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公开(公告)号：CN117200773A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311065885.9
申请日：2023-08-22
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种光开关切换延时芯片中光开关控制电压的无损标定方法，通过多通道电压输出模块、光功率探测模块、单片机模块组成光开关切换延时芯片标定与控制系统，用以标定光开关S1～Sn的“直通”与“交叉”状态的控制电压。该方法通过迭代优化光开关切换延时芯片中所有光开关的控制电压可以获得各光开关在最后一个端口的最大输出消光比。随着迭代次数的增加，输出消光比会不断增大到预设范围并保持稳定，最终获得光开关切换延时芯片中各光开关的“直通”与“交叉”状态的控制电压。本发明在无需引入额外光学器件的情况下通过迭代优化实现了光开关切换延时芯片中各级光开关控制电压的自动、简单且无损的标定。
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公开(公告)号：CN116707659A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310149109.0
申请日：2023-02-22
Applicant: 东南大学
IPC: H04B10/80 , H04B10/556
Abstract: 本发明涉及一种基于马赫泽德干涉仪及微环谐振器单元结构的可编程可扩展光子处理核心，包括一种可调谐基本单元TBU，该TBU包括一个可调谐光耦合器以及一个微环谐振器型光开关。其中，可调谐光耦合器内部设置有移相器，通过控制电路实现耦合系数的调节；微环谐振器型光开关为双环结构，并在环波导上设置移相器，可调节其谐振波长与光开关的通带或阻带带宽。多个核心元胞连接到可调谐基本单元TBU以构成预定形状的核心元胞，根据所设置的光耦合系数、相位及波长范围将光信号以预定光路径进行传输。本发明的光子处理核心可重构为对称MZI、不对称MZI、微环谐振器、线性光计算网络、波分复用/解复用系统以及波束形成等。
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公开(公告)号：CN113253537B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202110543228.5
申请日：2021-05-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI材料制备的马赫‑曾德尔干涉仪型可调分数阶光场微分器，包括基于SOI材料制备的2×2定向耦合器、两根长度不等的干涉臂以及2×1的多模干涉耦合器(MMI)，另外包括在定向耦合器耦合区域上方的热电极。其中定向耦合器将受调制的输入光按一定比例分成两束，长度不等的干涉臂使输入光在干涉臂的出口处形成π的相位差，之后经MMI形成相消干涉，完成对输入光的微分操作。所述的热电极加载电信号，通过改变定向耦合器输出端的分光比，以实现输入光在工作波长处的干涉强度变化，从而使得微分器微分阶数的调整。
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公开(公告)号：CN111010172B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201911070392.8
申请日：2019-11-05
Applicant: 东南大学
IPC: H03L7/099
Abstract: 本发明公布了一种频率可调谐倍频三角波、方波的产生装置及方法，所述装置包括激光器，第一偏振控制器，第一强度调制器（MZM1），微波源，微波功分器，第一电压源，第二偏振控制器，偏振分束器，第二强度调制器（MZM2），微波放大器，第二电压源，偏振合束器，光电探测器，90°移相器。所述方法如下：激光经MZM1调制产生±1阶光边带，此信号经偏振分束器分成两束偏振态相互垂直的光，一路进入MZM2调制后产生±3阶光边带。两路光信号经偏振合束器后送入光电探测器，分别拍频得二次、六次谐波，通过调节二者幅度比，即可产生倍频三角波、方波。本发明不需要滤波器、倍频器等复杂器件，具有系统复杂度低、成本低、可调性好、可调谐范围大、易于实现等优点。
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公开(公告)号：CN113528136B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202110811932.4
申请日：2021-07-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于悬空氮化硅薄膜增强二硫化钼荧光的方法，用二硫化钼作为发光材料，悬空氮化硅薄膜作为衬底，在氮化硅薄膜背面镀银并刻蚀纳米阵列。通过银纳米阵列激发表面等离子激元产生双共振，增加二硫化钼光的吸收效率和量子产生效率，使二硫化钼荧光增强；悬空氮化硅薄膜的应用减少了衬底对二硫化钼的影响，进一步增强了荧光。本发明增强荧光的方法所使用的结构简单且易于加工，增强荧光的效果显著。本发明中设计的结构可应用于发光器件，通过增加电极，调节背栅电压，实现二硫化钼荧光强度的调控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115050869A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210618156.0
申请日：2022-06-01
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供了一种具有变Al组分电子阻挡层的发光二极管，由下至上依次包括衬底、AlN层、u‑AlGaN层、n‑AlGaN层、多量子阱有源区、变Al组分电子阻挡层、p‑AlGaN层和p‑GaN层。在n‑AlGaN上设置n型欧姆电极，在p‑GaN上设置p型欧姆电极。本发明所提供的变Al组分电子阻挡层结构由M个Al组分逐级降低的高Al组分的p‑AlGaN亚层和M‑1个低Al组分的p‑AlGaN亚层交替组合而成。与传统LED的EBL结构相比，本发明所提供的VAC‑EBL结构能够增强对多量子阱有源区中电子的限制，减少溢出电子与空穴非辐射复合的几率。
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公开(公告)号：CN111103261B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202010035589.4
申请日：2020-01-14
Applicant: 东南大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种基于亚波长光栅跑道型微环谐振器的折射率传感器，包括两条直线信道波导和五个跑道型微环谐振器。每个所述跑道型微环谐振器均包括一个上直道段和一个下直道段，其中第一个跑道型微环谐振器位于两条直线信道波导之间，上下直道段分别与两条直线信道波导耦合；另外四个跑道型微环谐振器的上直道段均与下方直线信道波导耦合，下直道段不经过耦合区域。本发明使用时，输入的光由上方直线信道波导耦合入第一个跑道型微环谐振器，而后耦合出至下方直线信道波导，再经由四个跑道型微环谐振器，最终在输出端形成尖锐且低背景噪声的单一谐振峰，实现高灵敏度，高品质因子，低误差的液体折射率检测功能。
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公开(公告)号：CN114883463A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210618153.7
申请日：2022-06-01
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有光子晶体反射层结构的发光二极管，包括由下而上依次设置的光子晶体反射层、衬底、氮化物缓冲层、n型氮化物层、多量子阱结构、电子阻挡层、p型氮化物层、透明导电层，所述n型氮化物层上设置的n型电极和所述p型氮化物层上设置的p型电极。其中光子晶体反射层由二种金属层和二种氧化物层交替插入组成，本发明通过引入由二种金属层和二种氧化物层交替插入形成的光子晶体反射层结构，能够对光子晶体反射层的光子禁带进行调制，可灵活并且极大地改变光子晶体反射层的反射率与适用波段，从而可实现对LED的较宽连续波段的发射光具有高反射率，因而能够有效地提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN113257962B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202110509332.2
申请日：2021-05-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有p‑i‑n型多量子阱结构的紫外发光二极管，由下到上依次设置有衬底、AlN缓冲层、n型AlGaN层、p‑i‑n型多量子阱有源区、电子阻挡层、p型AlGaN层、p型GaN欧姆接触层，以及设置在n型AlGaN层上的n型电极和设置在p型GaN欧姆接触层上的p型电极。本发明提供的具有p‑i‑n型多量子阱结构的紫外发光二极管能够提高载流子浓度及注入效率，并可利用掺杂浓度不同的相邻区域中载流子的浓度差形成一个与原有内建电场方向相反的电场，能够削弱p型区与n型区之间原有的内建电场，降低由内建极化电场导致的量子限制斯塔克效应，从而使电子与空穴的辐射复合效率得到提高，增强紫外发光二极管的发光功率。
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公开(公告)号：CN112630995B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202110029699.4
申请日：2021-01-11
Applicant: 东南大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明提出了硅基偏振旋转器转换光信号偏振态的方法，该硅基偏振旋转器包括依次级联的模式转换器和非对称多模波导光栅，所述的模式转换器由三级锥形波导级联而成；所述模式转换器，将输入光信号的磁场方向与传播方向垂直的横磁模基模即TM0模式转换为电场方向与传播方向垂直的一阶横电模即TE1模式输出到非对称多模波导光栅，以及将从非对称多模波导光栅反射回来的TE1模式转换为TM0模式，而输入光信号的电场方向与传播方向垂直的横电模基模即TE0模式的传输不改变偏振态；所述非对称多模波导光栅，将从模式转换器输出的TE0模式反射为TE1模式输入回模式转换器，转换为TM0模式，并将从模式转换器输出的TE1模式反射为TE0模式，输入回模式转换器，偏振态不变。
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