ,  许积文 ,  饶光辉

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明涉及无铅铁电陶瓷材料技术领域，具体涉及一种具有高度非对称大形变的无铅铁电陶瓷材料及制备方法，具有高度非对称大形变的无铅铁电陶瓷材料制备方法包括：按照0.733(Bi1/2Na1/2)TiO3‑0.267(Ca1/3Bi2/9Sr1/3)Cu3(Ti1/2Zr1/2)4O12的化学计量分别称取分析纯原料，将所有原料混合球磨，球磨后对原料进行烘干，烘干后将原料保温合成，制得粉体；合成的粉体混合球磨后进行烘干，在80Mpa下冷等静压成型，然后保温后烧结成致密陶瓷，并冷却至室温；在烧结成的致密陶瓷一面丝网印刷银电极，另一面丝网印刷金电极，保温后成尺寸非对称电极；本发明能够制备具有高形变驱动性能的无铅铁电陶瓷材料，具有制备方法简单、成本低廉的优点。