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公开(公告)号：CN118315434A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202310023059.1
申请日：2023-01-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种金属氧化物钝化的薄膜晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。该金属氧化物钝化的薄膜晶体管包括栅极(1)、绝缘层(2)、有源层(3)、源极(5)和漏极(6)，还包括：钝化层(4)；其中，所述有源层(3)采用In2O3材料制成，所述钝化层(4)采用GeO2材料制成，用于调控所述有源层(3)中的氧空位。本发明基于In2O3材料的沟道层(如In‑Ga‑O、In‑Ge‑O、In‑Ga‑Zn‑O)，制备一层GeO2薄膜，可以通过调控氧空位，提升氧化物半导体薄膜晶体管的稳定性。
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公开(公告)号：CN111079317B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202010075961.4
申请日：2020-01-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种栅漏电模型的优化方法及基于其的高电子迁移率器件模型，其中，该优化方法包括：基于表面势计算，建立高电子迁移率器件模型；建立栅电流模块；结合高电子迁移率器件模型的内部模块对栅电流模块进行分段近似和拟合；以及，在栅漏电模型中加入变温反馈模块，并与所述高电子迁移率器件模型相对接。本发明提供的该栅漏电模型的优化方法及基于其的高电子迁移率器件模型，实现了对不同栅漏电机制的数学整合，能够在兼顾物理意义和准确性的前提下对器件栅漏电机制进行有效的拟合；同时其变温函数的引入也使得模型对变温的预测性更加准确。
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公开(公告)号：CN117790582A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311842082.X
申请日：2023-12-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本公开提供了一种薄膜晶体管，可以应用于半导体技术领域。该薄膜晶体管包括：基板；栅极金属层，栅极金属层下表面贴合基板；介质层，介质层下表面贴合栅极金属层上表面、侧表面和基板的至少部分上表面；沟道层，设置于介质层上方，沟道层材料包括InSeO薄膜；以及源极和漏极，分别位于沟道层两端。本公开还提供了一种薄膜晶体管的制备方法。
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公开(公告)号：CN117790514A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311841030.0
申请日：2023-12-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77
Abstract: 本公开提供了一种双栅互补型薄膜晶体管，可以应用于集成电路制造技术领域。该双栅互补型薄膜晶体管包括：N型薄膜晶体管，包括：第一底栅结构，N型半导体层，第一源极，第一漏极和第一顶栅结构；第一源极和第一漏极分别设置于N型半导体层的两侧；N型半导体层的材料包括铟镓锌氧化物；P型薄膜晶体管，包括：第二底栅结构，P型半导体层，第二源极，第二漏极和第二顶栅结构；第二源极和第二漏极分别设置于P型半导体层的两侧；P型半导体层的材料包括铟硒氧化物。本公开还提供了一种双栅互补型薄膜晶体管的制备方法。
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公开(公告)号：CN109893756B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201910246371.0
申请日：2019-03-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种自发电式电刺激理疗装置，包括：一电刺激单元，包含：中空的接触部，其上底面固定有固定部件，下底面开口，底部可贴附于待治疗皮肤；一放电针，穿过该接触部上的固定部件伸入至接触部内部，该放电针的外围带有绝缘包覆材料；以及一自发供能单元，该自发供能单元收集人体外部机械能转化为交流电能并通过一整流模块可控输出，该自发供能单元的一个电极与一参考皮肤接触，另一电极与放电针连接，非直接接触施加于待治疗皮肤。该自发电式电刺激理疗装置的实现自供能、电流较低、输出可控，没有危险性，相比传统的针刺等局部刺激手段，电刺激不直接接触皮肤，没有损伤皮肤及其内部组织的危险，整体具有环保、低能耗、高可靠性及高稳定性的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114453346A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210062254.0
申请日：2022-01-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: B08B7/00
Abstract: 本申请公开一种针对碳纳米管表面残留有机物的去除设备和去除方法，涉及半导体技术领域。本申请提供一种针对碳纳米管表面残留有机物的去除设备，该去除设备包括可开闭的处理腔室、承载台、加热组件、降温组件和总控器；处理腔室具有出气口、第一进气口和第二进气口，或，处理腔室具有出气口和第一进气口，第一进气口用于向处理腔室内部通入保护气体，第二进气口用于使处理腔室与外界大气可断开的连通，出气口用于排出处理腔室内原有气体；承载台位于处理腔室中，用于承载具有碳纳米管的产品；加热组件用于加热位于承载台上的产品；降温组件用于向处理腔室中通入降温气体以冷却纳米管；总控器分别与加热组件、降温组件通信连接。
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公开(公告)号：CN108336145B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201810086638.X
申请日：2018-01-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 北京大学
IPC: H01L29/786 , G06N3/063
Abstract: 本发明提供了一种人工神经元结构及其制备方法、信号和时间提取方法，其中，该人工神经元结构，包括：衬底；背栅金属层，位于所述衬底下方；外延层，位于所述衬底上方；两个互不接触的源漏金属层，位于所述外延层上方；以及有机薄膜层，分别与两个所述源漏金属层接触，且叠置于所述外延层之上，其中，该有机薄膜层上设有两个开孔，用于裸露至少部分的两个所述源漏金属层。该人工神经元结构通过模拟生物神经元的工作原理，利用电化学反应提供的电荷调控半导体沟道中的载流子浓度分布，对多种电刺激实现对应的输出；具有含时变化的特性；可以断电工作，使静态功耗降低至零，适合低功耗电路应用；同时还具有非常广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN109768613B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910246273.7
申请日：2019-03-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种能量收集系统及自供能可穿戴设备，其中能量收集系统包括：n个独立的单元结构，n为正整数，每个独立的单元结构包含：发电系统和整流系统，发电系统包含微型发电机，其用于将人体运动产生的机械能转化为电能；整流系统包含整流电路，该整流电路的交流输入端与微型发电机的输出端相连，用于将微型发电机的电能形式由交流脉冲转化为直流脉冲；其中，在n个独立的单元结构的输出电路上设有降压装置，该降压装置为一火花间隙或放电管，该降压装置用于调控输出电路的输出电压和电流。能够降低输出电压，增大输出电流，有效提升输出电流的脉宽，起到脉宽调制作用，保证输出电压的稳定性，更适合给器件供电或收集能量。
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公开(公告)号：CN111370578A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010205183.6
申请日：2020-03-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种仿生晶体管结构及其特征时间的控制方法，其中，该仿生晶体管结构包括：背栅介质层；背栅半导体衬底层，叠置在背栅介质层之下；单壁碳纳米管沟道层，叠置在背栅介质层之上；有机薄膜层，叠置在单壁碳纳米管沟道层之上，且该有机薄膜层和单壁碳纳米管沟道层未被有机薄膜层覆盖的部分直接暴露于空气中；以及源漏金属层，叠置在背栅介质层之上，并设置于有机薄膜层和单壁碳纳米管沟道层的两侧。本发明提供的该仿生晶体管结构及其特征时间的控制方法，相比传统晶体管器件，具有含时变化的特性，在特定输入条件下可以断电工作，使静态功耗降低至零，适合超低功耗电路应用。
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公开(公告)号：CN106711194B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201611243062.0
申请日：2016-12-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/10 , H01L29/20 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 一种环栅场效应晶体管及其制备方法，制备方法包括：在衬底上形成第一栅介质层、沟道层、第二界面控制层、源漏层和一半导体材料层；刻蚀去除半导体材料层，并在沟道区纵向方向刻蚀形成一凸字形结构，凸出部分刻蚀至第二界面控制层，两侧刻蚀至第一栅介质层；在沟道区凸出部分的两侧壁生长第三界面控制层，且在间隔源区和漏区一定距离的凸出部分的上表面自下而上形成第二栅介质层和第二栅金属层，并延伸至第三界面控制层的侧壁和凸出部分两侧平台的上表面；在源区和漏区的源漏层上表面靠外侧部分形成源漏金属层。本发明提出的晶体管可有效减少沟道散射，提高沟道载流子迁移率、栅控能力和电流驱动能力，有效抑制短沟道效应和DIBL效应。
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