公开(公告)号：CN104409553A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410612819.3

申请日：2014-11-04

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王科范 ,  张光彪 ,  丁丽 ,  刘孔 ,  曲胜春 ,  王占国

IPC: H01L31/077 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/077 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1864

Abstract: 本发明提供了一种碳化硅中间带太阳能电池及其制备方法。该碳化硅中间带太阳能电池包括：n型碳化硅衬底；形成于该n型碳化硅衬底上的经深能级杂质离子注入和纳秒激光退火的本征层，其作为中间带光吸收层；以及形成于该本征层上的p型帽层。本发明碳化硅中间带太阳电池结构系首次提出，其可以大幅提高碳化硅太阳电池的光响应波长和转换效率。

公开(公告)号：CN104409553B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201410612819.3

申请日：2014-11-04

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王科范 ,  张光彪 ,  丁丽 ,  刘孔 ,  曲胜春 ,  王占国

IPC: H01L31/077 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种碳化硅中间带太阳能电池及其制备方法。该碳化硅中间带太阳能电池包括：n型碳化硅衬底；形成于该n型碳化硅衬底上的经深能级杂质离子注入和纳秒激光退火的本征层，其作为中间带光吸收层；以及形成于该本征层上的p型帽层。本发明碳化硅中间带太阳电池结构系首次提出，其可以大幅提高碳化硅太阳电池的光响应波长和转换效率。