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公开(公告)号：CN1974873A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610118666.2
申请日：2006-11-23
Applicant: 上海交通大学
IPC: C25D11/04
Abstract: 一种纳米材料技术领域的较大孔间距的氧化铝纳米孔阵列膜的快速稳定生长方法。步骤为：第一，配制磷酸－水－乙醇电解液：其中H2O和C2H5OH体积比为4∶1，H3PO4浓度为0.25－0.5mol/L，电解液总体积为2L；第二，铝片预处理：将圆形铝片放入丙酮中浸泡，擦拭干净，并用去离子水冲洗，使用高氯酸和乙醇混合溶液在恒压条件下电化学抛光；第三，使用低温恒温槽将电解液温度降至－5～－10℃温度，并对电解液进行搅拌，在阳极氧化电压为195V、电流密度为1500－4000Am－2的条件下对铝片进行一次腐蚀；第四，将一次腐蚀后的样品在铬酸混合水溶液中浸泡，温度保持在60℃，以去除一次腐蚀产生的氧化铝；第五，在与第三步相同的条件下对样品进行二次腐蚀。
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公开(公告)号：CN1712574A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200510025946.4
申请日：2005-05-19
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种属于材料制备技术领域的厚度可控、自由独立超薄多孔氧化铝模板的制备方法，本发明利用电化学方法对铝片进行第一次电解，然后去除第一次阳极氧化形成的多孔氧化铝层，通过控制第二次电解的电解电流和电解时间实现多孔氧化铝模板厚度的控制，以饱和硫酸铜和盐酸混合溶液为腐蚀液，结合一个简单的滤网，去除未被氧化的铝从而得到自由独立的超薄氧化铝模板，进一步用磷酸中去除位于模板底部的阻碍层即可得到双通自由独立的超薄氧化铝模板。本发明由于厚度可控并且高度有序，这种自由独立的超薄多孔氧化铝模板不仅有望在各种纳米结构材料的制备中得到广泛应用，并且在过滤材料、表面防腐、催化剂载体和生物陶瓷材料等领域有潜在应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1216284C
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN03114762.3
申请日：2003-01-07
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种多晶硅太阳能电池转换效率的测试方法属于半导体材料应用领域。本发明的方法为：测量多晶硅太阳能电池在红外至可见光波段范围内的透射光谱；用理论透射率公式拟合实验结果，得到多晶硅太阳能电池的带尾能量等物理参数；实验测量多晶硅太阳能电池的转换效率η，并将其与不同多晶硅太阳能电池样品带尾能量EU结合，得到两者之间的线性关系式；本发明可以在免去制作测量引线的情况下直接得到多晶硅太阳能电池的转换效率，还可以得到可靠的多晶硅太阳能电池的微观参数用以指导工艺的改进，因此具有简单、方便、准确度高、实用性强的特点。
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公开(公告)号：CN1204664C
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN03115898.6
申请日：2003-03-20
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01S5/00
Abstract: 基于三量子点耦合系统产生太赫兹激光的方法属于半导体激光器应用技术领域。步骤如下：调节一个三量子点耦合系统内的耦合条件，获得激子基态能级；再调节另一个三量子点耦合系统内部耦合条件，使两个三量子点耦合系统激子分立基态能级的差值属于太赫兹远红外波段范围，满足要求得到远红外激光光子能量；将两个三量子点耦合系统用弱耦合层隔离，调节耦合距离，获得起振条件；将用弱耦合层隔离的两个三量子点耦合系统的两个端面抛光形成光学共振腔，完成太赫兹远红外激光器结构设计；选择不同材料的三量子点耦合系统，经过以上步骤就能得到太赫兹远红外激光。本发明在工艺技术成熟的条件下，具有原理新颖简单、设计灵活方便、实用性强的特点。
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公开(公告)号：CN1564013A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410017861.7
申请日：2004-04-22
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01R31/36
Abstract: 一种太阳能电池有效扩散长度的测试方法，用于能源技术领域。方法步骤为：测量太阳能电池基片材料的载流子浓度；测量太阳能电池的暗伏安特性和负载特性；采用理论公式拟合太阳能电池暗伏安特性得到饱和电流密度J01，J02；结合基片材料的载流子浓度和负载特性给出的开路电压，短路电流密度，用理论公式使求得的与有效扩散长度相关的饱和电流密度同由暗伏安特性给出的饱和电流密度的平方差之和最小，从而得到太阳能电池的有效扩散长度。本发明可避免吸收和反射系数的详细信息，利用常用测试方法便可直接得到太阳能电池的有效扩散长度，还可同时用以指导太阳能电池的结构优化和工艺改进，具有简单、方便、精确度较高、应用性较强和适用范围广的特点。
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公开(公告)号：CN1169229C
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN02150783.X
申请日：2002-11-28
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0232 , H01L33/00
Abstract: 一种谐振腔增强的n型砷化镓远红外探测器的反射镜属于光电探测器领域。本发明提供了一种采用分子束外延生长制备的远红外探测器的反射镜。顶部反射镜由探测器与空气形成的界面形成。底部反射镜由底部电极层和它下面的多周期的非掺杂/掺杂的砷化镓层共同组成，反射镜底部电极层(1)的厚度为3000A，浓度为2×1018cm-3，底部掺杂(3)的n型砷化镓的厚度为1.8μm，浓度为3×1018cm-3，非掺杂的n型砷化镓(2)层的厚度为1.45μm，非掺杂(2)/掺杂(3)的砷化镓的生长周期N＝1。本发明具有实质性特点和显著进步，可以通过分子束外延生长制备，具有很好的样品质量，可以应用到远红外波段，而且大大提供探测器的量子效率。
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公开(公告)号：CN216884683U
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202220276924.4
申请日：2022-02-11
Applicant: 河北安必成金刚石材料有限公司 , 上海交通大学
Abstract: 一种固砂金刚线硅片切割电镀一体化系统，包括：送粉喷射机构、电镀机构和切割机构，其中：送粉喷射机构和电镀机构相连，切割机构设置于电镀机构上方；送粉喷射机构包括：依次相连的水泵、过滤器、镀液与微粉混合器和喷液嘴；电镀机构包括：储液槽和依次设置于其内部的阳极板和导液板；切割机构包括：分别设置于电镀机构的储液槽两端上方的切割线轮以及连接于其间的切割线。本装置能够用于切割大硅片210毫米宽正方形、厚度为150微米到90微米的薄硅片且降低能耗。
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