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公开(公告)号：CN110928524A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911241117.8
申请日：2019-12-06
Applicant: 南方科技大学
IPC: G06F7/58
Abstract: 本发明公开了一种伪随机信号发生器，包括：信号输入端，用于输入时钟信号；传输模块，与所述信号输入端连接，用于分流放大所述时钟信号；信号产生模块，与所述传输模块连接，用于接收模式切换信号并根据所述模式切换信号和所述时钟信号产生伪随机信号；信号输出模块，与所述信号产生模块连接，用于输出伪随机信号。本发明提供的一种伪随机信号发生器，通过优化核心电路逻辑架构解决了现有技术中数据传输延迟高、工作速率低、电路功耗高的问题，实现了缩短数据传输延迟进而提高工作速率，并且在需要特定码元信号的情况下，可以切换模式任意产生多种不同的高速伪随机信号源的效果。
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公开(公告)号：CN110739348A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201911026043.6
申请日：2019-10-25
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/20 , H01L29/78
Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体外延结构、制备方法结构及半导体器件，该半导体外延结构的制备方法包括：提供衬底；在衬底的上方形成沟道层；在沟道层的上方形成第一势垒层，第一势垒层包括栅极区和位于栅极区两侧的生长区；在第一势垒层包括的栅极区的上方形成介电掩膜层；在第一势垒层包括的生长区的上方形成第二势垒层，第二势垒层的厚度大于介电掩膜层的厚度。本发明实施例的技术方案，简化了制备半导体外延结构工艺步骤，达到了适合量产的技术效果。
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公开(公告)号：CN110504937A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910797254.3
申请日：2019-08-27
Applicant: 南方科技大学 , 苏州晶湛半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器结构及其制备方法。其中，方法包括：提供衬底，在衬底一侧形成缓冲层，在缓冲层上制作牺牲层，在牺牲层上形成第一电极。通过反应磁控溅射的方法在缓冲层、牺牲层和第一电极上沉积氮化铝层，在氮化铝层上形成第二电极，去除牺牲层，形成空腔。本发明提供的薄膜体声波谐振器结构及其制备方法，实现了大带宽和低损耗的薄膜体声波谐振器。
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公开(公告)号：CN110492860A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910796382.6
申请日：2019-08-27
Applicant: 南方科技大学 , 苏州晶湛半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制造方法。其中，方法包括：提供过渡基板，并在过渡基板上沉积氮化铝材料；对氮化铝材料进行退火处理，形成氮化铝层；在氮化铝层上形成第一电极；提供具有空腔的衬底，将氮化铝层靠近第一电极的一侧与衬底具有空腔的一侧键合，第一电极位于空腔内；去除过渡基板；在氮化铝层远离第一电极的一侧制备第二电极。本发明提供的薄膜体声波谐振器及其制造方法，大大提升了薄膜体声波谐振器中氮化铝材料的晶体质量。
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公开(公告)号：CN109904239A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910207527.4
申请日：2019-03-19
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L29/868 , H01L29/24 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种PIN二极管及其制备方法，所述PIN二极管包括依次层叠的第一电极、衬底、外延层、p型材料层和第二电极；其中，所述衬底为n型高掺杂的氧化镓衬底；所述外延层为n型低掺杂的氧化镓外延层。利用p型材料层、外延层以及衬底组成异质结，从而解决了现有的氧化镓材料由于很难实现p型掺杂而用于制作半导体器件时伴随的高技术难度以及高成本的问题。且由于氧化镓材料具有优异的半导体特性，制作出的PIN二极管在高频电子器件等领域具有重要的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109888002A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910135385.5
申请日：2019-02-22
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供了一种具有超级结栅结构的常关型氮化镓场效应管及制造方法，该常关型氮化镓场效应管包括半导体基底、氮化镓衬底、氮化镓沟道层、氮化镓铝势垒层、钝化层、第一栅介质层、第二栅介质层、控制栅、源极和漏极，第一栅介质层和所述第二栅介质层形成超级结接触。本发明的有益效果是：本发明的常关型氮化镓场效应管的栅极包含一个超级结。具体的栅结构包含第一栅介质层和第二栅介质层。其中第一栅介质层可将沟道中的电子耗尽，实现常关型接触。第二栅介质层在第一栅介质层之上，和第一栅介质层形成超级结接触。该超级结可以增大p型栅的耐压，并减小栅极漏电。更重要的是，该超级结具有雪崩击穿或者齐纳击穿能力，显著提高栅极可靠性。
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公开(公告)号：CN109860290A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910088126.1
申请日：2019-01-29
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/36 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明实施例公开了一种高电子迁移率晶体管及其制作方法。其中高电子迁移率晶体管包括衬底；设置于衬底一侧依次层叠的应力缓冲层和外延层；设置于外延层背离衬底一侧的源极、漏极以及p型栅极层；设置于p型栅极层背离衬底一侧依次层叠的n型表面盖层、p型表面盖层以及栅极；其中，p型表面盖层中掺杂物的掺杂浓度小于p型栅极层中掺杂物的掺杂浓度。本发明实施例的技术方案，有效提高器件的栅极开启电压、栅极耐击穿电压、栅极输入电压摆幅以及栅极输入阻抗，使得器件的稳定性和可靠性得以改善。
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公开(公告)号：CN109786455A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910085945.0
申请日：2019-01-29
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/47 , H01L21/335
Abstract: 本发明实施例公开了一种高电子迁移率晶体管及其制作方法。其中高电子迁移率晶体管包括衬底；设置于衬底一侧依次层叠的应力缓冲层和外延层；设置于外延层背离衬底一侧的源极、漏极以及p型栅极层；设置于p型栅极层背离衬底一侧依次层叠的p型表面盖层以及栅极；其中，p型表面盖层中掺杂物的掺杂浓度恒定且小于p型栅极层中掺杂物的掺杂浓度。本发明实施例的技术方案，有效提高器件的栅极开启电压、栅极耐击穿电压、栅极输入电压摆幅以及栅极输入阻抗，使得器件的稳定性和可靠性得以改善。
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公开(公告)号：CN108598154A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810507252.1
申请日：2018-05-24
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L29/41 , H01L21/336 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种增强型氮化镓晶体管及其制备方法。该晶体管包括：基底，基底包括源区和漏区，以及位于源区和漏区之间的栅区；氮化镓调制栅，位于栅区，氮化镓调制栅包括掺杂P型离子的氮化镓材料；源极及漏极，源极位于源区，漏极位于漏区；栅极金属层，位于氮化镓调制栅的远离基底的表面上，栅极金属层至少包括镧系金属层，镧系金属层与氮化镓调制栅接触。本发明实施例提供的增强型氮化镓晶体管，通过在氮化镓调制栅远离基底的一侧设置镧系金属层，并使镧系金属层与氮化镓调制栅接触，在增强型氮化镓晶体管工作时，需要提供更高的电压才能使源极和漏极之间的沟道导通，因此，提高了增强型氮化镓晶体管的栅极阈值电压，减少了栅极漏电流。
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公开(公告)号：CN104779205B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201410018922.5
申请日：2014-01-15
Applicant: 南方科技大学 , 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/8232 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种集成不同厚度金属层以调节功函数的方法，包括：淀积第一厚度的金属层进行掩膜，刻蚀未被掩膜遮盖区域的部分金属层；去除掩膜.通过两次掩膜和两次刻蚀,可在同一硅片上形成三个不同的金属层厚度从而实现同一硅片上不同功函数的调节，以满足器件不同性能的要求。
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