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公开(公告)号：CN109166963B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201811019235.X
申请日：2018-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种二维多铁半导体材料及其制备方法，在二维半导体铁电材料硒化铟中引入磁性元素，制备了兼具铁磁性和铁电性的二维多铁半导体材料，其具有2H相的六方结构，具体地，以硒粉、铟粒和磁性元素的氯化物粉末为原料，通过化学气相输运法或化学气相沉积法进行制备。本发明获得的二维多铁半导体单晶材料为二维结构，层内由共价键结合，层间由范德瓦尔斯力结合，剥离后的纳米厚薄膜同时具备铁电性和铁磁性，可作为制备高密度存储器，电磁传感器和多功能晶体管等器件的潜在应用材料。
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公开(公告)号：CN110943128A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201811106311.0
申请日：2018-09-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种二维MOSFET/MFIS多功能开关存储器件及其制备方法，制备出了全二维结构的集开关和存储特性为一体的纳米级多功能器件。其中MOSFET结构为掺杂Si，二氧化硅，二维半导体纳米片和源漏电极，实现开关功能；MFIS结构包括顶栅电极，二维铁电薄膜，立方氮化硼绝缘层薄片，二维薄层半导体纳米片和源漏电极，实现存储功能。以二维材料为沟道的场效应晶体管迁移率达到700cm2/Vs，开关比超过108；以二维铁电薄膜作为代替传统MFIS的铁电材料，突破了铁电薄膜的厚度限制，使其厚度降低至单原子层厚，约为1nm，通过施加在顶栅的电压大小，从而改变铁电薄膜的极化方向实现非易失信息存储。独特的二维MOSFET/MFIS结构，极大地提高了晶体管集成度和信息存储密度。
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公开(公告)号：CN109285945A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201810977621.3
申请日：2018-08-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种基于二维铁电半导体的非易失存储器，包括：衬底，柔性材料制备而成；石墨烯层，长条状，位于所述衬底上；二维半导体材料层，位于所述衬底和一部分石墨烯层之上；铁电薄膜，位于所述二维半导体材料层上；顶电极，位于铁电薄膜上；以及底电极，位于所述石墨烯层的一部分之上；所述非易失存储器的制备方法包括：先制备二维铁电单晶材料；在柔性衬底上制备石墨烯层；在所制备的石墨烯层上制备二维半导体材料层并利用所制备的铁电单晶材料制备铁电薄膜；以及制备顶电极和底电极，完成基于二维铁电半导体的非易失存储器的制备，以缓解现有技术中存储器进一步小型化后棘手的量子隧穿和散热困难等技术问题。
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公开(公告)号：CN102691099A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210196897.0
申请日：2012-06-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于泡生法蓝宝石晶体炉的多层结构内隔热屏，该多层结构内隔热屏整体呈圆筒形，包括自上而下依次连接的上隔热层、中隔热层和下隔热层，其中上隔热层与下隔热层位于晶体炉的低温区，中隔热层位于晶体炉的高温区。本发明由于采用了三个独立的圆筒设计，使晶体炉中的高温区全部位于中隔热层，因此上下隔热层几乎不发生损耗，因此每次只需替换中隔热层损坏的部分即可，从而减少了整个内隔热层替换的工作量，提高了工作效率，更重要的是每次只替换整个隔热层的40％，大大降低了每炉蓝宝石晶体生长的成本。
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公开(公告)号：CN102222572A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110067723.X
申请日：2011-03-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法，包括以下几个步骤：步骤1：取一导电基片；步骤2：采用丝网印刷技术，在导电基片的表面印刷TiO2浆料；步骤3：加热，使TiO2浆料中的有机溶剂挥发，得到TiO2纳米晶多孔膜，有利于染料的吸附；步骤4：在TiO2纳米晶多孔膜上沉积ZnO晶种层3，有利于ZnO纳米线的外延生长；步骤5：采用水热化学反应法，在ZnO晶种层上外延生长ZnO纳米线阵列，有利于光生电子的直线传输并加快电荷分离，完成ZnO纳米线阵列4和TiO2纳米晶多孔膜纳米复合光阳极的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102108483A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201110057072.6
申请日：2011-03-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种制备InMnP:Zn稀磁半导体的方法，采用真空镀膜后热扩散工艺，具体包括以下步骤：步骤1：将一衬底在煮沸的浓盐酸中进行化学腐蚀清洗，然后用去离子水反复冲洗5遍；步骤2：将衬底用氮气吹干，然后迅速置于真空镀膜机，并使之处于真空环境；步骤3：使用真空镀膜机在衬底上蒸镀Mn薄膜；步骤4：将附有Mn薄膜的衬底置入高温真空管式炉，在真空环境中进行高温扩散；步骤5：使用稀盐酸腐蚀清洗衬底表面残余的Mn原子和其他杂质原子，完成器件的制作。
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公开(公告)号：CN101834248A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010157611.9
申请日：2010-04-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/14
Abstract: 一种氮化镓系发光二极管，包括：一衬底；一氮化镓成核层，该氮化镓成核层制作在衬底上；一缓冲层制作在成核层上；一n型接触层制作在缓冲层上，该n型接触层由n型氮化镓构成；一活性发光层制作在n型接触层上并覆盖所述n型接触层的部分表面，所述活性发光层是由铟镓氮薄层和氮化镓薄层交互层叠形成的多周期的量子阱结构构成；一负电极制作在n型接触层未被所述活性发光层覆盖的表面上；一p型铝镓氮插入层制作在活性发光层上；一p型电子阻挡层制作在p型铝镓氮插入层上，该p型电子阻挡层由铝镓氮构成；一p型接触层制作在p型电子阻挡层上，该p型接触层由p型氮化镓构成；一正电极制作在p型接触层上，完成氮化镓系发光二极管的制作。
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公开(公告)号：CN101740360A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910241698.5
申请日：2009-12-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205 , H01L33/02
Abstract: 本发明公开了一种提高镁在III-V族氮化物中掺杂效率的方法，该方法是在镁掺杂的p型III-V族氮化物的表面蒸镀一层2nm至10nm的碲，然后在N2气氛下退火，并用酸性液体洗掉蒸镀在p型III-V族氮化物上的碲。利用本发明，使镁在III-V族氮化物中的掺杂效率大大的提高，增加了p型III-V族氮化物中空穴的浓度。
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公开(公告)号：CN101710524A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910241700.9
申请日：2009-12-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种制备InAs室温铁磁性半导体材料的方法，包括以下步骤：利用化学清剂将InAs单晶片表面清洗干净，并利用酸刻蚀法去除表面氧化层和无机物；将处理干净的InAs单晶片放入沉积设备中，沉积一层金属扩散层；将沉积了金属扩散层的InAs单晶片放入石英管中，并抽真空后密封；将真空封闭的石英管放入加热设备中恒温加热，加速扩散过程；将加热过的石英管切割开后，取出InAs单晶片，并用酸性液体刻蚀掉多余金属。用化学洗剂将InAs单晶片清洗干净，完成制备。利用本发明，能够制备出InAs体单晶的温度在300K以上的铁磁性半导体材料，且整个制备过程中所使用的设备都是技术成熟，产业常用的设备，而且缩短了制备成本和制备时间，非常利于推广。
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公开(公告)号：CN108695414B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201810485223.X
申请日：2018-05-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
Abstract: 本公开提供了一种基于二维材料异质结的片上红外LED，自下而上依次包括：衬底、第一二维绝缘薄层、第一高电导率二维薄层、N型二维薄层、直接带隙二维薄层、P型二维薄层、第二高电导率二维薄层、第二二维绝缘薄层。本公开不存在晶格失配问题，并且可通过改变有源区薄层的厚度对发光波长进行一定调整，可与硅基光子器件集成；并能增强对有源区载流子的限制，提高辐射效率；同时能够解决硅基片上光互连的光源问题，从而进一步实现片上的光通信。
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