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公开(公告)号：CN110283602B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201910668525.5
申请日：2019-07-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K19/52 , C09K9/02 , C08F120/36 , C08F122/14
Abstract: 一种聚合物分散液晶的应用，涉及热致变色领域。本发明是要解决现有的热致变色聚合物制备方法复杂，传统温控膜转变温度不可调的技术问题。本发明的热致变色聚合物分散液晶薄膜是一种智能调光膜，将薄膜粘贴于建筑的窗户玻璃上，可以根据室内温度自行调节透过的光线，温度较高时薄膜为不透明态，减少太阳光的辐照，降低室内温度；温度较低时薄膜恢复透明态，允许光线进入，提升室内温度。本发明的热致变色调光膜具有对温度变化敏感、自动响应调控的特点，大幅度减少能源消耗。本发明可以通过改变原材料的种类和比例来控制透光率的转变温度，且制备工艺简单，可以大尺寸、批量化生产。
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公开(公告)号：CN113235042A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110516132.X
申请日：2021-05-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 抗激光损伤混杂VOx相的制备方法，本发明属于功能薄膜材料，它为了解决现有采用不同工艺制备的氧化钒薄膜的光学调制性能参差不齐，极大的限制了薄膜的激光防护效能的问题。制备方法：一、超声清洗基底材料和靶材；二、安装V2O3靶材；三、真空室抽气；四、设置沉积温度，采用直流偏压反溅清洗；五、当等离子亮起后降低气压至0.5～1.5Pa，同时通入0.3～0.8sccm的O2，设置偏压为‑100～‑140V，进行预溅射清洁靶材表面，然后打开挡板，沉积薄膜。本发明还可采用退火方法。本发明利用射频磁控溅射工艺，通过控制沉积工艺参数，制备了主要成分为VO2和V2O5的高VO2比例混杂晶态VOx相薄膜。
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公开(公告)号：CN110643972B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201910932384.3
申请日：2019-09-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/517 , C23C14/35 , C23C14/18 , C23C14/58 , G01N21/65 , G01N27/30 , G01N27/327
Abstract: 一种金纳米粒子修饰掺硼金刚石电极的制备方法及应用，它涉及一种金修饰掺硼金刚石电极的制备方法及应用。本发明要解决其中一个问题是现有方法制备的掺硼金刚石在其表面修饰其他物质时，两者结合力较差，解决的另一个问题是掺硼金刚石电极材料的电化学检测灵敏度较低，现有修饰方法会阻碍掺硼金刚石材料本身电化学性能发挥。制备方法：一、硼源的制备；二、掺硼金刚石薄膜的制备；三、镀膜及退火。本发明用于金纳米粒子修饰掺硼金刚石电极的制备及应用。
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公开(公告)号：CN112520813A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011312619.8
申请日：2020-11-20
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: C02F1/30 , C02F1/72 , C02F101/30
Abstract: 本发明提供了一种自持型新能源净水智能浮岛，该装置包括：浮岛式载体、亚克力透明箱体、蓄电池、动力系统、智能模块、监测系统、太阳能电池系统以及光催化系统；其中，太阳能电池系统设置在浮岛式载体的周围；动力系统设置在浮岛式载体的一侧；亚克力透明箱体，设置在浮岛式载体上；在亚克力透明箱体中，放置蓄电池、智能模块以及监测系统；光催化系统设置于亚克力透明箱体的四周。通过本发明的装置，可实现在紫外光和可见光下，皆能对水体中的有机污染物进行催化降解，达到经济环保、快速、高效地净化水体的目的；并且，由于本发明的装置具有可移动性，能地针对性地处理死水区，提高了装置的实用性。
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公开(公告)号：CN112495415A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011312647.X
申请日：2020-11-20
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: B01J27/24 , B01J37/10 , B01J37/08 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C02F1/30 , C02F1/72 , C02F101/30 , C02F101/34
Abstract: 本发明提供了一种纳米管催化材料及其制备方法和用途，其中，该方法包括：以三聚氰胺为原料，制备g‑C3N4；以Co(NO3)2·6H2O和三聚氰胺为原料，制备CNCo；以g‑C3N4、CNCo以及钛酸丁酯为原料，制备TCNCNCo‑30；在惰性气体保护下，对TCNCNCo‑30进行煅烧，制得纳米管催化材料TCNCNCo‑30‑500。本发明以g‑C3N4、CNCo以及钛酸丁酯为反应物，使得制备的纳米管催化材料TCNCNCo‑30‑500，具有CNCo纳米管和TiO2纳米颗粒的吸附、光催化特性及Co对可见光的强吸收特性，从而达到以该材料为催化材料，可以快速富集、去除、催化降解水环境中的双酚A的目的，解决了传统光催化剂催化效率低、较低的光转化效率和较窄的光响应范围等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111593310A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010384746.2
申请日：2020-05-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用磁控溅射制备高光电稳定性透明导电膜的方法，本发明涉及制备透明导电膜的方法。本发明要解决现有Ag基多层薄膜在长期或高温条件下会发生光电性能劣化的问题。方法：一、将AZO靶材、Ni靶材及Ag靶材安装在多靶磁控溅射设备的靶位上，抽真空；二、AZO靶材溅射直至第一AZO层厚度为25nm～55nm，Ag靶材溅射直至Ag层厚度为6nm～10nm，Ni靶材溅射直至Ni层厚度为2nm～4nm，AZO靶材溅射直至第二AZO层厚度为25nm～55nm；三、关闭所有电源，取样。本发明可用于太阳能电池的电极、平板显示器等对透明导电薄膜有高光电性能及优异稳定性需求的领域。
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公开(公告)号：CN109659396B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811573167.1
申请日：2018-12-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L21/02 , C23C14/35
Abstract: 一种中红外透明P型半导体薄膜的制备方法，它涉及一种P型半导体薄膜的制备方法。本发明的目的是开发一种新型的P型中红外透明导电材料种类，解决现有LaSe2薄膜中红外透明导电薄膜制备困难，在中红外应用受到了极大地限制的技术问题。本发明：一、靶材和衬底的清洗；二、La2O3薄膜的制备；三、LaSe2薄膜的制备。本发明以单质Se粉末为Se源，利用真空封管处理，在硒化退火的条件下，Se蒸气可以将La2O3薄膜中的O置换出来的原理制备LaSe2薄膜，弥补了La与Se较高温度下不易反应的材料制备局限性。本发明制备的LaSe2薄膜具有较好的导电性能，中波红外光区的总透过率约为70％，透过性能较为良好。
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公开(公告)号：CN110989236A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911327771.0
申请日：2019-12-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02F1/1334 , G02F1/1337 , G02F1/1333
Abstract: 一种利用光刻技术制备柔性反式聚合物分散液晶薄膜的方法，涉及一种制备反式聚合物分散液晶薄膜的方法。本发明是要解决现有的柔性R-PDLC薄膜光学对比度差的技术问题。本发明可以通过改变取向凹槽的宽度，液晶性紫外光可聚合单体的结构和比例来改变液晶分子的预取向程度，聚合物网络结构、分子量、支化程度等，形成具有柔性的R-PDLC薄膜，达到未通电状态高透光率、通电状态低透光率的强光防护性能，透过率最大值和最小值分别是81.2％和3.9％，光学对比度高，光电性能稳定。
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公开(公告)号：CN109192794B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811063616.8
申请日：2018-09-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 背板增强型叉指电极金刚石紫外探测器的制备方法，本发明属于高能射线及粒子探测领域，它为了解决现有金刚石叉指电极紫外探测器无法有效收集金刚石体内载流子而导致探测效率低的问题。制备方法：一、对金刚石进行预处理及清洗；二、通过磁控溅射或电子束蒸发在清洗后的金刚石的下表面制备背板电极；三、通过磁控溅射或电子束蒸发在金刚石的上表面制备叉指结构电极；四、通过导线将金刚石上表面的其中1个叉指电极与背板电极连接。本发明的探测器为背板增强叉指型结构，能够有效收集金刚石体内紫外光激发的载流子，提高探测效率，在230nm的紫外光照、200V偏压下，背板增强型探测器较传统探测器探测效率提高230％以上。
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公开(公告)号：CN110643972A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910932384.3
申请日：2019-09-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/517 , C23C14/35 , C23C14/18 , C23C14/58 , G01N21/65 , G01N27/30 , G01N27/327
Abstract: 一种金纳米粒子修饰掺硼金刚石电极的制备方法及应用，它涉及一种金修饰掺硼金刚石电极的制备方法及应用。本发明要解决其中一个问题是现有方法制备的掺硼金刚石在其表面修饰其他物质时，两者结合力较差，解决的另一个问题是掺硼金刚石电极材料的电化学检测灵敏度较低，现有修饰方法会阻碍掺硼金刚石材料本身电化学性能发挥。制备方法：一、硼源的制备；二、掺硼金刚石薄膜的制备；三、镀膜及退火。本发明用于金纳米粒子修饰掺硼金刚石电极的制备及应用。
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