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公开(公告)号：CN114220854A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111564339.0
申请日：2021-12-20
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本申请提供了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，其中，该晶体管包括：绝缘衬底上的硅SOI晶圆片，SOI晶圆片包括依次设置的第一外延层、第二外延层、第一氧化层；间隔设置在第一氧化层中的集电区和短路区，以及设置在第一氧化层不与第二外延层接触的一面的第一金属层，形成的逆导型绝缘栅双极型晶体管的集电极结构。通过本申请，解决了现有技术中传统逆导型IGBT存在的工艺复杂且漏电流大的技术问题。
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公开(公告)号：CN113745195A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111158561.0
申请日：2021-09-30
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/532 , H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 本申请涉及一种半导体芯片及半导体芯片的制作方法，其中，所述半导体芯片包括：晶圆、层间介质、缓冲层和金属层；所述晶圆的顶部淀积有所述层间介质；所述层间介质的顶部淀积有所述缓冲层；所述缓冲层的顶部镀有所述金属层。本申请用以解决现有技术中因应力的影响导致芯片的性能降低的问题。
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公开(公告)号：CN113640644A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110845639.X
申请日：2021-07-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本申请涉及一种功率芯片缺陷检测方法、系统、设备及存储介质，涉及芯片测试领域。该功率芯片缺陷检测方法包括：对功率芯片进行电流测试，获得测试结果，其中，电流测试中施加到功率芯片上的测试电流大于功率芯片的额定电流，根据测试结果，检测出有缺陷的功率芯片。本申请用以解决通过晶圆测试和成品测试对功率芯片的缺陷检测不准确的问题。
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公开(公告)号：CN113497158A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202010266554.1
申请日：2020-04-07
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/868 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种快恢复半导体器件及其制作方法，制作方法包括以下步骤：提供一半导体基底，半导体基底包括第一导电类型漂移区；在漂移区之上形成氧化层，氧化层在漂移区中界定出有源区和位于所述有源区区域外围的终端耐压结构区；自漂移区上表面注入能量范围为100KEV～150KEV的第二导电类型离子，以在漂移区形成第二导电类型阱区；对第二导电类型阱区进行推结到指定深度；在所述终端耐压结构区边缘远离主结第二导电类型增强区一侧形成第一导电类型截止环。本发明通过采用高能量离子进行注入的工艺，可同时完成第二导电类型阱区的注入与第一导电类型漂移区缺陷的引入，降低了少子寿命，从而改善了反向恢复特性，提高了软度因子，并降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN113394278A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202010167943.9
申请日：2020-03-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本公开提供一种逆导型IGBT及其制备方法。该逆导型IGBT包括第一导电类型衬底；位于所述衬底上方的第一导电类型漂移层；其中,所述漂移层包括元胞区和位于所述元胞区周围的终端区，所述终端区包括设置于所述漂移层表面内的第一导电类型截止环区和位于所述元胞区与所述截止环区之间的第二导电类型JTE区；位于所述衬底下方的第二导电类型集电区和与所述集电区相邻接的第一导电类型短路区；其中，所述短路区与所述JTE区对齐，以使所述JTE区、所述漂移层、所述衬底和所述短路区构成快速恢复二极管。该结构使得元胞区的背面即元胞区对应的衬底下方全是集电极区，有效的抑制了逆导型IGBT的回跳现象，而且可另外采用局域寿命控制的方法进行二极管参数的优化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113363330A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202010151123.0
申请日：2020-03-05
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/47 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种肖特基半导体器件及其制作方法，所述器件包括：位于衬底上的第一导电类型外延层，位于第一导电类型外延层中的第二导电类型增强区，位于第一导电类型外延层之上的纳米结构层，位于纳米结构层之上的肖特基金属。所述制作方法的步骤包括：在衬底上形成第一导电类型外延层，在第一导电类型外延层上形成第二导电类型增强区，在第一导电类型外延层之上形成纳米结构层，在纳米结构层之上制备肖特基金属。本发明通过在肖特基金属和外延层之间设置一层具有量子点结构的纳米结构层来调节能带宽度，并改变态密度的电性，从而提高了肖特基势垒。同时肖特基势垒高阻碍了载流子的反向流动，降低了肖特基半导体器件的反向漏电。
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公开(公告)号：CN113113315A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202010031012.6
申请日：2020-01-13
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本发明涉及功率模块的领域，公开一种防止智能功率模块溢胶的方法，包括：提供一正面和背面均形成有金属层的DBC基板；将引线框架与DBC基板正面的金属层连接，且在DBC基板背面的金属层一侧形成保护膜；将形成有保护膜的DBC基板与所述引线框架注塑成型以形成模块；由于在DBC基板的背面金属层形成有保护膜，使得在将形成有保护膜的DBC基板与所述引线框架注塑成型以形成模块时，对DBC基板的背面金属层进行保护，使得在注塑成型形成模块的过程中，不会有注塑成型中胶体物质与DBC基板的背面金属层接触，从而保证了DBC基板的背面金属层的正常工作，提高了功率模块的散热性能。
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公开(公告)号：CN113053750A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911375713.5
申请日：2019-12-27
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本公开提供了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域，所述方法包括：在衬底上依次形成叠置的多个外延层，每个外延层和所述衬底具有第一导电类型，每个外延层包括掺杂区，相邻的外延层中的所述掺杂区彼此邻接，其中：形成每个外延层包括：对外延层进行掺杂以形成初始掺杂区，所述初始掺杂区具有与第一导电类型不同的第二导电类型；执行退火，以使得所述初始掺杂区变为中间掺杂区；对所述中间掺杂区的边缘部分进行刻蚀，以形成贯穿所述中间掺杂区的沟槽，所述中间掺杂区的剩余部分作为所述掺杂区；和在所述沟槽中形成填充材料。
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公开(公告)号：CN112992821A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911285690.9
申请日：2019-12-13
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L21/50 , H01L21/603
Abstract: 本发明涉及一种芯片封装结构及其封装方法，包括壳体以及伸入所述壳体内部的管脚，所述壳体内部一侧固定设置有芯片，所述壳体内部与所述芯片相对的另一侧固定连接有弹性件；所述弹性件将所述管脚压在所述芯片上以使所述芯片固定在所述壳体内部。采用了弹簧式封装方式，使管脚与芯片在弹性件作用下相贴合，芯片不再与管脚采用金属结合方式，因此芯片可通过使弹性件与管脚的分离而拆卸并重新取出，以重新进行晶圆级测试和再次封装。并且封装过程中不采用塑封料填充，而使壳体内部处于真空环境，使得芯片能够更容易地从壳体中取出，并且能够使壳体的内部结构不易受到腐蚀，使用寿命更长。
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公开(公告)号：CN112864220A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201911102156.X
申请日：2019-11-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种元胞结构及其制造方法以及功率器件，涉及功率半导体领域。元胞结构，包括：第一绝缘部，第一绝缘部具有一端开口的容纳槽；第一介质部，第一介质部设置于容纳槽的底部；第二介质部，第二介质部设置于容纳槽内，且位于第一介质部远离底面的一侧；第二绝缘部，设置于第一介质部和第二介质部之间。本发明提供的元胞结构，在容纳槽内设有被第二绝缘部隔开且相互绝缘的第一介质部和第二介质部。如此，第一介质部相当于在容纳槽的底部设置了一个额外的电极板，使整个沟槽底部区域的电场分布较为平缓，有效的解决了沟槽底部电场集中的问题，使得此处发生电场击穿的概率大大降低，有效的提高了器件的可靠性和稳定性。
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