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公开(公告)号：CN115114885A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202211036609.5
申请日：2022-08-29
Applicant: 苏州珂晶达电子有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/398 , G06F30/394 , G06F30/392
Abstract: 本申请涉及集成电路版图技术领域，具体而言，涉及一种自顶向下的版图层次结构处理方法、装置及存储介质，一定程度上可以解决集成电路版图的处理过程计算量大的问题。本申请实施例通过从初始集成电路版图中获得各初始单元的包围盒；可基于各包围盒的面积，实现从初始单元中筛选出目标单元实现；进一步从目标单元的各第一实例中筛选出有效实例，并满足有效实例位于目标单元的上层单元中，可基于有效实例的可复用区域，其中，可复用区域是有效实例中与上层单元中的第二实例的非重叠区域，实现确定目标集成电路版图。
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公开(公告)号：CN115113009A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210601758.5
申请日：2022-05-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01R31/26 , G01R31/265 , G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种通用的激光背辐照试验样品制备方法，首先根据待测芯片管脚数目选取通用管壳；再根据待测芯片尺寸和敏感区分布决定管壳开孔方案，并根据开孔方案对通用管壳进行开孔；然后将裸芯键合到选取的已开孔的通用管壳里，使待测芯片的全部敏感区域裸漏；最后对待测芯片的全部敏感区域进行激光扫描试验。本发明简化了样品制备的方法，解决了激光不能穿透金属层对器件开展激光单粒子试验研究的问题，为集成电路开展激光背辐照试验提供支撑和指导。
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公开(公告)号：CN114974388A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210472026.0
申请日：2022-04-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G11C29/12
Abstract: 一种高速DDR存储器单粒子错误评估系统及方法，为待测DDR存储器电路配置读写模式并提供测试码型，进行读操作并判断读取数据是否为测试码型，根据判断结果进行重离子试验或重新进行读取，与待测DDR存储器电路测试码型进行对比，判断是否发生单粒子错误，将发生错误的计数与单粒子功能中断设定的阈值进行对比，判断是否超出阈值，根据判断结果再次进行阈值判定，确定发生的错误类型，并计算单粒子错误截面，完成错误评估测试。
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公开(公告)号：CN114709197A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210232467.3
申请日：2022-03-09
Applicant: 西安电子科技大学 , 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种抗辐照GaN/Ga2O3的Cascode级联增强型功率器件及其制作方法，GaN与Ga2O3器件级联的Cascode结构增强型功率器件从左到右包括低压增强型GaN HEMT器件和高压耗尽型Ga2O3FET器件，所述低压增强型GaN HEMT器件与所述高压耗尽型Ga2O3FET器件相连通。本发明采用上述结构的一种抗辐照GaN/Ga2O3的Cascode级联增强型功率器件及其制作方法，Ga2O3材料具有高击穿电压特性，同时GaN属于宽禁带材料，整体上增加了器件的可靠性，提高了器件在宇航辐照环境应用下的单粒子烧毁阈值电压，降低了宇航系统的重量和复杂程度。
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公开(公告)号：CN114582861A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210221675.3
申请日：2022-03-09
Applicant: 西安电子科技大学 , 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H01L27/085 , H01L21/8258
Abstract: 本发明公开了一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga2O3Cascode功率器件，低压增强型GaN HEMT的漏极Drain2和高压耗尽型Ga2O3FET的源极Source1相连通，低压增强型GaN HEMT的源极Source2和高压耗尽型Ga2O3FET的栅极Gate1相连通，低压增强型GaN HEMT和高压耗尽型Ga2O3FET之间连通的方式通过将各个外延片结构之间的相互印刷转移，形成单片集成。本发明采用上述结构的一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga2O3Cascode功率器件，实现新型的GaN与Ga2O3级联的增强型器件，降低航天系统的复杂度，提升器件的抗辐照能力，提高器件在宇航辐照环境应用下的单粒子烧毁阈值电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108055031B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201711341286.X
申请日：2017-12-14
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种自恢复抗单粒子软错误累积的三模冗余结构，通过增加单粒子软错误检测电路和数据选择电路对电路进行优化设计，基于这种结构的设计能够在三模冗余结构中单路信号翻转后自行恢复，能够有效解决三模冗余结构可能由错误累积导致单粒子加固失效的问题。
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公开(公告)号：CN112036110A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010899992.1
申请日：2020-08-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/367 , G01T1/02
Abstract: 本发明涉及一种模块级电路瞬时剂量率效应仿真测试方法，1)针对器件级电路建立基本单元NMOS管和PMOS管的物理模型；2)建立瞬时光电流模型；3)在每个NMOS管和PMOS管并联瞬时光电流模型得到获得基本单元NMOS管和PMOS管的瞬时剂量率效应的SPICE微模型；4)在SPICE仿真软件中输入模块级电路的电路配置文件和电路网表文件，在SPICE中得到模块级电路连接模型，并将所述SPICE微模型代入到模块级电路连接模型中建立模块级电路瞬时剂量率效应模型；5)对步骤4)得到的模块级电路瞬时剂量率效应模型在不同剂量率下模拟模块级电路产生的瞬时剂量率效应，监测是否获得模块级电路瞬时剂量率效应翻转阈值，若是，则完成仿真测试；若否则调整参数直至获得瞬时剂量率翻转阈值。
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公开(公告)号：CN107167725B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201710201165.9
申请日：2017-03-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Inventor： 赵元富 , 郑宏超 , 李哲 , 岳素格 , 王亮 , 李建成 , 陈茂鑫 , 喻贤坤 , 姜柯 , 于春青 , 王汉宁 , 刘琳 , 毕潇 , 杜守刚 , 王煌伟 , 赵旭 , 穆里隆 , 李继华 , 简贵胄 , 初飞 , 祝长民 , 王思聪 , 李月
IPC: G01R31/3183
Abstract: 本发明公开了一种快速低开销全自动数字集成电路单粒子故障注入系统，包括人机操作界面、故障注入器，其中故障注入器包括：故障电路网表代码生成模块、功能向量和故障随机信号产生模块、仿真统计和计算输出模块。本发明实现了单粒子故障注入的全自动进行，同时对过程文件进行了实时处理，避免了存储量过大造成的内存爆炸对仿真性能造成影响，降低了用于仿真的计算器的开销。
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公开(公告)号：CN105574270B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201510945564.7
申请日：2015-12-16
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子加固电路单元布局布线方法，首先按照单粒子敏感节点的分离要求，对抗单粒子加固电路进行原理图模块拆分，对各个底层原理图模块进行版图设计，然后在保证敏感节点之间分离距离满足抗单粒子加固要求的前提下进行布局，单元布局完成之后基于敏感节点分离的布局版图和通过检查的各模块的连线关系进行版图布线，经版图设计规则验证、版图与原理图一致性验证后，完成抗单粒子加固电路单元的布局布线。本发明解决了抗单粒子加固电路在版图实现过程中的困难，提高了抗单粒子加固单元电路版图设计的可靠性和效率。
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公开(公告)号：CN105610430B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201510980907.3
申请日：2015-12-23
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明提出了一种基于锁相环的双模自切换抗辐射加固时钟生成电路，主要由两个独立的锁相环、延时单元、误差检测单元和时钟选择单元构成。所述的两个独立的锁相环为未经过抗辐射加固的电荷泵锁相环，分别提供相应的时钟输出；所述的延时单元实现对锁相环输出信号的延迟；所述的误差检测单元用来检测主路锁相环中鉴频鉴相器的两个输出信号是否正确并输出相应的指示信号；所述的时钟选择单元对两路锁相环的延时输出进行选择性输出作为最终的输出。本发明可以很大程度上消除辐射环境中单粒子效应对电路工作状态的干扰，确保锁相环作为时钟信号的稳定，提高系统的可靠性，具有实现方便、面积小、功耗低等优点。
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