-
公开(公告)号：CN118047609A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410204701.0
申请日：2024-02-25
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/48 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本发明属于无线通讯与电子陶瓷材料技术领域，涉及一种具有低热膨胀系数且谐振频率温度系数可调的低介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用。所述具有低热膨胀系数且谐振频率温度系数可调的低介电常数微波介质陶瓷材料，化学式为ZrSiO4·xTiO2，其中0wt％
-
公开(公告)号：CN114464799B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202111645542.0
申请日：2021-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种氧化铁纳米颗粒/片状氢氧化铁/多层石墨烯复合材料及制备方法，该复合材料中，以超声法制备的多层石墨烯为基底，在其表面生长了片状氢氧化铁，片状氢氧化铁形成多孔结构，纳米氧化铁均匀得分布在多层石墨烯和片状氢氧化铁表面。复合材料中多层石墨烯能很好的改善复合材料的导电性，片状氢氧化铁中的羟基具有强的多硫化物吸附能力，片状氢氧化铁形成的多孔结构能吸附更多的硫。纳米氧化铁颗粒增加了氢氧化铁的导电性能并且增加了复合材料的比表面积。该复合材料适用于构建高性能的锂硫电池正极。
-
公开(公告)号：CN114349044B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202111645124.1
申请日：2021-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01G23/053 , C01B32/19 , C01B32/194 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供一种多层石墨烯表面二氧化钛晶型和形貌控制方法，通过在反应液中加入不同的盐酸量，就可以达到控制在多层石墨烯表面获得的纳米二氧化钛的晶型和形貌的目的。其中，当浓盐酸添加量为0～3mL，在多层石墨烯表面获得均匀的锐钛矿纳米二氧化钛颗粒；当浓盐酸量为3.0～4.0mL时，在多层石墨烯表面获得锐钛矿二氧化钛纳米颗粒和多肉植物形状的金红石二氧化钛两种形貌；当浓盐酸量超过4.0mL，在多层石墨烯表面获得金红石晶型二氧化钛，在盐酸量为4.0mL，4.5mL，6.0mL时，获得的金红石二氧化钛为多肉植物形状，花棒状和棒状结构。本发明方法只需要改变盐酸的反应量就可以制备不同晶型和形貌的二氧化钛/多层石墨烯复合纳米材
-
公开(公告)号：CN114477152B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202111680720.3
申请日：2021-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种银纳米颗粒/多层石墨烯复合材料及制备方法，银纳米颗粒/多层石墨烯复合材料由多层石墨烯基底和均匀分布在其表面的纳米银颗粒组成。其中，多层石墨烯表面的银纳米颗粒分布均匀，粒径约为50nm～100nm。本发明基于多层石墨烯表面分子力吸附银氨络合物制备银纳米颗粒/多层石墨烯复合材料。该复合材料在导电胶、导电膜、柔性传输性、静电屏蔽、压力传感器、催化剂、抗菌性及光电材料等领域具有潜在的应用。
-
公开(公告)号：CN115536373B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211332717.7
申请日：2022-10-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/16 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种高熵化微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用，涉及通信领域的电子元件与材料技术领域。本发明提供的微波介质陶瓷材料的配方表达式为：(Mg0.2Co0.2Ni0.2Cu0.2Zn0.2)SiO3。其介电常数为6.5～6.9，介电损耗为0.0001～0.0004@10GHz，谐振频率温度系数为‑40～‑24.5ppm/℃，可应用于5G/6G通信领域。其制备方法主要包括：称量、一次球磨、一次预烧、二次球磨、二次预烧、三次球磨、烘干、造粒、过筛、压片和烧结。本发明通过引入高熵设计理念，提出了化学式为(Mg0.2Co0.2Ni0.2Cu0.2Zn0.2)SiO3的配方，抑制了MgSiO3陶瓷中的晶型转变，获得了稳定的陶瓷，降低了致密化烧结温度，获得了低介电常数和低介电损耗的优异微波介电性能，具有重要的工业应用价值。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114195485B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202111633379.6
申请日：2021-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及电子信息材料及其器件技术领域，尤其涉及一种低损耗氟氧化物微波介质陶瓷及其制备方法。这种微波介质陶瓷的表达式为MgTiO2F2。本申请中，提供了一种物相稳定单一，无第二相存在的氟氧化物基微波介质陶瓷，其相对介电常数εr为13.5～14.7，品质因数Qf为132850～150500GHz，谐振频率温度系数为–42～–56ppm/℃。本申请的微波介质陶瓷兼具较低相对介电常数以及较高的品质因数，在微波通讯系统无源器件中有非常广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN115057698A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210755021.9
申请日：2022-06-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/44 , C04B35/505 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种低介电石榴石型微波介质陶瓷材料及其制备方法，陶瓷材料化学式为Y3‑xCaxAl(Oct)2Al(Tet)3‑xSixO12，其中，0.1≤x≤0.6。本发明采用不同浓度的Ca2+‑Si4+复合离子对协同掺杂取代Y3Al5O12中的A位点Y3+和C位点的Al3+制备得到Y3‑xCaxAl(Oct)2Al(Tet)3‑xSixO12，显著地降低以往Y3Al5O12陶瓷材料的烧结致密化温度且大大降低了陶瓷的烧结时长，同时，陶瓷材料的微波介电性能良好，品质因数Q×f也有明显的提升。
-
公开(公告)号：CN113307615B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202110668001.3
申请日：2021-06-16
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/195 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本发明提供了一种微波介质陶瓷材料及其制备方法，涉及无线移动通讯与射频电子电路系统用电子陶瓷元器件与材料技术领域。该微波介质陶瓷材料为一种掺杂有Zn2+和Mn4+的堇青石晶体结构材料，Zn2+和Mn4+协同置换堇青石晶格中的Al3+。本发明还提供一种微波介质陶瓷材料及其制备方法。利用该制备方法制备得到的微波介质陶瓷材料的烧结温度为1250℃～1400℃、品质因数为56428GHz～150505GHz、温度系数为‑25ppm/℃～‑38ppm/℃、介电常数为4.4～4.7。该材料显著地降低现有的各类堇青石陶瓷材料的烧结致密化温度，改善堇青石陶瓷烧结温区范围窄的缺陷，有效地拓宽堇青石陶瓷的烧结温度范围，同时该材料显著地提高堇青石型陶瓷的品质因数，可以在5G/6G移动通讯与射频电子电路系统中做电子元器件的功能介质使用。
-
公开(公告)号：CN111925190B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202010624798.2
申请日：2020-07-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/04 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了Mg3B2O6‑CaTiO3复合微波介电陶瓷材料及制备方法，其陶瓷材料主晶相为Mg3B2O6和CaTiO3，原料成分为原料成分为MgO，H3BO3，CaTiO3。由于H3BO3高温烧结蒸发，因此H3BO3要进行适量称取配平，从而合成纯相的Mg3B2O6微波介质陶瓷，然后加入不同的摩尔比例的CaTiO3，合成Mg3B2O6‑CaTiO3复合微波介电陶瓷材料。该复合微波介电陶瓷材料的介电常数范围是6.6～6.8，品质因数范围是34204GHz～36634GHz，温度系数范围是‑2ppm/℃～7ppm/℃。
-
公开(公告)号：CN109285998B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201810902549.8
申请日：2018-08-09
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了硅/硅铁氧化物/氧化铁/碳的核壳复合结构材料及其制备方法。本发明制备方法包括以下步骤：量取体积比为8:2的DMF和蒸馏水，混合后作为混合溶剂；加入纳米硅，超声振荡0.5h得到纳米硅悬浮液；向悬浮液中加入醋酸钠和四水氯化亚铁，在90℃温度下水浴2‑5h后冷却至室温；用无水乙醇和蒸馏水依次离心清洗各3次，在80℃干燥箱烘干，后加入Tris缓冲液，超声振荡0.5h，再加入多巴胺，常温搅拌24h，取出，用无水乙醇和蒸馏水依次离心清洗各3次，在干燥箱中80℃烘干，后置于管式炉中，氮氢混合气下800℃加热3h，得到硅/硅铁氧化物/氧化铁/碳的核壳复合材料。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
174
records
(took 0.029 seconds)
