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公开(公告)号：CN106299110B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201510319379.7
申请日：2015-06-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于非易失性存储器技术领域，提供了一种可降低写操作电压的非易失性存储元件及制造方法。本发明的非易失性存储元件，包括：倒锥状第一电极；存储介质层，其包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分贴附在倒锥状第一电极的外侧面上，所述第二部分与所述倒锥状第一电极的外侧面非平行设置以至于与所述第一部分连接并形成夹角；以及第二电极，其形成在所述存储介质层的第一部分与第二部分之间形成的所述夹角的内侧。本发明的非易失性存储元件通过在第一电极和第二电极之间形成存储介质层的夹角结构，写操作电压得到降低且均匀，制备简单、成本低。
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公开(公告)号：CN105336357B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201410340473.6
申请日：2014-07-17
IPC: G11C11/02
CPC classification number: G11C11/1675 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/5607 , G11C19/0808 , G11C19/0841 , G11C19/0866
Abstract: 本发明提供一种磁性存储装置，用于存取数据，其包括磁性存储轨道、第一写装置、第二写装置和驱动装置，所述第一写装置和所述第二写装置均位于所述磁性存储轨道的不同位置，所述第一写装置用于写入所述第一数据或所述第二数据，所述第一数据由磁畴的第一磁化方向表示，所述第二数据由磁畴的第二磁化方向来表示，所述第二写装置用于写入所述第三数据和所述第四数据，所述第三数据由磁畴的第三磁化方向表示，所述第四数据由磁畴的第四磁化方向来表示，所述第一磁化方向、第二磁化方向、第三磁化方向和第四磁化方向互不相同。
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公开(公告)号：CN105097007B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201410172835.5
申请日：2014-04-25
IPC: G11C11/02
Abstract: 本发明实施例提供一种磁性存储装置及方法，磁性存储装置包括：包含至少一个磁畴区的磁性存储轨道，用于存储写入的磁畴；第一写装置，用于在所述磁畴区写入磁畴；第二写装置，用于在所述磁畴区写入与所述第一写装置写入方向垂直的磁畴。能够实现多级存储，提高磁性存储装置的存储量。
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公开(公告)号：CN104464758B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201310440053.0
申请日：2013-09-24
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/09 , G11B5/02 , G11B2005/0002 , G11C11/02 , G11C11/15 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/5607 , G11C19/0808 , G11C19/0841
Abstract: 在本发明实施例中提供了一种信息存储装置及方法，该装置包括磁轨道，该磁轨道由多个磁畴组成，每个磁畴划分为至少两个磁性区；写入单元，设置于磁轨道上，通过写入单元在每个磁畴的至少两个磁性区中写入信息；读取单元，设置于磁轨道上，通过读取单元读取在每个磁畴的至少两个磁性区中写入的信息，从而实现了在磁轨道的一个磁畴中写入多个有效信息，增加了磁轨道的存储密度，提升了存储装置的存储容量。
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公开(公告)号：CN104882161B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201410072234.7
申请日：2014-02-28
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0097 , G11C2013/0066 , G11C2013/0073 , G11C2013/0092 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种电阻型随机读取存储器及其写操作方法，属于电阻型随机读取存储器(ReRAM)技术领域。该电阻型随机读取存储器，其包括至少用于生成电压逐渐下降的电信号作为置位操作信号的写操作信号生成模块；该写操作方法的置位操作中，将电压逐渐下降的电信号作为置位操作信号偏置于所述电阻型随机读取存储器中的被选中的存储单元。该置位操作方法可以提高ReRAM的耐久性(Endurance)、数据保持能力(Data Retention)和高阻值/低阻值窗口等方面的存储性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106448736A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201510476725.2
申请日：2015-08-06
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C16/26
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，涉及一种与阻值相关的读参考电流产生方法，具体涉及一种应用于用阻值高低表征逻辑值的存储器的动态读参考电流的产生方法，该动态读参考电流是通过采用一个高阻参考单元和一个低阻参考单元的读电流之和减去被读单元的读电流来产生。相比传统做法中采用一个高阻参考单元和一个低阻参考单元的读电流的平均作为读参考电流，本发明所提出的动态读参考电流能够增加被读单元的读电流与读参考电流之间的差值，有利于提高读速度和减小出错率。
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公开(公告)号：CN106297863A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610644142.0
申请日：2016-08-09
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于信息安全技术领域，具体为一种可双重预充电的PUF存储器及其密码生成方法。本发明PUF存储器包括：非挥发存储阵列，用于产生行选信号和列扫描信号的地址产生模块，地址译码模块，用于产生基准电流的基准电流模块，用于Vref调整的Vref调整模块，预充电电平包括0”和“1”的双重预充电比较模块，用于暂时存储比较结果的存储器模块，以及密码生成模块。本发明还提出比较过程中针对识别不确定单元的读操作流程。本发明针对非挥发-PUF密码生成过程中，电阻差异过小导致的比较器无法识别的现象，利用双重预充电机制确定不确定态的位置信息，并由此生成密码，无需大量循环，无需额外的NVM存储不确定位置，无需在制造阶段进行额外的不确定态筛选工作。
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公开(公告)号：CN103035283B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201110295340.8
申请日：2011-09-29
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/4063
Abstract: 一种多级温度控制自刷新存储设备，包括振荡器(101)、分频器(102)以及DRAM阵列，该设备还包括扩展模式寄存器设置(EMRS)模块(500)、选择电路(300)、多个衬底电压稳定模块(201、202、……20n)，分频器(102)将输入频率frq分频成多个输出频率Refrq1，Refreq2，…Refrqn，衬底电压稳定模块(201、202、……20n)产生DRAM保持期间的衬底电压VBB1、VBB2、……VBBn，扩展模式寄存器设置(EMRS)模块(500)通过写入编码信号Code，即外部设置码，生成选择信号Refsel，提供给选择电路(300)，选择电路模块300在扩展模式寄存器设置(EMRS)模块(500)的设置控制下从(VBB1，Refrq1)、(VBB2，Refrq2)、……(VBBn，Refrqn)中选择一组输出到DRAM阵列的刷新频率Refrq和晶体管衬底电压VBB上。
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公开(公告)号：CN103474570B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201210185390.5
申请日：2012-06-06
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供集成于集成电路的后端结构的电阻型存储器及其制备方法，属于存储器技术领域。该电阻型存储器集成在后端结构中，对用于形成垂直电极的通孔，通孔周围的介质层被部分地水平横向刻蚀以形成一个或多个水平沟槽，水平沟槽被用来定义形成存储功能层，并且在所述水平沟槽中依次形成用于形成肖特基二极管的半导体层、金属水平电极。该电阻型存储器实现了三维的堆叠排列、密度高、制备效率高、成本低、功耗低的特点。
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公开(公告)号：CN102867541B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201110188458.0
申请日：2011-07-05
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/413 , G11C29/42
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，提出一种减少漏电流的静态存储器SRAM系统，包括读写电路、ECC检错纠错电路、电压调节器、偏压管和存储单元阵列，电压调节器控制偏压管降低或增加存储单元阵列的电源电压；读写电路，用于当电源电压恢复到active模式，读取存储单元阵列内容，并将内容发送到ECC检错纠错电路；ECC检错纠错电路，用于检错纠错，并将改正后的值通过读写电路写回存储单元阵列。本发明采用ECC检测处于standby模式下SRAM各个阵列的单元值，在保证hold不出错的情况下尽可能降低阵列的电源电压或者抬高阵列的地线电压，以尽可能降低漏电，实现极低功耗。
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