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公开(公告)号：CN107170862A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710429863.4
申请日：2017-06-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/325
Abstract: 一种非极性面量子点发光二极管，包括衬底及依次叠置于所述衬底上的、均为非极性面的u型GaN层、n型GaN层、有源区、p型电子阻挡层及p型GaN层，其中：有源区包括周期分布的、非极性面的InGaN量子点势阱层和GaN势垒层。以及一种非极性面量子点发光二极管的制备方法。在衬底上依次叠置非极性面的外延结构，一方面可消除量子限制斯塔克效应对器件的内量子效率的影响，有效的消除极化效应；另一方面，此晶面取向的发光二极管的发光波长可以延伸到深绿光，甚至橙光区，能缓解当今化合物半导体发光器件中的“绿隙”(green gap)问题。
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公开(公告)号：CN106025797A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610563190.7
申请日：2016-07-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/223
CPC classification number: H01S5/2234
Abstract: 本发明公开了一种二维光子准晶宽区半导体激光器结构，包括：一衬底；一下波导；一下限制层；一有源区；一上限制层；一上波导；一接触层；一钝化层；一正面电极；一背面电极；一制作于上限制层的二维光子准晶阵列，从接触层到下波导刻蚀出条形宽区台面，钝化层包覆整个台面并在台面顶端开出电注入窗口，上电极在钝化层之上，在电注入窗口区域与接触层形成欧姆接触用于电注入，同时为有源区提供散热通道；背面电极与衬底形成欧姆接触，用于另一极电注入。
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公开(公告)号：CN104267503B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410520059.3
申请日：2014-09-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B27/09
Abstract: 本发明公开了一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构，其包括：衬底，其上制作有双沟道脊型波导结构，脊型区中设有激光器有源区；光栅层，制作在衬底上表面；电隔离层，制作在光栅层上表面，在光栅层与脊型区对应的上表面处断开形成电注入窗口；双沟填充物，填充在双沟道中；下欧姆接触层，制作在衬底的下表面；亚波长金属等离子体天线，制作在所述电隔离层和双沟填充物的上表面，在脊型区对应的上表面处断开，在形成电注入欧姆接触区域的同时形成光输出窗口。本发明有效的降低面发射激光器慢轴方向的远场发散角，实现小发散角准圆斑甚至圆斑面发射器件的制作。
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公开(公告)号：CN103633200B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310652125.8
申请日：2013-12-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法，包含：在硅衬底表面上先制备一阻挡层及包含铟组分的薄III族氮化物合金层和低温薄氮化镓层的应力调控结构层；将硅衬底加热，将包含有铟组分的薄III族氮化物合金层中的铟组分加热分解和完全析出，变成高温薄氮化镓单晶模板层；制备一氮化镓基发光二极管器件结构层；降温，在多孔薄III族氮化物弱键合层处自分离；制备一反射／欧姆金属层；键合一键合衬底；利用机械力，剥离；制备第一欧姆电极层；制备第二欧姆电极层；切割、分选和封装后，制备得到垂直结构氮化镓基发光二极管器件。
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公开(公告)号：CN103762255B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410035355.4
申请日：2014-01-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0288 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种硫族元素超饱和掺杂硅红外探测器及其制造方法，探测器包括p型掺杂硅单晶衬底，金字塔减反射结构分别形成于p型掺杂硅单晶衬底的上、下表面，硫族元素超饱和掺杂硅晶态薄膜形成于p型掺杂硅单晶衬底的上表面的金字塔减反射结构的表面；硅氧化物介质钝化层形成于硫族元素超饱和掺杂硅晶态薄膜的表面；正面接触栅电极形成在硅氧化物介质钝化层的表面；背面接触电极形成在p型掺杂硅单晶衬底的下表面的金字塔减反射结构的表面。本发明在硫族元素超饱和掺杂硅晶态薄膜的制备过程加入了表面减反射结构，这可以增强它的红外吸收。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103633199B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310651999.1
申请日：2013-12-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法，包含：在蓝宝石衬底表面上先制备一包含铟组分的薄III族氮化物合金层和一低温薄氮化镓层的应力调控结构层；将蓝宝石硅衬底加热温度升高；制备一氮化镓基发光二极管器件结构层；降温，形成的多孔薄III族氮化物弱键合层处自分离；在氮化镓基发光二极管器件结构层上制备一反射/欧姆金属层；再键合一键合衬底；将蓝宝石衬底沿多孔薄III族氮化物弱键合层处剥离去除；制备第一欧姆电极层；制备第二欧姆电极层；将上述材料切割、分选和封装后得到垂直结构氮化镓基发光二极管器件。
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公开(公告)号：CN103117506B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310071764.5
申请日：2013-03-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S3/08 , H01S3/0941
Abstract: 本发明公开了一种滤波式波长可调谐外腔激光器，其可在一定波长范围内任意控制激射波长，包括：宽带光源、准直透镜、第一双折射元件、第二双折射元件、第一半波片、第二半波片、干涉滤光片、会聚透镜和光纤，所述超辐射发光管包括宽带光源，其发出的光经准直透镜后准直，并依次通过第一双折射元件和第一半波片后打在干涉滤光片上，而透过所述干涉滤光片的光依次通过第二半波片和第二双折射元件后经会聚透镜聚焦耦合到所述光纤中；所述光纤尾端镀有反射膜，使得光按原路返回。本发明提供的滤波式波长可调谐外腔激光器成本低，结构紧凑，温度稳定性高并且操作简单，最终可实现在一定波段内的激射波长连续调谐。
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公开(公告)号：CN104499054A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410785433.2
申请日：2014-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法，包括如下步骤：步骤1：将一衬底放入有机溶液中超声清洗；步骤2：将清洗后的衬底用氢氟酸溶液进行腐蚀；步骤3：将腐蚀后的衬底放入MOCVD外延设备的腔室中，将衬底第一次升温后稳定一预定时间；步骤4：将衬底第一次降到设定温度后，第一次通入AsH3气体；步骤5：将衬底第二次升温至纳米线的生长温度稳定一预定时间后，减小AsH3气体的流量，同时通入TMIn和TMSb气体，开始生长InAsSb纳米线；步骤6：生长结束后关掉通入的TMIn气体，将衬底温度第二次降至室温后关掉AsH3和TMSb气体，完成InAsSb纳米线的制备。本发明具有处理工艺简单，成本大大降低；不需要使用外来催化剂，没有污染；也不需要核子纳米线辅助成核，生长步骤简化。
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公开(公告)号：CN104409553A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410612819.3
申请日：2014-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/077 , H01L31/0312 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/077 , H01L31/0312 , H01L31/18 , H01L31/1864
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅中间带太阳能电池及其制备方法。该碳化硅中间带太阳能电池包括：n型碳化硅衬底；形成于该n型碳化硅衬底上的经深能级杂质离子注入和纳秒激光退火的本征层，其作为中间带光吸收层；以及形成于该本征层上的p型帽层。本发明碳化硅中间带太阳电池结构系首次提出，其可以大幅提高碳化硅太阳电池的光响应波长和转换效率。
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公开(公告)号：CN102623523B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201210086429.8
申请日：2012-03-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/102
Abstract: 本发明公开了一种有多色响应的量子点红外探测器，包括：一GaAs衬底；一GaAs底接触层制作在GaAs衬底上；一下GaAs隔离层制作在GaAs底接触层上；一组分渐变AlGaAs层制作在下GaAs隔离层上；一Al0.2Ga0.8As势垒层制作在组分渐变AlGaAs层上；一3～10周期的InAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs点-阱结构层制作在Al0.2Ga0.8As势垒层上；一组分渐变AlGaAs层制作在3～10周期点-阱结构上；一上GaAs隔离层制作在组分渐变AlGaAs层上；一3～10周期的InGaAs/GaAs量子点结构层制作在上GaAs隔离层上；一GaAs顶接触层制作在3～10周期的InGaAs/GaAs量子点结构上；一上电极制作在GaAs顶接触层上，收集并输出光电流信号；一下电极制作在GaAs底接触层台面上，与上电极一起给探测器加偏压。
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