一种光开关切换延时芯片中光开关控制电压的无损标定方法

    公开(公告)号:CN117200773A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311065885.9

    申请日:2023-08-22

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种光开关切换延时芯片中光开关控制电压的无损标定方法,通过多通道电压输出模块、光功率探测模块、单片机模块组成光开关切换延时芯片标定与控制系统,用以标定光开关S1~Sn的“直通”与“交叉”状态的控制电压。该方法通过迭代优化光开关切换延时芯片中所有光开关的控制电压可以获得各光开关在最后一个端口的最大输出消光比。随着迭代次数的增加,输出消光比会不断增大到预设范围并保持稳定,最终获得光开关切换延时芯片中各光开关的“直通”与“交叉”状态的控制电压。本发明在无需引入额外光学器件的情况下通过迭代优化实现了光开关切换延时芯片中各级光开关控制电压的自动、简单且无损的标定。

    一种基于掺杂脊型光波导的高带宽SOI调制器

    公开(公告)号:CN117784454A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202410099536.7

    申请日:2024-01-24

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于掺杂脊型光波导的高带宽SOI调制器。所述脊型光波导为采用掺杂硅制备而成的脊型波导,其结构包括P++掺杂区、P+掺杂区、P‑掺杂区、P掺杂区、N掺杂区、N‑掺杂区、N+掺杂区、N++掺杂区,其中P掺杂区和N掺杂区位于脊型波导的中心区域,P++、P+、P‑、N++、N+、N‑掺杂区域位于平板波导区域。以行波电极进行驱动,本发明可以实现高效率高带宽的电光调制。

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