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公开(公告)号：CN105336357A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201410340473.6
申请日：2014-07-17
IPC: G11C11/02
CPC classification number: G11C11/1675 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/5607 , G11C19/0808 , G11C19/0841 , G11C19/0866
Abstract: 本发明提供一种磁性存储装置，用于存取数据，其包括磁性存储轨道、第一写装置、第二写装置和驱动装置，所述第一写装置和所述第二写装置均位于所述磁性存储轨道的不同位置，所述第一写装置用于写入所述第一数据或所述第二数据，所述第一数据由磁畴的第一磁化方向表示，所述第二数据由磁畴的第二磁化方向来表示，所述第二写装置用于写入所述第三数据和所述第四数据，所述第三数据由磁畴的第三磁化方向表示，所述第四数据由磁畴的第四磁化方向来表示，所述第一磁化方向、第二磁化方向、第三磁化方向和第四磁化方向互不相同。
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公开(公告)号：CN105097008A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410175612.4
申请日：2014-04-28
IPC: G11C11/02
CPC classification number: G11C19/08
Abstract: 本发明实施例提供了一种驱动脉冲的确定方法，包括向磁性存储轨道和读取装置发送第i个驱动脉冲，其中，i是不为0的自然数；确定读取装置在第i个驱动脉冲的驱动下是否读取到一个磁畴的数据；在确定未读取到一个磁畴的数据时，向磁性存储轨道和读取装置发送第i+1个驱动脉冲，第i+1个驱动脉冲的驱动强度比第i个驱动脉冲的驱动强度增加第一预设强度值；确定在第i+1个驱动脉冲的驱动下读取到一个磁畴的数据；确定第i+1个驱动脉冲的驱动强度为磁畴的最小驱动强度。本发明实施例实现了确定驱动所述磁畴移动的最小驱动强度。本发明实施例还提供了一种控制器及磁性存储设备。
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公开(公告)号：CN105097007A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410172835.5
申请日：2014-04-25
IPC: G11C11/02
Abstract: 本发明实施例提供一种磁性存储装置及方法，磁性存储装置包括：包含至少一个磁畴区的磁性存储轨道，用于存储写入的磁畴；第一写装置，用于在所述磁畴区写入磁畴；第二写装置，用于在所述磁畴区写入与所述第一写装置写入方向垂直的磁畴。能够实现多级存储，提高磁性存储装置的存储量。
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公开(公告)号：CN105023615A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510418611.2
申请日：2015-07-16
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C16/26
Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种可抗旁路攻击的非挥发存储器的读电路结构。该结构包括存储单元，第一参考单元，第二参考单元，电压差放大电路，灵敏放大器，电流源，列选择晶体管，两个参考单元列选择晶体管，两个读使能控制的晶体管，两个传输门；其中存储单元处于导通态或者非导通态，分别表示存储1或者0数据，参考单元跟存储单元有相同结构，分别预先编程为非导通态和导通态；该结构中，读取过程中能同时开启一路互补的参考单元列，以平衡其读功耗曲线，因而可以防止功耗分析的旁路攻击。本发明另一种电路结构是在上述结构基础上，采用处于中间状态的参考单元来进行读操作，将参考单元作为冗余单元用于平衡读功耗，可以进一步平衡读0和读1的功耗曲线，有利于抗功耗分析类的旁路攻击。
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公开(公告)号：CN104953025A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201410111552.X
申请日：2014-03-24
Abstract: 本发明实施例公开了一种存储器中的磁性轨道的制造方法，包括将多个阳性隔离层和多个阴性隔离层交替堆叠以制取堆叠体；沿堆叠方向对所述堆叠体刻蚀至少一个孔隙；在所述孔隙的内表面沿所述孔隙的方向淀积两条互不接触的磁性材料以形成两条凹凸状的磁性轨道。相应地，本发明实施例还公开了一种存储器中的磁性轨道的制造装置。采用本发明，可以实现制造出带凹凸状且凹凸分布均匀的以及长且直的磁性轨道，提高读写精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104615953A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510070478.6
申请日：2015-02-10
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F21/76
CPC classification number: G06F21/76
Abstract: 本发明属于可编程逻辑器技术领域，具体为一种配置数据流安全性高的可编程逻辑器。该可编程逻辑器包括基于SRAM配置层的可编程逻辑阵列、非挥发片上存储器、安全机制控制电路、配置控制电路，接口模块，还可以包括其它模块；非挥发片上存储器可以包括多个分区，存储不同类别的数据，例如配置数据流存储、密钥存储、认证标签存储等；所述的非挥发片上存储器还包括写保护电路，写保护电路可以针对非挥发片上存储器的不同分区提供不同的写保护控制策略；所述的非挥发片上存储器特别包含电阻式随机存储器等可以跟逻辑工艺兼容的非挥发存储器。本发明可编程逻辑器可以提供配置数据流在存储和传递过程防止窃取、防止恶意加载等安全特征。
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公开(公告)号：CN101872645B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN200910050102.3
申请日：2009-04-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属存储器技术领域，涉及一种选通管复用结构的电阻存储器、阵列及其读操作方法。本发明的电阻存储器中包括一条用于读取数据的冗余位线和一个冗余存储电阻，读操作时，流过选中位线的电流与流过冗余位线的电流进行比较，可以读出选中位线上的存储电阻的数据状态；进一步，由这种选通管复用结构的电阻存储器排列组成的电阻存储器阵列，可以避免因漏电流导致的误读取操作，该电阻存储器阵列具有高可靠性的特点。
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公开(公告)号：CN102544354B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201010262424.7
申请日：2010-08-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为一种集成于铜互连后端结构的CuxO电阻型存储器及其制备方法。该存储器包括铜引线下电极、CuxO存储介质层、上电极；其中，铜引线包括覆盖于电镀铜之上的第一扩散阻挡层和第一铜籽晶层，CuxO存储介质层氧化形成于第一铜籽晶层上。其制备方法包括：提供铜互连后端结构的铜引线；在铜引线上构图依次形成第一扩散阻挡层和第一铜籽晶层；对铜籽晶层构图氧化形成CuxO存储介质层；在CuxO存储介质层上形成上电极。其中，1＜x≤2。该CuxO电阻型存储器是对铜籽晶层氧化形成，存储特性得以大大提高，尤其是在均匀性方面和薄膜品质的可控性方面。
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公开(公告)号：CN103474570A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201210185390.5
申请日：2012-06-06
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供集成于集成电路的后端结构的电阻型存储器及其制备方法，属于存储器技术领域。该电阻型存储器集成在后端结构中，对用于形成垂直电极的通孔，通孔周围的介质层被部分地水平横向刻蚀以形成一个或多个水平沟槽，水平沟槽被用来定义形成存储功能层，并且在所述水平沟槽中依次形成用于形成肖特基二极管的半导体层、金属水平电极。该电阻型存储器实现了三维的堆叠排列、密度高、制备效率高、成本低、功耗低的特点。
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公开(公告)号：CN103390628A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201210141482.3
申请日：2012-05-08
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供集成于集成电路的后端结构的电阻型存储器及其制备方法，属于存储器技术领域。该电阻型存储器集成在后端结构中，对用于形成垂直电极的通孔，通孔周围的介质层被部分地水平横向刻蚀以形成一个或多个水平沟槽，水平沟槽被用来定义形成存储功能层，并且在所述水平沟槽中依次形成用于形成双向二极管的金属内电极、半导体层、金属水平电极。该电阻型存储器实现了三维的堆叠排列、密度高、制备效率高、成本低、功耗低，并且可以适用于双极性电阻型存储器。
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