公开(公告)号：CN102110740B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201010553994.1

申请日：2010-11-23

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 沈文忠 ,  方昕

IPC: H01L31/18 ,  C30B33/02

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种太阳电池技术领域的定向凝固多晶硅太阳电池的两次热处理方法，通过对硅片先进行预处理后依次进行预热处理和第二道次热处理，并经酸洗后用于太阳电池制作。本发明借助红外光谱技术，利用氧在热处理过程中形成的适量沉淀能够吸除金属杂质的特点，有针对性地选择定向凝固多晶硅锭底部材料，以达到提高多晶硅太阳电池效率的目的。

公开(公告)号：CN102110740A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN201010553994.1

申请日：2010-11-23

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 沈文忠 ,  方昕

IPC: H01L31/18 ,  C30B33/02

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种太阳电池技术领域的定向凝固多晶硅太阳电池的两次热处理方法，通过对硅片先进行预处理后依次进行预热处理和第二道次热处理，并经酸洗后用于太阳电池制作。本发明借助红外光谱技术，利用氧在热处理过程中形成的适量沉淀能够吸除金属杂质的特点，有针对性地选择定向凝固多晶硅锭底部材料，以达到提高多晶硅太阳电池效率的目的。