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公开(公告)号：CN102608510A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210017659.9
申请日：2012-01-19
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种晶体硅太阳电池少子寿命的快速测定方法，通过使用电致发光技术，实现快速测定晶体硅太阳电池的少子寿命，包括步骤：在标准晶体硅太阳电池上施加正向偏置电压U0，得到标准晶体硅太阳电池的电致发光图像，测量标准晶体硅太阳电池的电致发光强度ILs；通过关系式以及标准晶体硅太阳电池的平均少子寿命τns，得到系数A；在晶体硅太阳电池上施加正向偏置电压U0，得到晶体硅太阳电池的电致发光图像，测量晶体硅太阳电池的发光强度IL；通过关系式以及系数A，得到晶体硅太阳电池的平均少子寿命τn以及太阳电池上某一选定区域内的少子寿命面分布。
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公开(公告)号：CN102148287A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201110004393.X
申请日：2011-01-11
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0232
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种半导体探测器技术领域的针对远红外探测器的谐振腔的制备方法，通过确定同质结功函数内光发射远红外探测器及其结构和材料参数，优化底部反射镜参数，并根据优化后的底部反射镜参数优化顶部反射镜参数；用分子束外延生长谐振增强远红外探测器的主体结构和底部反射镜，用添加牺牲层的方法腐蚀出周期性金字塔结构并结合倒立安装的方法得到倒金字塔结构的顶部反射镜。本发明克服远红外探测器的量子效率普遍偏低的不足，极大的提高了该探测器的量子效率。
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公开(公告)号：CN102110740A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010553994.1
申请日：2010-11-23
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种太阳电池技术领域的定向凝固多晶硅太阳电池的两次热处理方法，通过对硅片先进行预处理后依次进行预热处理和第二道次热处理，并经酸洗后用于太阳电池制作。本发明借助红外光谱技术，利用氧在热处理过程中形成的适量沉淀能够吸除金属杂质的特点，有针对性地选择定向凝固多晶硅锭底部材料，以达到提高多晶硅太阳电池效率的目的。
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公开(公告)号：CN101697365A
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200910309228.8
申请日：2009-11-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/101 , H01L31/0232
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种半导体技术领域的谐振增强远红外探测器的制备方法，包括：确定要生长的探测器类型和反射镜的结构：探测器的类型是同质结内光发射探测器，顶部反射镜是由空气与探测器形成的界面，而底部反射镜是在远红外波段反射率高且相位匹配的反射镜；利用菲涅尔系数矩阵和介电函数模型，通过数值计算得到腔体内的量子效率，通过使谐振腔内的量子效率最大化，得到优化的探测器和底部反射镜的结构参数和材料参数；根据得到优化的参数，用分子束外延法生长谐振增强远红外探测器。本发明克服远红外探测器的量子效普遍偏低的不足，大大得提高该探测器的量子效率。
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公开(公告)号：CN100456503C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200610117889.7
申请日：2006-11-02
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种半导体光电探测技术领域的半导体无像元远红外上转换成像装置制造方法。步骤如下：(1)确定探测器类型为探测中心波长在60微米的同质结内光发射远红外探测器，发光二极管类型为发射光波长在硅电荷耦合器件响应波长范围内的近红外发光二极管；(2)利用频谱分析方法分别对探测器及发光二极管列出连续性方程，通过求解连续性方程得到上转换成像效率及调制传递函数，通过考察上转换成像效率及成像性能，得到优化的器件结构；(3)用分子束外延装置先生长远红外探测器结构，接着在探测器上生长近红外发光二极管结构，得到半导体远红外无像元上转换成像装置。本发明大大降低了探测成像的成本，可实现更长波长光的上转换成像。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100449713C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200610147220.2
申请日：2006-12-14
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/329
Abstract: 本发明涉及的是一种半导体材料技术领域的量子逻辑器件的隧穿二极管制备方法。包括如下步骤：①用气相外延方法生长单晶硅薄膜和用等离子增强化学气相沉积方法生长硅量子点薄膜；②利用半导体量子输运方法对硅量子点共振隧穿二极管器件的隧穿电流特性进行模拟，进一步调节该二极管的隧穿电流折叠特性；③用气相外延装置先在重掺杂p型单晶硅衬底上生长p型单型硅薄膜，接着在其上生长n型硅量子点薄膜，得到硅量子点共振隧穿二极管器件。本发明可实现从单稳态到双稳态的转变，并提高双稳态双峰间距，降低阈值电压，提高了逻辑器件的噪声容限，能够提高电路的稳定工作能力。
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公开(公告)号：CN101299434A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810039185.1
申请日：2008-06-19
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L27/148 , H01L21/82
Abstract: 一种半导体光电探测技术领域的双光子无源红外上转换成像器件制造方法。步骤如下：(1)确定双光子无源红外上转换成像器件为金属金－宽带隙半导体－窄带隙半导体－宽带隙半导体－金属金的结构，选择不同的半导体材料结构实现不同波长的双光子无源上转换，确定宽带隙半导体和窄带隙半导体的材料结构参数；(2)用分子束外延方法先生长无源上转换半导体器件结构，然后在器件结构上下表面分别沉积金膜，即可得到双光子无源红外上转换成像器件。本发明可对波长达几个微米的红外光进行无源上转换成像，大大降低了红外探测成像的成本，而且工艺简单，应用方便。
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公开(公告)号：CN100415953C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200610119251.7
申请日：2006-12-07
Applicant: 上海交通大学
IPC: C30B33/10
Abstract: 本发明公开了一种单晶InP方形纳米孔阵列的制备方法，属于纳米技术领域。本发明利用两步化学刻蚀方法，包括电化学刻蚀过程和无电湿法刻蚀过程，首先为电化学刻蚀过程，包括InP单晶片样品的准备、电抛光和多孔阵列刻蚀，其后为无电湿法刻蚀过程，包括湿法择优腐蚀和超声波清洗，最终获得单晶InP方形纳米孔阵列。利用本发明方法，实现了在Sn掺杂n型(100)面InP单晶样品制备均匀有序的单晶InP方形纳米孔阵列。
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公开(公告)号：CN100378254C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200510025946.4
申请日：2005-05-19
Applicant: 上海交通大学
IPC: C25D11/04
Abstract: 一种属于材料制备技术领域的厚度可控、自由独立超薄多孔氧化铝模板的制备方法，本发明利用电化学方法对铝片进行第一次电解，然后去除第一次阳极氧化形成的多孔氧化铝层，通过控制第二次电解的电解电流和电解时间实现多孔氧化铝模板厚度的控制，以饱和硫酸铜和盐酸混合溶液为腐蚀液，结合一个简单的滤网，去除未被氧化的铝从而得到自由独立的超薄氧化铝模板，进一步用磷酸去除位于模板底部的阻碍层即可得到双通自由独立的超薄氧化铝模板。本发明由于厚度可控并且高度有序，这种自由独立的超薄多孔氧化铝模板不仅有望在各种纳米结构材料的制备中得到广泛应用，并且在过滤材料、表面防腐、催化剂载体和生物陶瓷材料等领域有潜在应用。
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公开(公告)号：CN101000874A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200610147220.2
申请日：2006-12-14
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/329
Abstract: 本发明涉及的是一种半导体材料技术领域的量子逻辑器件的隧穿二极管制备方法。包括如下步骤：①用气相外延方法生长单晶硅薄膜和用等离子增强化学气相沉积方法生长硅量子点薄膜；②利用半导体量子输运方法对硅量子点共振隧穿二极管器件的隧穿电流特性进行模拟，进一步调节该二极管的隧穿电流折叠特性；③用气相外延装置先在重掺杂p型单晶硅衬底上生长p型单型硅薄膜，接着在其上生长n型硅量子点薄膜，得到硅量子点共振隧穿二极管器件。本发明可实现从单稳态到双稳态的转变，并提高双稳态双峰间距，降低阈值电压，提高了逻辑器件的噪声容限，能够提高电路的稳定工作能力。
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