公开(公告)号：CN115050869A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202210618156.0

申请日：2022-06-01

Applicant: 东南大学

Inventor： 张雄 ,  崔佳 ,  罗旭光 ,  胡国华 ,  崔一平

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/04 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供了一种具有变Al组分电子阻挡层的发光二极管，由下至上依次包括衬底、AlN层、u‑AlGaN层、n‑AlGaN层、多量子阱有源区、变Al组分电子阻挡层、p‑AlGaN层和p‑GaN层。在n‑AlGaN上设置n型欧姆电极，在p‑GaN上设置p型欧姆电极。本发明所提供的变Al组分电子阻挡层结构由M个Al组分逐级降低的高Al组分的p‑AlGaN亚层和M‑1个低Al组分的p‑AlGaN亚层交替组合而成。与传统LED的EBL结构相比，本发明所提供的VAC‑EBL结构能够增强对多量子阱有源区中电子的限制，减少溢出电子与空穴非辐射复合的几率。

公开(公告)号：CN111628057A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN202010461449.3

申请日：2020-05-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 张雄 ,  罗旭光 ,  崔一平

IPC: H01L33/10

Abstract: 本发明公开了一种具有亚波长光栅反射镜的紫外发光二极管，包括：由上而下依次设置的衬底、AlN成核层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、AlxGa(1-x)N/AlyGa(1-y)N多量子阱层、AlGaN电子阻挡层、p型AlGaN层、在p型AlGaN层下方设置p型欧姆电极，并在p型AlGaN层的其余位置刻蚀亚波长光栅反射镜，在n型AlGaN层下方设置n型欧姆电极，在p型欧姆电极和n型欧姆电极正下方分别设置两个凸点，在两个凸点下设置基座。本发明其结构中的亚波长光栅反射镜具有制备工艺简单、成本低廉的优点，通过优化相关参数，反射率可以达到99％以上；能够有效地提高多量子阱有源区发出的原本向下发出的紫外光被反射向上的反射效率，增加衬底测的出光，从而提高紫外LED的发光强度和发光效率。