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公开(公告)号：CN114890676B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202110685704.7
申请日：2021-06-21
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及电介质储能材料，特别涉及一种高介电高储能微晶玻璃介质材料及其制备方法，制备的微晶玻璃介质材料的化学组分为：x(AXO3)‑y(aSiO2‑bB2O3‑cAl2O3)‑zMmOn；介电常数可在200‑1500范围内调节，直流耐击穿强度范围为0.9‑2.0MV/cm，最高理论储能密度达71.6J/cm3，可用于各种高储能密度及超高压电容器的制备；同时玻璃组成中无铅，达到了环保的目的。
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公开(公告)号：CN114890676A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202110685704.7
申请日：2021-06-21
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及电介质储能材料，特别涉及一种高介电高储能微晶玻璃介质材料及其制备方法，制备的微晶玻璃介质材料的化学组分为：x(AXO3)‑y(aSiO2‑bB2O3‑cAl2O3)‑zMmOn；介电常数可在200‑1500范围内调节，直流耐击穿强度范围为0.9‑2.0MV/cm，最高理论储能密度达71.6J/cm3，可用于各种高储能密度及超高压电容器的制备；同时玻璃组成中无铅，达到了环保的目的。
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公开(公告)号：CN114620996A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210165564.5
申请日：2022-02-23
Applicant: 洛阳晶联光电材料有限责任公司 , 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/63 , C23C14/08 , C23C14/35 , C03C17/00 , C03C17/245
Abstract: 本发明公开了一种高效太阳能电池用旋转陶瓷靶材，所述陶瓷靶材的组份为97‑98wt%的氧化铟以及0.5‑2wt%的氧化锡和1‑2.5wt%的掺杂氧化物；所述掺杂氧化物为氧化钛、氧化钨、氧化钼、氧化锆、氧化铈、氧化硅中的3‑5种。本发明采用多元素的掺杂并配合特定的烧结温度制度，可有效实现较高的靶材密度，改善连续溅射过程中靶材表面产生节瘤的问题。本发明可有效提高薄膜在红外波段的透光率，进而提高太阳能电池红外波段的光电转换能力。
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公开(公告)号：CN114524664A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210174352.3
申请日：2022-02-25
Applicant: 洛阳晶联光电材料有限责任公司 , 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C23C14/35
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池用的陶瓷靶材及其制备方法，所述陶瓷靶材的组份为98.5‑99.5wt%的氧化铟以及0.5‑1.5wt%的掺杂氧化物；所述掺杂氧化物为氧化钨、氧化镓、氧化铈、氧化钛、氧化钼、氧化钇、氧化锆、氧化锗中的3‑5种。本发明采用一种全段不保温的新烧结工艺，获得一种高电子迁移率、高红外透光率的陶瓷靶材，可提高太阳能电池的转化效率，且适合规模生产。
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公开(公告)号：CN113429205B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202110806711.8
申请日：2021-07-16
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C09K11/74
Abstract: 本发明提供了一种透明下转换光致发光陶瓷材料及其制备方法和应用，属于陶瓷材料技术领域。本发明提供的透明下转换光致发光陶瓷材料，化学式为0.94K0.5Na0.5NbO3‑0.06Sr(Bi0.5Nb0.5)O3,x％Ce，x＝0.1～0.4。本发明提供的陶瓷材料以K0.5Na0.5NbO3(KNN)铁电陶瓷为基体，固溶第二组元Sr(Bi0.5Nb0.5)O3后，使陶瓷材料具有透光性能；在此基础上掺杂稀土Ce，使陶瓷材料同时具有良好的透光性和下转换发光性能。本发明通过控制上述陶瓷材料中各种成分的含量，使所述陶瓷材料具有出色的透明和发光性能，是一种多功能光电陶瓷材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107140968B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201710330695.3
申请日：2017-05-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/40 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/626 , C04B41/88
Abstract: 一种高温无铅压电陶瓷，其特征在于组成通式为：(1‑x)Bi0.96La0.06FeO3‑xBa0.97(Na1/2Al1/2)0.03(Cu1/3Ta2/3)O3+0.05BiVO4；其中x表示摩尔分数，0.05
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公开(公告)号：CN106587986B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201611201458.9
申请日：2016-12-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01G4/12 , C04B35/465 , C04B35/468 , C04B35/47 , C04B35/515
Abstract: 本发明公开了一种同时具备储能、应变及宽介电温区多功能共存的三元体系无铅陶瓷及其制备方法，所述多功能无铅陶瓷组份的化学通式可以用(1‑x)[(1‑y)BiAO3‑yMeTiO3]‑x(Bi0.5Na0.5)TiO3所表示。其中：A为Sc、Y、In中的一种或两种；Me为Ca、Sr、Ba中的一种或两种；x、y表示摩尔分数；0.05≤x≤0.30；0.50≤y≤0.80。这种多功能无铅陶瓷除了低污染外，还具备储能、应变及宽介电温区等多功能特性，相比于传统的多组分集成方式具有更好的质量和体积效率，是一种新型的智能性材料。
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公开(公告)号：CN107611277B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201710946831.1
申请日：2017-10-12
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于水溶液处理的氧化镧空穴注入层有机发光器件，所述器件的空穴注入层由水溶液处理的La2O3制备而成。另外，还公开了该器件的制备方法，所述方法至少包括如下步骤：（1）以硝酸镧六水合物和氨水为原料，采用共沉淀法制备La2O3纳米粉体颗粒；（2）将La2O3纳米粉体颗粒溶解在去离子水中，形成浓度为0.2wt％的La2O3悬浮液，然后对La2O3悬浮液过滤得到La2O3过滤液；（3）在ITO阳极玻璃基片上通过旋涂工艺旋涂La2O3过滤液形成La2O3薄膜，所述La2O3过滤液中的La浓度为0.01 mg/mL—0.03 mg/mL。本发明所述器件能有效的调节载流子的平衡，提高发光效率，同时器件的空穴注入层具有与MoOx空穴注入层几乎相当的空穴注入能力。
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公开(公告)号：CN108947530A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810908551.6
申请日：2018-08-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/50 , C04B35/622 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3286 , C04B2235/602 , C04B2235/656 , C04B2235/6567
Abstract: 本发明公开了一种石榴石结构低介电透明RexGd3‑xAl3Ga2O12微波陶瓷及其制备方法，该微波陶瓷组成通式为RexGd3‑xAl3Ga2O12，其中0≤x≤0.065，Re为Nd和Er中的一种。制备时先采用传统固相合成法合成RexGd3‑xAl3Ga2O12粉体，再将合成的粉体与5%聚乙烯醇PVA按照0.5mL:10g的比例混合，烘干，研磨成粉末；最后将粉末压制成陶瓷坯体，在1580~1650℃保温15~60小时制成。本发明制备的石榴石结构低介电透明微波陶瓷，其介电常数（εr）介于9.7~10.3，品质因子与谐振频率乘积（Q.f）介于1600~5100GHz，谐振频率温度系数（Tcf）介于‑25~‑80ppm/℃，表明本发明成功制备出一种石榴石结构低介电透明微波陶瓷。这种微波陶瓷可用于制造微波介质元器件如滤波器、谐振器、介质基板等，特别是需要可视化透明窗口的信息通讯和集成电路中。
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公开(公告)号：CN108623302A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810670156.9
申请日：2018-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/626 , C04B41/00
CPC classification number: C04B35/475 , C04B35/626 , C04B41/0072 , C04B2235/3267 , C04B2235/3279 , C04B2235/442 , C04B2235/94 , C04B2235/95
Abstract: 本发明公开了一种无铅压电纳米阵列及其制备方法，材料组成为：0.9Bi0.5Na0.5TiO3-0.1Bi2(Mn4/3Ni2/3)O3。通过Bi0.5Na0.5TiO3和A位纯Bi的Bi2(Mn4/3Ni2/3)O3铁电体复合，结合固相烧结及热处理技术，生长纳米阵列，其中纳米线长度在2-10μm，直径为60-800nm，工艺简单，产率高，成本低廉，适合大规模工业生产。
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