公开(公告)号：CN101295647A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200810056276.6

申请日：2008-01-16

Applicant: 清华大学

Inventor： 郭磊 ,  王敬 ,  许军 ,  刘佳磊 ,  梁仁荣 ,  刘志弘

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84

Abstract: 进一步提高沟道材料的应变程度，提高迁移率，增强器件性能的增强MOS器件沟道区应变的方法。技术方案是：增强MOS器件沟道区应变的方法，其特征是包括下列步骤：在硅衬底上外延组分渐变的SiGe层，再外延锗层或硅层，得到应变的沟道材料层，然后再通过工艺的方法引入更大的应力，进一步提高材料的应变程度，提高器件性能。

公开(公告)号：CN101217109A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200810055852.5

申请日：2008-01-10

Applicant: 清华大学

Inventor： 严利人 ,  周卫 ,  刘志弘 ,  仲涛

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明公开了属于半导体制造设备和技术范围的一种双光源的激光退火装置和方法。该双光源激光退火装置包含用于退火的激光光源和波长在亚微米至微米量级，用于辅助性加热的光源，光学镜头系统和承片台。加工方法是辅助加热光束斜入射到衬底圆片的表面，在正式的激光退火之前对衬底表面进行预加热，从而可以改善热应力对于退火和圆片表面形貌的不良影响。另一方面，由于预加热的处理，在衬底圆片浅表面层引入了大量的声子，这些声子的存在，将有助于载流子能量的迟豫，取得更好的退火效果，因而晶格升温及圆片退火的过程可以在更短时间内完成，得到更浅的超浅结。由于晶格的预加热，激光退火所需的激光能量密度也将有所降低。

公开(公告)号：CN101162730A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200710177246.6

申请日：2007-11-13

Applicant: 清华大学

Inventor： 严利人 ,  刘志弘 ,  周卫

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了属于半导体器件结构及其制造工艺范围的一种多晶收集区倒置结构SiGe异质结晶体管。是在省略了常规SiGe HBT晶体管中的埋层和N－外延Si层结构后，直接利用衬底N+层做发射区，然后依次制作SiGe外延基区，多晶Si收集区，和发射极，基极，收集极引线而形成的电子器件结构。收集区处在结构的上层，有利于采用离子注入技术调节B－C结位置，因而更好地保证器件的性能。外基区和基极引线的部分，采用介质层与下方的发射区隔离，能够减小电容，保证器件的工作速度。倒置结构晶体管，还适于构成共发形式的SiGe单片微波集成电路。

公开(公告)号：CN1739923A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510086475.8

申请日：2005-09-23

Applicant: 清华大学

Inventor： 钱佩信 ,  梁聚宝 ,  林惠旺 ,  刘荣华 ,  刘志弘 ,  陈长春 ,  张伟

IPC: B25J3/00 ,  C23C16/00

Abstract: 本发明属于集成电路半导体薄膜外延生长技术及超晶格薄膜材料生长技术领域；其特征在于含有：磁传动轴、止推弹簧、止推挡板、档头、双定位转芯、两个内套筒、外套筒、换向轴、换向弹簧以及基于四连杆机构的张合式机械手夹臂；磁传动轴前进过程中，固定在外套筒一端的档头被外延生长反应腔真空阀门第一次挡住后，磁传动轴继续向前位移，使机械手夹臂张开实现放片功能；而在磁传动轴前进过程中，档头被阀门第二次挡住时，磁传动轴继续向前位移，却使机械手夹臂闭合实现取片功能，并依次循环往复。本发明具有硅片的存取准确可靠，重复稳定性好的优点，大大提高了单片三腔红外加热超高真空化学气相淀积外延系统的生产效率。

公开(公告)号：CN104157569B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201410424810.X

申请日：2014-08-26

Applicant: 清华大学

Inventor： 严利人 ,  张伟 ,  刘道广 ,  刘志弘

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明公开一种快恢复二极管制造工艺方法，主要为了提供一种可进一步降低器件反向恢复时间，提高相关电路的工作速度。本发明综合应用离子注入和激光退火的深度控制能力，利用少子复合中心的扩散引入及缺陷损伤区对于少子复合中心的吸杂作用，来实现减少少子寿命的最佳的效果，工艺路线合理，工艺过程控制易于掌控，所制备的快恢复二极管具有反向恢复时间进一步缩短的更佳的性能。

公开(公告)号：CN106340448A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201611071766.4

申请日：2016-11-28

Applicant: 清华大学

Inventor： 周卫 ,  严利人 ,  刘道广 ,  刘志弘

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/44 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/28 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种SiC功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法、SiC功率MOSFET器件及其制备方法，该方法包括：在SiC衬底晶圆的表面，外延生长硅薄膜层；其中，所述硅薄膜层完全覆盖所述SiC衬底晶圆的表面；对所述硅薄膜层进行氧化，形成栅氧化层；其中，外延生长硅薄膜层时的温度以及对硅薄膜层进行氧化时的温度均低于SiC衬底晶圆直接氧化所需的温度。本发明实施例提供的技术方案，低温工艺和外延生长的硅薄膜层减少了C原子的外扩和O原子扩散进SiC中的几率，减小了SiOxCy的过渡区宽度，使得缺陷密度减小，从而减少了对载流子的散射，提高了反型沟道的迁移率，使SiC功率MOSFET器件整体性能得到提高。

公开(公告)号：CN102651390B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201210153148.X

申请日：2012-05-16

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  吴正立 ,  许平

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括集电区、集电区上的基区和外基区，基区上的发射极，以及发射极两侧的侧墙，外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成，而且嵌入在所述集电区内。本发明提供一种嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管避免了TED效应，同时也降低了器件的外基区电阻，使器件的性能得到提升。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法实现了上述嵌入式外延外基区双极晶体管结构，步骤简练，成本低，操作简易，所得结构性能良好。

公开(公告)号：CN103022110B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201210559190.1

申请日：2012-12-20

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  张伟 ,  刘志弘 ,  许平

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种金属硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品及方法不能有效减小基极电阻RB的缺点而发明。本发明金属硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管包括衬底、埋层集电区、轻掺杂外延层、集电极引出区、场区介质层、选择注入集电区、本征基区外延层、发射区-基区隔离介质区、重掺杂多晶发射区、重掺杂单晶发射区、抬升外基区、以及氧化硅隔离介质层。抬升外基区包括抬升外基区低电阻金属硅化物层、Si/SiGe/Si多晶层和重掺杂多晶硅层。本发明金属硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法在保持现有技术所具有的优点的同时进一步地减小了RB，优化了器件性能。

公开(公告)号：CN102945798B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201210426177.9

申请日：2012-10-30

Applicant: 清华大学

Inventor： 严利人 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  周卫 ,  韩冰

IPC: H01L21/268

Abstract: 本发明公开一种超薄氧化层的激光处理生长方法，为解决现有超薄氧化层生长厚度难以精确控制等问题而发明。本发明超薄氧化层的激光处理生长方法为在硅片的浅表面引入氧化剂后对该硅片进行激光照射，通过激光给能促使化学反应发生而形成超薄氧化层。氧化剂的引入方法为：将硅片放置在氧化性气氛中；或，对硅片浅表面进行低能离子注入氧元素；亦或，在硅片浅表面内低能离子注入氧元素后将该硅片放置在氧化性气氛中。本发明超薄氧化层的激光处理生长装置包括进气孔、出气孔、密封工艺腔室、载片台、激光器和透明窗口。本发明超薄氧化层的激光处理生长方法及装置结构合理，使用方便，可生成质量好的薄氧化层，适用于多种半导体器件中薄氧化层的制备。

公开(公告)号：CN103000676B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201210535471.3

申请日：2012-12-12

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  张伟 ,  刘志弘 ,  吴正立 ,  李高庆

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种侧向双极晶体管及其制备方法，为解决现有器件中收集区面积过大的缺陷而设计。本发明侧向双极晶体管包括发射区、本征基区、收集区、发射极介质层、外基区、基区介质层和衬底介质层。衬底介质层环绕发射区并延伸进入发射区。本征基区位于基区介质层的下方，且位于衬底介质层的上方。收集区位于衬底介质层的上方。本发明侧向双极晶体管的制备方法实现了本发明侧向双极晶体管。本发明侧向双极晶体管有效地减小了收集区的面积，降低了器件的收集区寄生电容，有助于减少辐照对于器件的影响。本发明侧向双极晶体管的制备方法工艺步骤简明，对设备等技术条件要求低，适于大规模的产线生产。