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公开(公告)号：CN110265492A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910414304.5
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/11
Abstract: 本发明公开了一种同时模式双波段碲镉汞探测器，通过减小碲镉汞长波层厚度可使器件制备过程中刻蚀深度变小，因为刻蚀后碲镉汞长波层侧壁有一定坡度，因此减小刻蚀深度可以缩小像元中心距。减小碲镉汞长波层厚度会导致光吸收变少，在钝化层上生长金属层有利于反射电磁波从而提高碲镉汞长波层的光吸收，在减小碲镉汞长波层厚度的同时保证了良好的光吸收。
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公开(公告)号：CN110243779A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910411828.9
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞红外焦平面探测器响应光谱的计算方法，该方法主要包括入射光在碲镉汞红外焦平面探测器中的传播、碲镉汞吸收层中载流子的输运、碲镉汞吸收层表面态复合模型以及响应光谱的综合设计。设计的响应光谱曲线在干涉条纹以及在短波红外区域量子效率下降的现象与实际的测试结果一致。该设计方法对碲镉汞红外焦平面探测器响应光谱优化有重要意义。
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公开(公告)号：CN106784133A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611059411.3
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1832
Abstract: 本发明公开了一种控制碲镉汞刻蚀诱导电学反型层厚度的方法，该方法是在碲镉汞的刻蚀过程中通过控制刻蚀样品台温度来控制刻蚀诱导电学反型层厚度。首先，通过测量不同温度下刻蚀碲镉汞所得到的反型层厚度进行建模，得到了反型层厚度与刻蚀温度的关系曲线。依照此关系曲线，即可通过控制刻蚀温度控制刻蚀反型层的厚度。本发明方法可以实现在碲镉汞刻蚀过程中就能直接控制p‑n结结构，具有精确工艺控制、工艺集成等特点，为碲镉汞刻蚀反型调控提供了新的控制维度。
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公开(公告)号：CN103762274B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410021010.3
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种去除铟表面氧化层的方法。该技术方案具体包括：清洗等离子体腔体和等离子体处理两步。该方法的优点在于不仅能够去除表面氧化层而且能够有效地防止铟的新鲜表面被再次氧化。
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公开(公告)号：CN104752243A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510145228.4
申请日：2015-03-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/81
Abstract: 本发明公开一种用于红外探测器的批量倒装回熔焊工艺方法。该工艺方法包括：对准、加压及批量加热三个步骤。该方法的优点在于可以根据实际需要选用铟、金等多种材料制作焊点，简化了焊点制备工艺，降低了对焊点形貌一致性的要求，同时也克服了回熔焊技术对还原性气氛和表面处理的依赖。此外，数十片或数百片批量的倒装回熔焊有效地提高了生产效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103970933A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410121090.X
申请日：2014-03-28
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于衍射型微透镜优化红外焦平面探测器的设计方法。该方法优化了可应用于锑化铟红外焦平面阵列探测器的衍射型微透镜的光学相位结构参数及最佳厚度，显示八相位结构有最高的量子效率和最低的串音率，并可获得该结构的最佳厚度。本发明的优点在于，可以通过数值方法设计出不同衍射型微透镜结构的量子效率和串音特性，并结合透镜厚度的变化对上述特性的影响，从而提高了产品的可靠性和性能，并大幅减少了开发费用。本发明对于改善红外焦平面探测器性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN103900880A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410121087.8
申请日：2014-03-28
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N1/28
Abstract: 本发明公开一种制备用于观察倒焊互连情况的制样方法。该方法包括固定样品、固化、切割、研磨四个步骤。该方法通过对倒焊互连样品制样，能够直观的观察互连对准情况、互连均匀性及未互连情况、互连压力与互连后间隙关系、互连后底充胶等情况。作为倒装芯片技术的有效反馈，该手段可以作为焦平面、探测器、传感器器件工艺分析的佐证。
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公开(公告)号：CN101958331B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201010234867.5
申请日：2010-07-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/101 , H01L31/02
Abstract: 本发明公开了一种集成低能等离子体氢浸镀层的离子注入n+-on-p型碲镉汞(HgCdTe)红外中波(mid-wavelength)光伏探测芯片，它涉及光电探测器件技术。本发明采用在HgCdTe薄膜材料表层集成一低能等离子体氢浸镀层的离子注入n+-on-p型HgCdTe红外中波光伏探测芯片的结构方案，有效解决了传统HgCdTe红外焦平面列阵中波光伏探测芯片存在表层物理特性不理想而引起的光敏感元二极管动态阻抗和探测性能下降的问题。本发明具有结构工艺简单和集成度高的特点。
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公开(公告)号：CN101958332A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010234876.4
申请日：2010-07-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/101 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种光电二极管n区结构优化的离子注入n+-on-p型碲镉汞(HgCdTe)红外长波(long-wavelength)光伏探测芯片，它涉及光电探测器件技术。本发明采用光电二极管n区由通过离子注入和低能等离子体优化形成的离子注入损伤修复区和光电二极管p-n结的推进区构成的n+-on-p型HgCdTe红外长波光伏探测芯片的结构方案，有效解决了传统HgCdTe红外焦平面列阵长波光伏探测芯片电学n区存在离子注入损伤和p-n结电场位于物理损伤区，而引起的光敏感元二极管动态阻抗和探测性能下降的问题。本发明具有结构集成度高的特点。
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公开(公告)号：CN101958330A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010234857.1
申请日：2010-07-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/101 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种电极金属化共用离子注入窗口的离子注入n+-on-p型碲镉汞(HgCdTe)红外光伏探测芯片，它涉及光电探测器件技术。基于离子注入诱导损伤形成的n区面积明显大于实际离子注入窗口的面积的试验结果，本发明采用光电二极管n区的电极金属化共用离子注入窗口的离子注入n+-on-p型HgCdTe红外光伏探测芯片的结构方案，有效解决了HgCdTe红外光伏探测芯片在像元尺寸的进一步缩小时n区离子注入窗口内制备光敏元金属化电极的面积变得非常有限而引起的电极金属化技术难度加大和光敏感元n区金属化区域HgCdTe表面在红外焦平面探测器倒装互连过程中承受挤压作用力增加的问题。本发明方法具有结构工艺简化和集成度高的特点。
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