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公开(公告)号:CN114195485A
公开(公告)日:2022-03-18
申请号:CN202111633379.6
申请日:2021-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及电子信息材料及其器件技术领域,尤其涉及一种低损耗氟氧化物微波介质陶瓷及其制备方法。这种微波介质陶瓷的表达式为MgTiO2F2。本申请中,提供了一种物相稳定单一,无第二相存在的氟氧化物基微波介质陶瓷,其相对介电常数εr为13.5~14.7,品质因数Qf为132850~150500GHz,谐振频率温度系数为–42~–56ppm/℃。本申请的微波介质陶瓷兼具较低相对介电常数以及较高的品质因数,在微波通讯系统无源器件中有非常广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN114105642A
公开(公告)日:2022-03-01
申请号:CN202111633420.X
申请日:2021-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/553 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/634
Abstract: 本发明涉及电子信息材料及其器件技术领域,尤其涉及一种MgF2陶瓷材料作为超低介微波介质陶瓷的应用。本发明提供了MgF2陶瓷材料作为微波介质陶瓷的应用思路,MgF2陶瓷材料同时具备较高的热导率和超低的介电常数(4.60–4.70),解决了现有微波介质中陶瓷基材料的介电常数高、高分子基FR4热导率低的问题。而且MgF2陶瓷材料介电常数与商用的高分子基FR4板接近,同时具有FR4板不能比拟的超低介电损耗(Qf=85983–103086GHz),在未来毫米波通讯领域具有十分重大的应用前景。
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公开(公告)号:CN111187062B
公开(公告)日:2022-03-01
申请号:CN202010045173.0
申请日:2020-01-13
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/22 , C04B35/453 , C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开一种CaSnSiO5‑K2MoO4基复合陶瓷微波材料及其制备方法,该复合陶瓷的化学通式可以写成(1‑x)CaSnSiO5‑xK2MoO4,其中x为质量百分含量(x=20,30,35,40,50,60,70,80,90wt%)。CaSnSiO5‑K2MoO4基复合陶瓷微波材料的介电常数(εr)范围为6.764~9.785,品质因数Qf数值的范围为2791GHz~11395GHz,谐振频率温度系数τf的范围为‑54.2ppm/℃~+22ppm/℃。该复合材料在微波射频系统(例如5G/6G通讯系统)中可以作为基片、谐振天线等器件材料使用。
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公开(公告)号:CN110028964B
公开(公告)日:2022-01-11
申请号:CN201910297158.2
申请日:2019-04-15
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C09K11/73
Abstract: 本发明公开了一种镝‑硅增效的白光LED用磷灰石结构蓝光荧光粉及制备方法,该荧光粉化学通式可以写成Sr5.98Ca4‑x(PO4)6‑y(SiO4)yF2:0.02Eu2+,xDy3+,其中0≤x≤0.03,0≤y≤0.03。该方法是将碳酸钙、碳酸锶、氟化钙、磷酸二氢铵、二氧化钙、氧化铕、氧化镝以一定的化学计量比称量,球磨均匀,常温干燥得到原料混合物;将原料混合物加入到坩埚中,置于高温管式炉中,在还原气氛(95%N2+5%H2)下煅烧6h,得到共混物;将共混物研磨、过筛,得到粉体;将过筛后的粉体依次酸洗、碱洗、水洗,直至粉体洗至中性;离心分层、过滤、烘干,得到白光LED灯用蓝色荧光粉。本发明白光LED用的蓝色荧光粉,具有发光亮度高、色纯度好、发光效率高、激发波长范围广、可被紫外芯片良好激发等特点。
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公开(公告)号:CN113387695A
公开(公告)日:2021-09-14
申请号:CN202110638989.9
申请日:2021-06-08
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/44 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了5G通信用低介高品质微波介质陶瓷及其制备方法,方法包括:(1)将纯度为99.99%的原料Co2O3和Al2O3按摩尔比1:2进行配料;(2)将配料、球磨锆球、无水乙醇进行湿法球磨,得到泥浆状原料;(3)将泥浆状原料烘干至恒重,得到干燥的混合料;(4)将混合料过筛分散,后预烧,制得CoAl2O4粉体;(5)将的CoAl2O4粉体加入无水乙醇,研磨分散,形成CoAl2O4浆料;(6)将CoAl2O4浆料烘干至恒重,得到CoAl2O4化合物粉末;(7)将CoAl2O4化合物粉末过筛,取筛下料加入聚乙烯醇溶液,混合均匀后将粉料颗粒过筛,取筛下料压制成圆柱体生坯;(8)将圆柱体生坯置于高温炉中升温,以进行排胶处理;(9)将排胶处理后的圆柱体生坯进行烧结处理,得到CoAl2O4微波介质陶瓷。
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公开(公告)号:CN110183227B
公开(公告)日:2021-09-10
申请号:CN201910353613.6
申请日:2019-04-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种Li2MoO4‑Mg2SiO4基复合陶瓷微波材料及其制备方法,该复合陶瓷的化学通式可以写成xLi2MoO4‑(1‑x)Mg2SiO4,其中x=10,50,70,80,85,90或95wt%。该方法首先将氧化镁和二氧化硅以一定的化学计量比称量,球磨均匀,干燥,预烧得到Mg2SiO4。然后将制备好的Mg2SiO4与Li2MoO4原料以一定的重量比称量,加入15wt%的去离子水,混合均匀,将混合物在200℃,500MPa下热压60分钟,并在120℃下干燥24小时以除去残留的水分,得到超低温冷烧结xLi2MoO4‑(1‑x)Mg2SiO4复合陶瓷材料。相比于传统高温固相烧结(常常高于1000℃以上),该方法烧结温度在室温到200℃之间,工艺简单,节约能源并可广泛应用于Li2MoO4‑Mg2SiO4复合陶瓷基片生产。
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公开(公告)号:CN113213911A
公开(公告)日:2021-08-06
申请号:CN202110669419.6
申请日:2021-06-16
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/447 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本发明提供了一种微波介质陶瓷材料及其制备方法,涉及无线移动通讯与射频电子电路系统用电子陶瓷元器件与材料技术领域。该微波介质陶瓷材料为一种掺杂有Zn2+和Ni2+的磷酸镁锂晶体结构材料。该材料有着优良微波介电性能:微波介质陶瓷材料的该体系陶瓷在烧结温度范围在850℃‑950℃,相对介电常数(εr)范围:6.88~7.13,品质因数(Q×f值)范围:78900GHz~153500GHz,谐振频率温度系数(τf)范围:‑59.51ppm/℃~‑53.25ppm/℃。该体系复合陶瓷材料可以作为5G/6G等射频与高频无线通讯电子电路系统作为谐振器、滤波器、微带线、天线基板等电子元器件材料,起到信号与能量变换、传输与隔离作用。
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公开(公告)号:CN109216673B
公开(公告)日:2020-12-29
申请号:CN201810944777.1
申请日:2018-08-19
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/583 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开一种磷酸铁锂/多层石墨烯复合材料及其制备方法和应用其的锂离子电池,包括以下步骤:步骤S1,制备氧化铁/多层石墨烯复合材料;步骤S2,将氧化铁/多层石墨烯复合材料中的氧化铁转化为磷酸铁锂,形成磷酸铁锂/多层石墨烯复合材料。采用本发明的技术方案,能够在柔性多层石墨烯表面制备磷酸铁锂且磷酸铁锂的粒径较小,主要在100至200纳米之间,从而解决磷酸铁锂不能弯曲、导电率差的问题,适合用于柔性锂离子电池。
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公开(公告)号:CN108249482B
公开(公告)日:2020-08-04
申请号:CN201711467134.4
申请日:2017-12-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01G49/06 , B82Y40/00 , H01F1/11 , H01F1/36 , H01G11/36 , H01G11/46 , B82Y30/00 , H01M4/36 , H01M4/48 , H01M4/583 , H01M10/0525
Abstract: 本发明实施例公开了一种磁性Fe2O3纳米颗粒的制备方法及其与纳米碳材料复合的方法,其中一种磁性Fe2O3纳米颗粒的制备方法,包括以下步骤:量取体积比为8:2‑9:1的DMF和蒸馏水,混合后作为混合溶剂,两者体积和作为混合溶剂体积用于计算;称取质量比为1:2‑1:5的四水合氯化亚铁和无水乙酸钠,以及与四水合氯化亚铁质量比为5:1‑5:10的十二烷基硫酸钠,加到混合溶剂中,磁力搅拌5‑10分钟,将溶液倒入水热反应釜,在反应釜中填充度为20%‑50%,在100℃‑130℃温度下保温1‑3小时后冷却至室温;取出反应物用酒精和蒸馏水进行离心清洗各3次,得到磁性γ‑Fe2O3纳米颗粒材料。
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公开(公告)号:CN111244423A
公开(公告)日:2020-06-05
申请号:CN202010061315.2
申请日:2020-01-19
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种NiO包覆ZnSnO3立方体复合材料的制备方法,包括:S11.将氯化锌和一水柠檬酸溶于去离子水中,搅拌形成均匀溶液,将五水四氯化锡溶于乙醇的溶液,将溶于乙醇的溶液加入均匀溶液中,将NaOH溶液加入均匀溶液中得到第一溶液,将第一溶液冲洗至澄清,得到第一沉淀物,并过滤、干燥12h,得到第一前驱体粉末;S12.将第一前驱体粉末煅烧2-6h,得到ZnSnO3纳米立方体;S13.将ZnSnO3纳米立方体超声0.5-2h,再搅拌0.5h,加入尿素和六水硝酸镍,搅拌15min,得到第二溶液;S14.将第二溶液转移至高压反应釜的聚四氟乙烯内衬中反应10-16h,冲洗至澄清,得到第二沉淀物;将第二沉淀物进行过滤、干燥12h,得到第二前驱体粉末;S15.第二前驱体粉末煅烧1-5h,得到NiO包覆ZnSnO3立方体的复合材料。
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