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公开(公告)号：CN105915208A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201510573780.3
申请日：2015-09-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/082 , H03K5/135
CPC classification number: H03K3/356104
Abstract: 本发明的实施例提供了一种锁存器电路，包括：第一输入节点；第二输出节点；第一输出节点；第二输出节点；第一开关器件，耦接在第一输出节点与第二输出节点之间；以及第一放大电路，与第一输入节点、第二输入节点、第一输出节点和第二输出节点耦接。第一开关器件被配置为：响应于时钟信号的第一状态而闭合，并且响应于时钟信号的第二状态而断开。第一放大电路被配置为：响应于时钟信号的第一状态，基于第一输入节点和第二输入节点的电压电平，在第一开关器件的两端之间产生电压差值。本发明还提供了一种操作锁存器电路的方法。
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公开(公告)号：CN103514834B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310116389.1
申请日：2013-04-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G09G3/3233 , G09G5/10
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/3406 , G09G2300/0809 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2320/0233 , G09G2320/0295 , G09G2320/045 , G09G2330/028
Abstract: 本发明涉及用于显示器的像素，调节显示器的第一像素的电流值和/或第二像素的电流值，直到电流差值可接受为止。第一像素的电流值对应于第一像素的亮度级。第二像素的电流值对应于第二像素的亮度级。调节第一像素的电流值涉及调节第一像素的晶体管的阈值电压值。调节第二像素的电流值涉及调节第二像素的晶体管的阈值电压值。
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公开(公告)号：CN103107964B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201210135199.X
申请日：2012-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H04L25/03
CPC classification number: H04L25/03057 , H04L2025/0349 , H04L2025/03566 , H04L2025/03617 , H04L2025/03687
Abstract: 一种具有可编程抽头的判定反馈均衡器(DFE)，包括被配置为接收DFE输入信号的加法器。延迟元件连接至加法器。延迟元件串联连接。每个延迟元件都提供延迟元件的输入信号的对应延迟信号。权重发生器被配置为提供抽头权重。DFE被配置为将每个抽头权重乘以来自对应延迟元件的对应延迟信号以提供抽头输出。基于第一阈值与对应于对应抽头输出的每个脉冲响应或每个抽头权重的第一比较，每个抽头输入都选择性地被启用添加至加法器或者被禁用，其中，脉冲响应是响应于通过信道传输的脉冲信号的DFE输入信号。
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公开(公告)号：CN105161056A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510616544.5
申请日：2013-04-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G09G3/32
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/3406 , G09G2300/0809 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2320/0233 , G09G2320/0295 , G09G2320/045 , G09G2330/028
Abstract: 本发明涉及用于显示器的像素，调节显示器的第一像素的电流值和/或第二像素的电流值，直到电流差值可接受为止。第一像素的电流值对应于第一像素的亮度级。第二像素的电流值对应于第二像素的亮度级。调节第一像素的电流值涉及利用第一像素的第一开关和第一像素的第二开关，调节第一像素的晶体管的阈值电压值，其中，第一像素的第一开关与第一像素的晶体管的栅极端电连接，第一像素的第二开关与第一像素的晶体管的源极端电连接，并且第一像素的LED与第一像素的晶体管的源极端电连接。调节第二像素的电流值涉及利用第二像素的第一开关和第二像素的第二开关，调节第二像素的晶体管的阈值电压值，第二像素的第一开关与第二像素的晶体管的栅极端电连接，其中，第二像素的第一开关与第二像素的晶体管的栅极端电连接，第二像素的第二开关与第二像素的晶体管的源极端电连接，并且第二像素的LED与第二像素的晶体管的源极端电连接。
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公开(公告)号：CN104868717A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201410206138.7
申请日：2014-05-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明提供了充电泵初始化器件、具有其的集成电路及操作方法。在充电泵的初始化阶段，将输入信号提供给充电泵的电容器的输入电极和充电泵的初始化器件。初始化信号被提供给充电泵的初始化器件。初始化器件将输出信号提供给电容器的输出电极。输出信号具有的高电平和低电平对应于输入信号的高电平和低电平，输入信号和输出信号使电荷在电容器中累积。在初始化阶段之后的升压操作阶段，从初始化器件去除初始化信号，以使电容器的输出电极处于浮置状态，并且通过累积在电容器中的电荷执行升压动作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102163914B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201010194500.5
申请日：2010-05-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H02M3/07
CPC classification number: G05F1/10 , G05F3/02 , H03L7/0895 , H03L7/0896 , H03L7/0898
Abstract: 一种集成电路，其包括一第一电流源。一第二电流源通过一导线电性耦接至该第一电流源。一开关电路耦接于该第一电流源与该第二电流源之间。一第一电路耦接于一第一节点与一第二节点。该第一节点配置于该第一电流源与该开关电路之间。该第二节点配置于该导线之上。该第一电路用以大体平衡该第一节点与该第二节点上的电压。一第二电路耦接于一第三节点与一第四节点之间。该第三节点配置于该第二电流源与该开关电路之间。该第四节点配置于该导线之上。该第二电路用以大体平衡该第三节点与该第四节点上的电压。通过大体平衡电荷泵电路的上电流与下电流，参考频率突波、静态相位误差，或PLL电路的一输出端上的抖动皆可被适当地降低。
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公开(公告)号：CN102163968B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201010221423.8
申请日：2010-06-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H03L5/00 , H03B5/1215 , H03B5/1228 , H03B5/1243 , H03L7/099
Abstract: 本发明提供一种集成电路及其操作方法。集成电路包括耦接回授回路的电感电容(LC)槽电路。电感电容槽电路用于输出具有一峰值电压的一输出信号，峰值电压实质上地等于一振幅加上一直流(DC)电压值。回授回路用于决定该输出信号的该峰值电压是否落在一第一电压状态与一第二电压状态之间的一范围内用以调整该输出信号的该振幅。通过调整LCVCO交错耦合装置的增益，电感电容槽损失可被适切地补偿。
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公开(公告)号：CN103151991A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201210146529.5
申请日：2012-05-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03F1/42
CPC classification number: H03F3/68 , H03F1/42 , H03F3/191 , H03F3/195 , H03F3/45183 , H03F2200/36 , H03F2200/405 , H03F2203/45638 , H03F2203/45702
Abstract: 一种用于具有至少两级的放大器的电感峰化的共享电感器的方法，该方法包括：计算用于进行电感峰化的至少两级中的单级的单级电感，以具有稳定的脉冲响应。通过将单级电感除以至少两级的级数来计算用于电感峰化的共享电感。在至少两级之中共享至少两个具有共享电感的电感器，以进行电感峰化。本发明还提供了一种用于电感峰化的放大器电感器共享。
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公开(公告)号：CN101871820B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201010165137.4
申请日：2010-04-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01K7/00
CPC classification number: G01K7/14 , G01K7/01 , G01K2219/00
Abstract: 一种提供温度与数位数字码间线性关系的方法，该方法包括提供对应至一温度的一第一电压；提供一第二电压，其以多个数字码作为输入；以及利用该第一电压与该第二电压识别对应该温度的一数字码；其中多个该温度大体与所述多个数字码呈线性关系。
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公开(公告)号：CN101819947B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010125527.9
申请日：2010-02-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 陈建宏
IPC: H01L21/8234 , H01L21/71
CPC classification number: G06F17/5068 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L29/0692
Abstract: 本发明提供一种形成位于芯片上的集成电路结构的方法。包括从集成电路结构的设计取出有源层；形成围绕有源层且与有源层形状一致的保护带，且保护带与有源层相隔沿X轴方向的第一固定间距以及沿Y轴方向的第二固定间距；移除保护带的凸角；于保护带外侧的芯片的剩余空间中增加虚设扩散图案。特别指定第一和第二固定间距与集成电路结构的电性参数模型特性描述的间距相同。上述方法的虚设扩散图案具有不同的粒度。上述方法增加虚设扩散图案以使遍及芯片的扩散区密度为均一。
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