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公开(公告)号：CN113257962B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202110509332.2
申请日：2021-05-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有p‑i‑n型多量子阱结构的紫外发光二极管，由下到上依次设置有衬底、AlN缓冲层、n型AlGaN层、p‑i‑n型多量子阱有源区、电子阻挡层、p型AlGaN层、p型GaN欧姆接触层，以及设置在n型AlGaN层上的n型电极和设置在p型GaN欧姆接触层上的p型电极。本发明提供的具有p‑i‑n型多量子阱结构的紫外发光二极管能够提高载流子浓度及注入效率，并可利用掺杂浓度不同的相邻区域中载流子的浓度差形成一个与原有内建电场方向相反的电场，能够削弱p型区与n型区之间原有的内建电场，降低由内建极化电场导致的量子限制斯塔克效应，从而使电子与空穴的辐射复合效率得到提高，增强紫外发光二极管的发光功率。
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公开(公告)号：CN113257962A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110509332.2
申请日：2021-05-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有p‑i‑n型多量子阱结构的紫外发光二极管，由下到上依次设置有衬底、AlN缓冲层、n型AlGaN层、p‑i‑n型多量子阱有源区、电子阻挡层、p型AlGaN层、p型GaN欧姆接触层，以及设置在n型AlGaN层上的n型电极和设置在p型GaN欧姆接触层上的p型电极。本发明提供的具有p‑i‑n型多量子阱结构的紫外发光二极管能够提高载流子浓度及注入效率，并可利用掺杂浓度不同的相邻区域中载流子的浓度差形成一个与原有内建电场方向相反的电场，能够削弱p型区与n型区之间原有的内建电场，降低由内建极化电场导致的量子限制斯塔克效应，从而使电子与空穴的辐射复合效率得到提高，增强紫外发光二极管的发光功率。
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公开(公告)号：CN118412375A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410614549.3
申请日：2024-05-17
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/24
Abstract: 本发明公开了一种具有二维化合物插入层的氮极性GaN基高电子迁移率晶体管，包括：由下至上依次设置的衬底、氮极性缓冲层、氮极性高阻GaN层、氮极性势垒层、二维化合物插入层、氮极性GaN沟道层，以及位于沟道层相对两端及中部的源极、漏极和栅极，其中二维化合物插入层为单一MoS2、WS2、MoSe2、WSe2化合物层或由其中的两种或两种以上化合物层交替叠加组成的异质结构。本发明可以极大地缓解甚至消除背势垒层和沟道层之间的晶格失配，使得制备异质结时能够突破晶格匹配程度的限制，有利于提升GaN沟道层的晶体质量，使得氮极性GaN基HEMT的使用寿命得到提高，有利于提高氮极性GaN基高电子迁移率晶体管的响应度。
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公开(公告)号：CN116855992A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310802655.X
申请日：2023-07-03
Applicant: 东南大学
IPC: C25B11/087 , C02F1/461 , C02F1/72 , C25B11/053 , C25B1/04 , B82Y40/00 , C23C16/34 , C23C16/56 , C30B29/40 , C30B33/12 , C23C14/10 , C23C14/06 , C23C16/40
Abstract: 本发明公开了一种具有高光电催化分解水能力的异质结构及其制备方法，所述异质结构由下至上依次设置有衬底、缓冲层、GaN纳米柱、掩膜层、InxGa1‑xN包覆层，其中GaN纳米柱和InxGa1‑xN包覆层所属的六方晶系的c轴方向平行于柱状结构侧壁的法线方向。本发明提供的异质结构，能够通过调节InxGa1‑xN包覆层的In和Ga组分实现全可见光谱波长范围的光吸收并产生光生载流子，同时利用InxGa1‑xN包覆层中的压电极化电场促进光生电子和光生空穴的分离，使得电子、空穴分别定向迁移至InxGa1‑xN包覆层的两侧；并且由于分立的纳米柱状InxGa1‑xN/GaN结构所具有的大比表面积，为光生载流子提供了更多参与光电催化分解水的反应位点，有利于提高光生载流子的利用率及光电催化分解水制氢的效率。
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