公开(公告)号：CN115020469A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210573412.9

申请日：2022-05-25

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 化梦媛 ,  陈俊廷

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明公开了一种外延结构、P型晶体管、集成电路以及电源管理芯片，其中外延结构包括基体以及在基体上形成的垂直堆叠结构，所述垂直堆叠结构包括依次层叠的第一P型区、P型沟道区以及第二P型区，所述第二P型区的一侧表面与所述基体的一侧表面接触；通过上述垂直堆叠的第一P型区、P型沟道区以及第二P型区的外延结构中，P型沟道区可以在不受光刻工艺的限制下，将沟道长度锐减至纳米范围。此外还可以通过调节P型沟道区掺杂浓度，实现对具有上述外延结构的常关型P型晶体管阈值电压的自由调控。

公开(公告)号：CN117199134A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311128458.0

申请日：2023-08-31

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 化梦媛 ,  陈俊廷

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/34 ,  H01L29/06 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明公开了一种具有P型埋层的氧化镓晶体管结构及其制备方法，所述晶体管结构包括由下至上依次设置的衬底层、P型埋层、导电层和介质层；P型埋层位于衬底层的顶部，P型埋层和衬底层的上端均贴合导电层的下端；导电层上设有源极、栅极和漏极，源极穿过导电层和介质层与P型埋层相连；漏极穿过介质层与导电层相连；源极和漏极与导电层形成欧姆接触，栅极与介质层形成肖特基接触。通过衬底层和导电层之间设置P型埋层，将栅极靠近漏极边缘聚集的电场重新分布，从而有效提升氧化镓晶体管结构的耐压能力；通过设置衬底层和导电层，提升氧化镓晶体管结构的底部散热能力。

公开(公告)号：CN112670340A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011463725.6

申请日：2020-12-14

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 化梦媛 ,  陈俊廷

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种P型栅HEMT器件。包括：由下至上依次设置有衬底、缓冲层、沟道层、势垒层；第一P型材料层设置在势垒层上，第一源极和第一漏极设置在第一P型材料层两侧；第一导电层设置在第一P型材料层上；第二P型材料层与第一P型材料层连接；第二导电层连接第二P型材料层；第三导电层连接第二P型材料层；第一P型材料层、第一源极、第一漏极和第一导电层用于构成常关型N沟道晶体管；第二P型材料层、第二导电层和第三导电层用于构成常开型P沟道晶体管。通过在GaN HEMT的基础上设置P沟道常开型晶体管,增大了阈值电压和其调节范围，且消除了原P型栅GaN HEMT栅区中的P型材料层中，由等效电荷总量变化所引入的阈值漂移。

公开(公告)号：CN109888002A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201910135385.5

申请日：2019-02-22

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 化梦媛 ,  曾凡明 ,  于洪宇 ,  程凯

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供了一种具有超级结栅结构的常关型氮化镓场效应管及制造方法，该常关型氮化镓场效应管包括半导体基底、氮化镓衬底、氮化镓沟道层、氮化镓铝势垒层、钝化层、第一栅介质层、第二栅介质层、控制栅、源极和漏极，第一栅介质层和所述第二栅介质层形成超级结接触。本发明的有益效果是：本发明的常关型氮化镓场效应管的栅极包含一个超级结。具体的栅结构包含第一栅介质层和第二栅介质层。其中第一栅介质层可将沟道中的电子耗尽，实现常关型接触。第二栅介质层在第一栅介质层之上，和第一栅介质层形成超级结接触。该超级结可以增大p型栅的耐压，并减小栅极漏电。更重要的是，该超级结具有雪崩击穿或者齐纳击穿能力，显著提高栅极可靠性。

公开(公告)号：CN118571916A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410249845.8

申请日：2024-03-05

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 化梦媛 ,  汤金金

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L27/07 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种P沟道器件及其集成电路，所述P沟道器件由下至上依次设置有第一N型材料层，第二源极设置在第一N型材料层上；P型沟道层，P型沟道层设置在第一N型材料层上；P型沟道层上设有凹槽和第一源极，栅介质层位于凹槽的上方，第一栅极设置在栅介质层上；第二N型材料层，第二N型材料层位于P型沟道层上，第一漏极设置在第二N型材料层上。通过设置第一N型材料层、P型沟道层和第二N型材料层并构成P沟道器件，便于P沟道器件获得并维持P型工作逻辑，有效提高P沟道器件的电流密度，简化P沟道器件结构的同时也降低了P沟道器件的制备难度。

公开(公告)号：CN112670340B

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202011463725.6

申请日：2020-12-14

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 化梦媛 ,  陈俊廷

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种P型栅HEMT器件。包括：由下至上依次设置有衬底、缓冲层、沟道层、势垒层；第一P型材料层设置在势垒层上，第一源极和第一漏极设置在第一P型材料层两侧；第一导电层设置在第一P型材料层上；第二P型材料层与第一P型材料层连接；第二导电层连接第二P型材料层；第三导电层连接第二P型材料层；第一P型材料层、第一源极、第一漏极和第一导电层用于构成常关型N沟道晶体管；第二P型材料层、第二导电层和第三导电层用于构成常开型P沟道晶体管。通过在GaN HEMT的基础上设置P沟道常开型晶体管,增大了阈值电压和其调节范围，且消除了原P型栅GaN HEMT栅区中的P型材料层中，由等效电荷总量变化所引入的阈值漂移。

公开(公告)号：CN113871479A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111043216.2

申请日：2021-09-07

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 化梦媛

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

Abstract: 本申请涉及一种晶体管结构及其制备方法，包括栅极结构；栅极结构包括由下至上依次叠置的栅极、顶栅介质层及栅电极，且所述栅极与所述顶栅介质层相接触，所述顶栅介质层与所述栅电极相接触。本申请提供的晶体管结构通过在栅极的上层引入顶栅介质层，将原本应位于栅极上表面的峰值电场埋入顶栅介质层与栅极之间，避免半导体器件制备工艺过程对栅极上表面的影响，从而改善栅极的可靠性，提升半导体器件制备工艺的兼容性，简化半导体器件制备的工艺流程。