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公开(公告)号：CN113528120B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110811775.7
申请日：2021-07-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于双共振效应实现在非共振波长处的激子谷极化方法，通过入射激光激发手性微结构衬底在入射波长处的共振，实现对覆盖层的过渡金属硫化物的吸收与荧光增强，再利用过渡金属硫化物所产生的荧光激发衬底在激子共振波长处的共振，从而实现激子在非共振波长处的谷极化。其采用的基于过渡金属硫化物的准三维手性微结构可通过聚焦离子束刻蚀配合金属溅射的方法构建，且衬底所激发的表面等离子体共振能够有效的延长激子寿命，使得室温谷极化操作成为可能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113528136B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202110811932.4
申请日：2021-07-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于悬空氮化硅薄膜增强二硫化钼荧光的方法，用二硫化钼作为发光材料，悬空氮化硅薄膜作为衬底，在氮化硅薄膜背面镀银并刻蚀纳米阵列。通过银纳米阵列激发表面等离子激元产生双共振，增加二硫化钼光的吸收效率和量子产生效率，使二硫化钼荧光增强；悬空氮化硅薄膜的应用减少了衬底对二硫化钼的影响，进一步增强了荧光。本发明增强荧光的方法所使用的结构简单且易于加工，增强荧光的效果显著。本发明中设计的结构可应用于发光器件，通过增加电极，调节背栅电压，实现二硫化钼荧光强度的调控。
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公开(公告)号：CN113528136A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110811932.4
申请日：2021-07-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于悬空氮化硅薄膜增强二硫化钼荧光的方法，用二硫化钼作为发光材料，悬空氮化硅薄膜作为衬底，在氮化硅薄膜背面镀银并刻蚀纳米阵列。通过银纳米阵列激发表面等离子激元产生双共振，增加二硫化钼光的吸收效率和量子产生效率，使二硫化钼荧光增强；悬空氮化硅薄膜的应用减少了衬底对二硫化钼的影响，进一步增强了荧光。本发明增强荧光的方法所使用的结构简单且易于加工，增强荧光的效果显著。本发明中设计的结构可应用于发光器件，通过增加电极，调节背栅电压，实现二硫化钼荧光强度的调控。
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公开(公告)号：CN113481007B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202110812451.5
申请日：2021-07-19
Applicant: 东南大学
IPC: C09K11/68
Abstract: 本发明公开了一种基于双L型超表面结构增强二硫化钼荧光的方法，通过激发表面等离激元双共振增强二硫化钼的光致发光强度；其中，选用单层二硫化钼作为发光材料，利用基于双L型超表面结构激发表面等离激元共振，在激发波段和发射波段产生的双共振来增强二硫化钼的光吸收效率。本发明基于超表面手性结构，能够增强二硫化钼光致发光，并可以进一步探索谷自旋物理机制，调控荧光偏振态，同时本发明可应用于高性能低维材料器件，光电子器件等。
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公开(公告)号：CN113528120A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110811775.7
申请日：2021-07-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于双共振效应实现在非共振波长处的激子谷极化方法，通过入射激光激发手性微结构衬底在入射波长处的共振，实现对覆盖层的过渡金属硫化物的吸收与荧光增强，再利用过渡金属硫化物所产生的荧光激发衬底在激子共振波长处的共振，从而实现激子在非共振波长处的谷极化。其采用的基于过渡金属硫化物的准三维手性微结构可通过聚焦离子束刻蚀配合金属溅射的方法构建，且衬底所激发的表面等离子体共振能够有效的延长激子寿命，使得室温谷极化操作成为可能。
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公开(公告)号：CN113481007A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110812451.5
申请日：2021-07-19
Applicant: 东南大学
IPC: C09K11/68
Abstract: 本发明公开了一种基于双L型超表面结构增强二硫化钼荧光的方法，通过激发表面等离激元双共振增强二硫化钼的光致发光强度；其中，选用单层二硫化钼作为发光材料，利用基于双L型超表面结构激发表面等离激元共振，在激发波段和发射波段产生的双共振来增强二硫化钼的光吸收效率。本发明基于超表面手性结构，能够增强二硫化钼光致发光，并可以进一步探索谷自旋物理机制，调控荧光偏振态，同时本发明可应用于高性能低维材料器件，光电子器件等。
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