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公开(公告)号：CN102683522B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201210180422.2
申请日：2012-06-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种具有空气桥结构发光二极管的制作方法，包括：在蓝宝石衬底上淀积二氧化硅掩蔽层；在其上排列一单层紧密排列的自组装聚苯乙烯球；第一次加热和采用ICP刻蚀的方法，刻蚀自组装聚苯乙烯球；第二次加热和在自组装聚苯乙烯球的间隙、表面及掩蔽层的表面蒸镀金属掩膜；去除自组装聚苯乙烯球表面的金属掩膜；采用温度处理使自组装聚苯乙烯球气化，在掩蔽层上形成网孔状的金属掩膜；刻蚀掩蔽层；酸液腐蚀掉金属网孔状的金属掩膜，形成二氧化硅的纳米孔状阵列结构；在纳米孔状阵列结构上依次外延u-GaN层、n-GaN层、多量子阱结构、电子阻挡层和p-GaN层，形成芯片；将芯片置于HF溶液中超声，使u-GaN层中的掩蔽层被腐蚀掉后，被空气包覆，完成发光二极管的制作。
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公开(公告)号：CN102709411B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201210181322.1
申请日：2012-06-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种基于湿法剥离垂直结构发光二极管的制作方法，包括：在衬底上依次制作二氧化硅掩蔽层和紧密排列的自组装PS球；刻蚀、加热、蒸镀金属层；去除自组装PS球表面的金属层，形成网孔状金属层；加热使自组装PS球气化形成纳米网孔状金属层；刻蚀网孔状金属层形成二氧化硅纳米网孔阵列；用酸液腐蚀掉纳米网孔状金属层；在二氧化硅纳米网孔阵列上依次外延u-GaN层、n-GaN层、多量子阱结构、电子阻挡层和p-GaN层；将衬底磨抛减薄；在p-GaN层上依次制作金属反射镜、金属支撑衬底；在衬底激光划出沟槽；涂一层光刻胶保护层；超声去掉二氧化硅纳米网孔阵列形成空气桥；放于高温浓硫酸和磷酸混合溶液中或KOH溶液中腐蚀，使衬底与u-GaN层剥离，形成垂直结构LED管芯，形成光子晶体表面。
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公开(公告)号：CN103337564A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310136057.X
申请日：2013-04-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种可提高LED发光效率的金属纳米颗粒的制备方法。该方法包括：在光电器件需要形成金属纳米颗粒的薄膜表面生长金属薄膜；在金属薄膜表面旋涂光刻胶；刻蚀光刻胶，形成光刻胶纳米颗粒；以光刻胶纳米颗粒为掩模，刻蚀所述金属薄膜，形成金属纳米颗粒；去除光刻胶，完成金属纳米颗粒的制备。目前制备金属纳米颗粒的方法主要包括电子束光刻、自组装以及退火技术。基于氧等离子体刻蚀光刻胶会生成光刻胶纳米颗粒这一物理现象，本发明提出一种低温、低成本、无污染的制备高密度金属纳米颗粒的方法，为金属等离激元技术在光电器件研究领域的广泛应用提供一种方法。
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公开(公告)号：CN103325903A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310244191.1
申请日：2013-06-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种可调控能带的UV LED多量子阱结构装置及生长方法，其能够提高紫外发光二极管有源区多量子阱中辐射复合效率。所述可调控能带的UV LED多量子阱结构装置，其包括至少一个能带被调控的量子阱结构，该能带调控量子阱结构由量子阱势垒层和组分渐变量子阱势阱层交替生长而成。该可调控能带的UV-LED量子阱结构能够实现对量子阱区域的能带调控，提高量子阱有源区中的电子空穴波函数叠加，提高UV-LED量子阱区域的辐射复合效率，进而提高UV-LED的功率和效率。
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公开(公告)号：CN103137822A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310057268.4
申请日：2013-02-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种紫外发光二极管结构，包括：一基底；一N型AlGaN层，其制作在基底上，该N型AlGaN层上面的一侧有一台面；一AlGaN量子阱，其制作在N型AlGaN层没有台面一侧的上面；一P型AlGaN层，其制作在AlGaN量子阱上；一P型GaN层，其制作在P型AlGaN层上；一顶电极，其制作在P型GaN层上；一底电极，其制作在N型AlGaN层一侧的台面上；一金属层，其制作在基底的背面。本发明采用等离激元技术提高出光效率和内量子效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102691102A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210180973.9
申请日：2012-06-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种蓝宝石纳米碗阵列图形衬底的制作方法，包括如下步骤：1)在蓝宝石衬底表面排列一单层紧密排列的聚苯乙烯球；2)在聚苯乙烯球的间隙填充二氧化硅凝胶；3)加温加热处理，使聚苯乙烯球气化，在二氧化硅凝胶的表面形成二氧化硅纳米碗阵列掩模；4)采用ICP的方法，干法刻蚀或者湿法刻蚀，把二氧化硅纳米碗阵列掩膜转移到蓝宝石衬底上；5)在BOE溶液中进行处理，将蓝宝石衬底表面残留的二氧化硅凝胶去除干净，形成蓝宝石纳米碗阵列图形，完成制作。本方法能降低氮化物外延层中的位错密度，提高外延材料的晶体质量，大大提高出光效率，改善器件的性能。
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公开(公告)号：CN102683522A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210180422.2
申请日：2012-06-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种具有空气桥结构发光二极管的制作方法，包括：在蓝宝石衬底上淀积二氧化硅掩蔽层；在其上排列一单层紧密排列的自组装聚苯乙烯球；第一次加热和采用ICP刻蚀的方法，刻蚀自组装聚苯乙烯球；第二次加热和在自组装聚苯乙烯球的间隙、表面及掩蔽层的表面蒸镀金属掩膜；去除自组装聚苯乙烯球表面的金属掩膜；采用温度处理使自组装聚苯乙烯球气化，在掩蔽层上形成网孔状的金属掩膜；刻蚀掩蔽层；酸液腐蚀掉金属网孔状的金属掩膜，形成二氧化硅的纳米孔状阵列结构；在纳米孔状阵列结构上依次外延u-GaN层、n-GaN层、多量子阱结构、电子阻挡层和p-GaN层，形成芯片；将芯片置于HF溶液中超声，使u-GaN层中的掩蔽层被腐蚀掉后，被空气包覆，完成发光二极管的制作。
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公开(公告)号：CN101710569A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910241697.0
申请日：2009-12-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种对III-V氮化物进行n型和p型掺杂的方法，在蓝宝石、SiC、GaN等衬底上外延生长的n型和p型III-V族氮化物，使用SiH4和/或Cp2Mg作为掺杂剂，使用交替供源气体的方式来实现n型和p型的有效掺杂。利用本发明，实现了利用Si和Mg对III-V氮化物进行n型和p型的有效掺杂，不但能够改善材料的晶体质量，降低材料的位错，而且能够提高III-V氮化物的n型和p型的掺杂效率和浓度。在提高了n型和p型III-V氮化物的掺杂效率和浓度之后，可以对GaN基LED和LD的n型和p型掺杂区域进行减薄，提高了利用MOCVD外延的效率，节约了外延的材料和消耗的能源。
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公开(公告)号：CN203743880U
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201420060352.1
申请日：2014-02-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: F21L4/00 , F21V33/00 , F21Y101/02
Abstract: 一种多功能LED手电简，其特征在于，包括：一照明部，该照明部为圆筒形或者是长方体形，该照明部包括电源、LED灯、为LED灯提供合适电压的电路系统、LED灯前端的透镜配件和开关；一连接部，该连接部位于照明部的下方，用于连接上方的照明部和下方的消毒盒；一消毒盒，该消毒盒位于连接照明部和消毒盒连接部的下方，该消毒盒包括紫外LED灯和为紫外LED灯提供合适电压的电路系统，该消毒盒利用紫外LED灯发出的紫外光进行杀菌消毒。本实用新型同时具有照明和杀菌消毒两种功能。
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