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公开(公告)号：CN106104410A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580013579.8
申请日：2015-02-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种适合于便携式信息终端或可穿戴设备的结构。此外，提供一种具有各种外观形状的新颖结构的电子设备。优选在相互重叠且相邻的膜衬底之间设置吸收变形量的差异的缓冲层。缓冲层可以使用凝胶状树脂材料、橡胶状树脂材料、液体材料及空气层等。作为缓冲层，还可以使用偏振膜或滤色片等光学膜。另外，也可以在电子设备中设置多个缓冲层。
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公开(公告)号：CN103915660A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310724373.9
申请日：2013-12-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/52
CPC classification number: H01M10/52 , H01M2/0277 , H01M2/0285 , H01M2/0292 , H01M2/1264 , H01M2/1613 , H01M2/1653 , H01M2/1666 , H01M10/0525
Abstract: 本发明的目的是提供可靠性高的蓄电装置，由此提高蓄电装置的安全性，并且抑制蓄电装置的恶化。本发明的蓄电装置包括：具备在外装部件内的正极、与该正极对置的负极、该正极与该负极之间的电解液以及吸附材料，其中，在该电解液与该吸附材料之间设置有不使该电解液透过而使气体透过的分离体。
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公开(公告)号：CN102682688A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210060735.4
申请日：2012-03-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 广木正明
CPC classification number: H04N13/31 , G09F19/14 , G09G3/003 , H04N13/366 , H04N13/398
Abstract: 本发明提供一种显示装置及显示装置的驱动方法。在利用视差屏障方式进行三维显示时，显示屏幕与观察者的眼睛需要处于特定的位置关系。本发明的一个方式的目的之一是：提供一种特定的观察者的裸眼能够看到三维显示的范围得到扩大的显示装置。着眼于相对于设置在显示装置中的像素的观察者的位置及设置在该观察者与该像素之间的视差屏障的模式，想到利用超声波确定相对于像素的观察者的位置，并且根据该位置改变视差屏障的模式，以解决上述问题。
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公开(公告)号：CN102214796A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110131454.9
申请日：2003-01-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/3211 , H01L27/3216 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L27/3272 , H01L27/3276 , H01L27/3279 , H01L51/5212 , H01L51/5228 , H01L51/5253 , H01L2251/5315 , Y10S257/929
Abstract: 本发明涉及发光器件及其制造方法。提供一种具有高清晰度、大屏幕的象素部分的高可靠性的发光器件。根据本发明的发光器件，在提供在象素电极之间的绝缘体(24)上形成由金属膜制成的辅助电极(21)，因而可以制造低电阻和很薄的导电层(20)，该导电层与辅助电极接触由透明导电膜制成。此外，利用辅助电极(21)以获得与下层上的电极的连接，因而可以用在EL层上形成的透明导电膜将该电极引出。此外，形成由叠置形成的含有氢的薄膜和氮化硅膜的保护膜(32)，由此获得高可靠性。
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公开(公告)号：CN100521118C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200610077821.0
申请日：1994-10-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/2026 , H01L21/28079 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , Y10S438/981
Abstract: 在一半导体集成电路中，在具有绝缘表面的同一基片上形成多个薄膜晶体管(TFT)。由于形成在TFT中的栅极相互电绝缘，所以阳极氧化期间在电解液中独立地向栅极施加电压，至少在每个栅极的两侧形成阳极氧化层。根据TFT的特性改变阳极氧化厚度。利用具有所期望厚度的阳极氧化层作为掩模，通过离子掺杂改变在每个TFT的有源层中形成的高阻区宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1319117C
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN02160249.2
申请日：2002-11-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02678 , B23K26/04 , B23K26/0604 , B23K26/064 , B23K26/0648 , B23K26/0665 , B23K26/12 , B23K26/1224 , B23K26/123 , B23K26/127 , H01L21/02683 , H01L21/2026
Abstract: 提供一种采用激光结晶技术的半导体制造装置，用于提高衬底的处理效率和提高半导体膜的迁移率。该多室系统的半导体制造装置包括用于形成半导体膜的膜形成设备以及激光照射设备。激光照射设备包括用于相对于照射物体控制激光照射位置的第一装置、用于发射激光的第二装置(激光振荡器)、用于处理或会聚激光的第三装置(光学系统)、以及按照被第三装置处理的激光的束点可以覆盖根据掩模结构(图形信息)的数据确定的位置的方式用于控制第二装置的振荡和用于控制第一装置的第四装置。
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公开(公告)号：CN1908738A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610093447.3
申请日：1992-08-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/13 , H01L21/00 , H01L29/786 , H04N5/225
CPC classification number: H01L29/66757
Abstract: 一种适用于有源矩阵式液晶显示器的绝缘栅场效应晶体管。其沟道长度，即源区与漏区的间距被做成大于栅极沿沟道纵向所占的长度。在沟道区内，源区与漏区的侧面上形成有偏移(offset)区。这些偏移区不受或受到极微弱的来自栅极的电场作用。
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公开(公告)号：CN1855398A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610077821.0
申请日：1994-10-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/2026 , H01L21/28079 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , Y10S438/981
Abstract: 在一半导体集成电路中，在具有绝缘表面的同一基片上形成多个薄膜晶体管(TFT)。由于形成在TFT中的栅极相互电绝缘，所以阳极氧化期间在电解液中独立地向栅极施加电压，至少在每个栅极的两侧形成阳极氧化层。根据TFT的特性改变阳极氧化厚度。利用具有所期望厚度的阳极氧化层作为掩模，通过离子掺杂改变在每个TFT的有源层中形成的高阻区宽度。
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公开(公告)号：CN1279591C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN02130305.3
申请日：2002-08-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/477 , B23K26/00
CPC classification number: H01L21/02691 , B23K26/0838 , C21D1/34 , H01L21/02686 , H01L21/2026
Abstract: 本发明提供一种激光退火方法和半导体设备制造方法。在以处于20到200cm/s之间的恒速移动基底的同时，激光束斜向照射半导体基底表面上的半导体膜。移动该激光束斜向照射的基底的移动机械装置反复地移动一个等于或大于基底一条边长度的距离，在反复移动方向的垂直方向上移动一个等于或小于该激光束以所述的垂直方向在该基底上照射的区域的长度的距离。因此即使是大尺寸基底上的半导体膜，也可以照射均匀的激光束，从而制造出防止或减少了同心圆产生的半导体设备。通过将多束激光束聚光成一个光流，可以防止或减少同心圆图案的产生，从而提高了半导体设备的可靠性。
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公开(公告)号：CN1825553A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610005816.9
申请日：2002-11-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/0268 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L23/544 , H01L27/1285 , H01L29/04 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据TFT排列，实现对晶粒的位置控制，并且同时增加在结晶过程期间的处理速度。更具体地说，提供了一种用于半导体器件的制造方法，在这种制造方法中，通过人为控制的超级横向生长，能够连续形成具有大颗粒尺寸的晶体，并能够提高在激光结晶过程期间的基底处理效率。在该用于半导体器件的制造方法中，不对基底表面内的整个半导体膜进行激光照射，而是形成作为定位参照的标记，以便至少最低使必需的部分结晶。因此，激光结晶所需的时间周期可以被缩短，从而使之有可能加快基底的处理速度。将上述结构应用到传统的SLS方法，以便有可能解决传统SLS方法固有的基底处理效率差的问题。
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