公开(公告)号：CN1440097A

公开(公告)日：2003-09-03

申请号：CN03115898.6

申请日：2003-03-20

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 赖祖猷 ,  沈文忠 ,  杨海锋

IPC: H01S5/00

Abstract: 基于三量子点耦合系统产生太赫兹激光的方法属于半导体激光器应用技术领域。步骤如下：调节一个三量子点耦合系统内的耦合条件，获得激子基态能级；再调节另一个三量子点耦合系统内部耦合条件，使两个三量子点耦合系统激子分立基态能级的差值属于太赫兹远红外波段范围，满足要求得到远红外激发光光子能量；将两个三量子点耦合系统用弱耦合层隔离，调节耦合距离，获得起振条件；将用弱耦合层隔离的两个三量子点耦合系统的两个端面抛光形成光学共振腔，完成太赫兹远红外激光器结构设计；选择不同材料的三量子点耦合系统，经过以上步骤就能得到太赫兹远红外激光。本发明在工艺技术成熟的条件下，具有原理新颖简单、设计灵活方便、实用性强的特点。

公开(公告)号：CN1204664C

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN03115898.6

申请日：2003-03-20

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 赖祖猷 ,  沈文忠 ,  杨海锋

IPC: H01S5/00

Abstract: 基于三量子点耦合系统产生太赫兹激光的方法属于半导体激光器应用技术领域。步骤如下：调节一个三量子点耦合系统内的耦合条件，获得激子基态能级；再调节另一个三量子点耦合系统内部耦合条件，使两个三量子点耦合系统激子分立基态能级的差值属于太赫兹远红外波段范围，满足要求得到远红外激光光子能量；将两个三量子点耦合系统用弱耦合层隔离，调节耦合距离，获得起振条件；将用弱耦合层隔离的两个三量子点耦合系统的两个端面抛光形成光学共振腔，完成太赫兹远红外激光器结构设计；选择不同材料的三量子点耦合系统，经过以上步骤就能得到太赫兹远红外激光。本发明在工艺技术成熟的条件下，具有原理新颖简单、设计灵活方便、实用性强的特点。