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公开(公告)号：CN104335355A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201380029493.5
申请日：2013-06-06
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/786 , C23C14/34 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/78693 , C23C14/08 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/78606 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种具有迁移率良好、应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少依次有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极及保护膜，其中，前述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二氧化物半导体层(IZTO)的层叠体，前述第二氧化物半导体层形成于前述栅极绝缘膜之上，且前述第一氧化物半导体层形成于前述第二氧化物半导体层与前述保护膜之间，并且在前述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量为:Ga:5％以上、In:25％以下(不含0％)、Zn:35～65％及Sn:8～30％。
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公开(公告)号：CN102265323B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201080003695.9
申请日：2010-01-15
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G09F9/30 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/06 , C23C14/14 , G02F1/1343 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L23/53238 , B32B15/01 , C22C9/00 , C23C14/025 , C23C14/14 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L23/53233 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具备Cu合金膜的显示装置，该Cu合金膜具有与透明基板的高密接性及低电阻率。本发明涉及一种显示装置，具有与透明基板直接接触的显示装置用Cu合金膜，其中，所述Cu合金膜具有层叠结构，该层叠结构包含：由Cu合金构成的第一层(Y)，该Cu合金包含总计为2～20原子％的从由Zn、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb及Mn构成的组中选择出的至少1种元素；由纯Cu构成的第二层(X)、或实质上由以Cu为主成分且电阻率比所述第一层(Y)低的Cu合金构成的第二层(X)，所述第一层(Y)与所述透明基板接触。
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公开(公告)号：CN101971294B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200980108416.2
申请日：2009-04-17
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L29/417 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/26506 , H01L21/2236 , H01L21/76829 , H01L21/76838 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/66575 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够省略在纯Al或Al合金的Al系合金配线与半导体层之间的阻障金属层的直接接触技术，其是可以在宽的工艺余度的范围将Al系合金配线与半导体层直接且可靠地连接的技术。本发明涉及一种配线结构，其为在基板之上从基板侧开始依次具备半导体层、纯Al或Al合金的Al系合金膜的配线结构，在所述半导体层和所述Al系合金膜之间含有从基板侧开始依次为(N、C、F)层以及Al-Si扩散层的层叠结构，所述(N、C、F)层为含有选自氮、碳和氟中的至少一种元素的层，所述Al-Si扩散层含有Al和Si，且所述(N、C、F)层中所含的氮、碳和氟中的至少一种的元素与所述半导体层中所含的Si结合。
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公开(公告)号：CN102822945A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180016158.2
申请日：2011-03-30
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/28 , G09F9/30 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/52 , H01L23/522 , H01L29/417 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/28518 , H01L21/28556 , H01L21/3211 , H01L21/76867 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4958 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种配线构造，其即使省略通常设于Cu系合金配线膜和半导体层之间的阻挡金属层，也能够发挥出优异的低接触电阻，此外密接性也优异。本发明涉及基板之上，从基板侧按顺序具备半导体层和Cu合金层的配线构造，其中，在所述半导体层与所述Cu合金层之间，从基板侧按顺序含有如下的层叠结构：含有从氮、碳、氟和氧所构成的群中选择的至少一种元素的(N、C、F、O)层；含有Cu和Si的Cu-Si扩散层，构成所述(N、C、F、O)层的氮、碳、氟和氧任一种元素与所述半导体层的Si结合，所述Cu合金层是含有Cu-X合金层(第一层)和第二层的层叠结构。
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公开(公告)号：CN102741449A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201180008362.X
申请日：2011-02-16
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C14/14 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: C23C14/165 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , Y10T428/31678
Abstract: 提供一种显示装置用Al合金膜，其即使曝露在450～600℃左右的高温下也不会发生小丘，高温耐热性优异，膜自身的电阻(互连电阻)也低，碱性环境下的耐腐蚀性也优异。一种显示装置用Al合金膜，其含有从Ta、Nb、Re、Zr、W、Mo、V、Hf和Ti所构成的X群中选择的至少一种元素、和稀土类元素的至少一种，进行450～600℃的加热处理时，满足下述(1)的要件。(1)在含有Al、从X群中选择的至少一种元素、稀土类元素的至少一种的第一析出物中，当量圆直径20nm以上的析出物以500000个/mm2以上的密度存在。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101512622B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN200780033457.0
申请日：2007-09-13
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G02F1/1343 , G09F9/30 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/52
CPC classification number: G02F1/136286 , H01L23/53219 , H01L23/53223 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种显示装置，其是在玻璃基板上配置了将透明导电膜与薄膜晶体管电连接的铝合金配线膜的显示装置，该铝合金配线膜具有包含第一层(X)和第二层(Y)的层叠结构，所述第一层(X)由含有特定量的Ni、Ag等选自特定的元素组Q中的一种以上的元素、稀土类元素或Mg等选自特定的元素组R中的一种以上的元素的铝合金构成，所述第二层(Y)由电阻率低于该第一层(X)的铝合金构成，第一层(X)与透明导电膜直接接触。
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公开(公告)号：CN102315229A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110176290.1
申请日：2011-06-23
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , G02F1/1368
Abstract: 本发明提供一种不会发生金属配线膜的干式蚀刻率的下降或蚀刻残渣，而且抑制该金属配线膜的小丘抗性或电阻率，并且抑制与和该金属配线膜直接连接的氧化物半导体层或透明导电膜的触点电阻率的薄膜晶体管基板及具备该薄膜晶体管基板的显示装置。在薄膜晶体管基板中，金属配线膜是通过干式蚀刻法进行图案化而形成的层叠膜，该层叠膜由Ti膜和含有0.05～1.0原子％的Ni、0.3～1.2原子％的Ge、0.1～0.6原子％的La及/或Nd的Al合金膜所构成，该Ti膜与该氧化物半导体层直接连接，且该Al合金膜与该透明导电膜直接连接。
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公开(公告)号：CN102265323A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201080003695.9
申请日：2010-01-15
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G09F9/30 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/06 , C23C14/14 , G02F1/1343 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L23/53238 , B32B15/01 , C22C9/00 , C23C14/025 , C23C14/14 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L23/53233 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具备Cu合金膜的显示装置，该Cu合金膜具有与透明基板的高密接性及低电阻率。本发明涉及一种显示装置，具有与透明基板直接接触的显示装置用Cu合金膜，其中，所述Cu合金膜具有层叠结构，该层叠结构包含：由Cu合金构成的第一层(Y)，该Cu合金包含总计为2～20原子％的从由Zn、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb及Mn构成的组中选择出的至少1种元素；由纯Cu构成的第二层(X)、或实质上由以Cu为主成分且电阻率比所述第一层(Y)低的Cu合金构成的第二层(X)，所述第一层(Y)与所述透明基板接触。
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公开(公告)号：CN102119230A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200980131206.5
申请日：2009-08-14
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C22C9/00 , C22C9/01 , G02F1/1343 , G09F9/30 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786
CPC classification number: H01L23/53233 , C22C9/00 , C22C9/01 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , Y10T428/265 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种显示装置用Cu合金膜，既可维持作为Cu系材料的特征的低电阻，与玻璃基板的粘附性又优异。本发明涉及一种显示装置用Cu合金膜，是在基板上，作为与玻璃基板直接接触的配线的显示装置用Cu合金膜，该Cu合金膜含有从Ti、Al和Mg之中选出的一种以上的元素，合计为0.1～10.0原子％。本发明也包括具有包含所述显示装置用Cu合金膜的薄膜晶体管的显示装置。作为该显示装置，该薄膜晶体管具有底栅型构造，该薄膜晶体管的栅电极和扫描线含有所述显示装置用Cu合金膜，优选与玻璃基板直接接触的状态。
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公开(公告)号：CN101523612B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200780037570.6
申请日：2007-10-12
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/786 , H01L21/768 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/458 , H01L23/53233 , H01L27/124 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据本发明，提供一种薄膜晶体管基板，具有薄膜晶体管的半导体层(33)和源-漏电极(28、29)，其特征在于，所述源-漏电极(28、29)由含有氮的含氮层或含有氮及氧的含氧氮层(28a、29a)和纯Cu或Cu合金薄膜(28b、29b)构成，构成所述含氮层的氮的一部分或者全部、或者构成所述含氧氮层的氮的一部分或者全部，与所述薄膜晶体管的所述半导体层(33)的Si结合。纯Cu或Cu合金薄膜(28b、29b)经由所述含氮层或所述含氧氮层(28a、29a)与所述薄膜晶体管的所述半导体层(33)连接。
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