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公开(公告)号：CN114759002A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210352949.2
申请日：2022-04-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种半导体芯片，包括：基层芯片，以及电极层，设置在所述基层芯片上，其中，所述电极层形成多个孔；其中，所述电极层的熔点小于300℃，并且由锡、铟合金材料和锡合金材料中的一种制成。
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公开(公告)号：CN114497315A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210139488.0
申请日：2022-02-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种LED芯片结构及其制备方法，该LED芯片结构包括：衬底、外延层、PN电极层和感光显影层，外延层形成于所述衬底的表面上；PN电极层形成于所述外延层的表面上，且位于所述外延层表面的两端；感光显影层覆盖所述衬底和所述外延层的剩余表面且所述感光显影层的表面高于所述外延层的表面。
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公开(公告)号：CN111048496A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201811194251.2
申请日：2018-10-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种倒装LED红光器件结构及其制备方法，结构包括：倒装蓝光LED芯片和位于所述倒装蓝光LED芯片上的红光OLED结构。其中，倒装蓝光LED芯片结构包括：蓝宝石衬底上依次生长缓冲层、N-GaN层、多量子阱发光层、P-GaN层；红光OLED结构包括：在倒装蓝光LED芯片背面依次生长空穴传输层、掺杂红光掺杂剂的电子传输层、不掺杂掺杂剂的电子传输层和外层保护层。制备方法包括：制备倒装蓝光LED芯片；制备红光OLED结构；倒装LED红光器件倒装焊到电路板上。本发明采用倒装蓝光LED光致红光OLED发光的方法实现器件制备，该器件制备工艺简单，可以有效解决倒装红光LED器件制备工艺复杂、成品率低、成本高等问题。
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公开(公告)号：CN107215858A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710247244.3
申请日：2017-04-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C01B32/186 , H01L33/42
CPC classification number: H01L33/42
Abstract: 本发明公开了一种催化CVD法自生长石墨烯的方法，具体是将铜箔包覆的蓝宝石、硅片、氮化铝基板、碳化硅基板、GaN基板或GaN基LED结构等衬底置于真空管中，运用铜箔高温生成的铜蒸气催化CVD法生长石墨烯，制备石墨烯的透明导电薄膜。本发明采用铜箔包覆作为催化剂，实现CVD法石墨烯薄膜的自生长。通过本发明能够生长连续、大面积的石墨烯，避免转移工序，制备的材料能够应用到发光二极管、电子器件、探测器及太阳能电池等领域。
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公开(公告)号：CN103579478B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201310553600.6
申请日：2013-11-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种制作倒装集成LED芯片级光源模组的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上生长GaN材料，形成GaN外延结构；步骤B，对GaN外延结构进行深刻蚀工艺，形成多个独立的小LED材料结构；步骤C，对多个独立的小LED材料结构进行倒装LED芯片制备工艺，制备多个LED芯片的，与衬底接触的P电极和N电极；步骤D，对多个倒装LED芯片的P电极和N电极进行串并连工艺，形成倒装LED集成芯片；以及步骤E：对衬底抛光，喷涂荧光粉，切割成一颗颗倒装集成芯片，即倒装集成LED芯片级光源模组。采用本发明方法制备的倒装集成LED芯片级光源具有散热好、可大电流驱动、光效高等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102969413B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210548464.7
申请日：2012-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种激光诱导空气隙发光二极管的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，采用激光器在距衬底上表面30um的内部形成规则网状空气隙；步骤2：在衬底上采用MOCVD方法依次生长成核层、N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；步骤3：采用光刻的方法，在ITO层上的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达N型掺杂层内，形成台面；步骤4：在ITO层上未刻蚀的一侧上制备P型电极；步骤5：在台面上制备N型电极。
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公开(公告)号：CN103839777A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410086759.6
申请日：2014-03-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L21/7813 , B23K26/361
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓薄膜的大面积连续无损激光剥离方法，该方法包括：取在蓝宝石衬底上生长了氮化镓薄膜的外延片；在氮化镓薄膜的表面沉积过渡层；在过渡层表面制作转移衬底；以及采用步进扫描方式的长条形激光光斑扫描照射整个抛光过的蓝宝石衬底的背面，实现蓝宝石衬底与氮化镓薄膜的整体分离。本发明采用长条形平顶激光光斑进行扫描，既能保证剥离大面积的氮化镓薄膜样品无裂纹，又能获得可接受的加工速率。本发明尤其对目前氮化镓基垂直结构发光二极管、氮化镓单晶的制造工艺的进步具有十分重要的作用。
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公开(公告)号：CN102185052B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201110115383.3
申请日：2011-05-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法，其包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上依次制作一氮化镓成核层和一氮化镓缓冲层；步骤3：在氮化镓缓冲层上制作一n型氮化镓接触层，以硅烷作为n型掺杂剂；步骤4：在n型接触层上未刻蚀的上表面依次制作一n型电流扩展层、一活性发光层、一p型电子阻挡层和一p型接触层；步骤5：采用刻蚀的方法，在该p型接触层上面的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达n型氮化镓接触层中，使该n型氮化镓接触层的一侧形成一台面；步骤6：在n型接触层的台面上制作负电极；在p型接触层的上面制作正电极，完成氮化镓系发光二极管的制作。
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公开(公告)号：CN103529658A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310485162.4
申请日：2013-10-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G03F9/00
CPC classification number: G03F9/7084 , G03F1/42
Abstract: 本发明提供了一种在第一次光刻工艺中方形晶圆对准的方法。该方法包括：步骤A，在对方形晶圆进行第一次曝光的掩模板上掩模图形的外围，制备对准标记；步骤B，在第一次曝光工艺中，利用掩模板上的对准标记，将方形晶圆限定在预设区域内，由掩模图形对方形晶圆进行曝光；以及步骤C，在第二次曝光工艺以及后续曝光工艺中，利用前一次光刻工艺留下的对准标记对方形晶圆进行对准。本发明简单可靠、易于实现，可保证方形晶圆边沿管芯完整，提高芯片产能。
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公开(公告)号：CN103474536A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310396219.3
申请日：2013-09-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种氮化镓基宽光谱发光二极管及其制备方法，其中该氮化镓基宽光谱发光二极管包括：一衬底；一缓冲层，其制作在衬底上；一n型III族氮化物层，其制作在缓冲层上，该n型III族氮化物层上面的一侧有一台面，该台面的厚度小于n型III族氮化物层的厚度；一量子点有源区，其制作在远离台面一侧的n型III族氮化物层上，该量子点有源区为发光区；一p型III族氮化物层，其制作在量子点有源区上；一n型金属电极，其淀积在n型III族氮化物层一侧的台面上；一p型金属电极，其淀积在p型III族氮化物层上。本发明的氮化镓基宽光谱发光二极管具有宽光谱及光谱范围可调的优点。
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