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公开(公告)号：CN113130629A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202010998536.2
申请日：2020-09-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/08 , H01L29/78 , H01L27/088 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体器件，包括：有源图案，在第一方向上延伸；沟道图案，在有源图案上，并且包括竖直堆叠的半导体图案；源极/漏极图案，在有源图案中的凹部中；栅电极，在有源图案上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸，栅电极围绕每个半导体图案的顶表面、至少一个侧表面和底表面；以及栅极间隔物，覆盖栅电极的侧表面，并且具有向半导体图案的开口，其中，源极/漏极图案包括覆盖凹部的内侧的缓冲层，缓冲层包括彼此相对的外侧表面和内侧表面，并且外侧表面和内侧表面中的每一个是朝向栅电极凸出地弯曲的弯曲表面。
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公开(公告)号：CN112909074A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202011282169.2
申请日：2020-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种半导体器件。半导体器件包括：半导体衬底上的有源区；有源区上的沟道区；在有源区上邻近沟道区的源极/漏极区；沟道区上与沟道区交叠的栅极结构；源极/漏极区上的接触结构；接触结构和栅极结构之间的栅极间隔物；以及围绕接触结构的侧表面的接触间隔物。源极/漏极区包括具有凹陷表面的第一外延区、以及第一外延区的凹陷表面上的第二外延区，并且第二外延区包括延伸部，延伸部在水平方向上从在竖直方向上与接触结构交叠的部分延伸，并且在竖直方向上与接触间隔物交叠。
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公开(公告)号：CN112054057A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010106539.0
申请日：2020-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的器件隔离层，所述器件隔离层限定第一有源图案；位于所述第一有源图案上的成对的第一源极/漏极图案，所述成对的第一源极/漏极图案在第一方向上彼此间隔开，并且所述成对的第一源极/漏极图案中的每个第一源极/漏极图案在所述第一方向上具有最大第一宽度；位于所述成对的第一源极/漏极图案之间的第一沟道图案；位于所述第一沟道图案上并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的栅电极；以及位于所述第一有源图案中的第一非晶区，所述第一非晶区位于所述成对的第一源极/漏极图案中的至少一个第一源极/漏极图案下方，并且所述第一非晶区在所述第一方向上具有小于所述最大第一宽度的最大第二宽度。
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公开(公告)号：CN110729291A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910603071.3
申请日：2019-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L27/11
Abstract: 一种半导体器件包括：包括有源图案的衬底；跨越有源图案的栅电极；源极/漏极图案，与栅电极的一侧相邻并且在有源图案的上部；电连接到源极/漏极图案的有源接触；以及在源极/漏极图案与有源接触之间的硅化物层，源极/漏极图案包括包含多个半导体图案的主体部以及在主体部上的盖图案，主体部具有第一面、在第一面上的第二面、以及限定在第一面与第二面相交之处的拐角边缘，拐角边缘平行于衬底延伸，盖图案覆盖主体部的第二面并暴露拐角边缘，硅化物层覆盖主体部的顶表面和盖图案的顶表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110718590A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910630460.5
申请日：2019-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 一种半导体器件，包括：鳍式有源区，其在衬底上沿着与衬底的上表面平行的第一方向延伸；和源极/漏极区，其在延伸到鳍式有源区内的凹陷区内，其中，源极/漏极区包括：第一源极/漏极材料层；在第一源极/漏极材料层上的第二源极/漏极材料层；和在第一源极/漏极材料层和第二源极/漏极材料层之间的界面上的第一掺杂物扩散阻挡层。
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公开(公告)号：CN110137137A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910103231.8
申请日：2019-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L29/78
Abstract: 一种集成电路半导体器件包括：第一区域，具有第一有源图案，该第一有源图案具有第一突出部分和第一凹陷部分；以及第二区域，具有第二有源图案，该第二有源图案具有第二突出部分和第二凹陷部分。第一栅极图案在第一突出部分上。第二栅极图案在第二突出部分上。第一源极/漏极区域在第一有源图案的第一凹陷部分之一上且在第一栅极图案中的两个之间。第一源极/漏极区域在其上部具有第一增强外延层。第二源极/漏极区域在第二有源图案的第二凹陷部分之一上且在第二栅极图案中的两个之间。第二源极/漏极区域具有第二增强外延层，该第二增强外延层具有与第一增强外延层的第一外延生长表面不同地成形的外延生长表面。
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公开(公告)号：CN108073261A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711069225.2
申请日：2017-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/28
CPC classification number: G06F3/1446 , G06F1/28 , G06F1/30 , G06F1/3265 , G09G5/003 , G09G5/10 , G09G5/14 , G09G2300/026 , G09G2320/0626 , G09G2330/02 , G09G2330/021 , G09G2330/08 , G09G2330/12 , G09G2354/00 , G09G2360/08
Abstract: 显示装置包括显示图像的至少第一部分的显示器、向显示装置提供电力的电源单元，以及并联连接电源单元和显示图像的至少第二部分的另一显示装置的另一电源单元的输入/输出端口。
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公开(公告)号：CN103383635B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201310159786.7
申请日：2013-05-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F3/1446 , G06F3/147 , G09G2360/04 , G09G2370/04 , G09G2370/042
Abstract: 提供了一种包括多个监视器的视频墙的排列的自动检测方法以及视频墙系统。该方法包括：由控制计算机调用多个监视器中的第一监视器的标识信息；由第一监视器向控制计算机发送响应信号并且由与被调用的标识信息不对应的第二监视器向控制计算机发送检测信号，所述检测信号包括所述响应信号的接收方向；以及由控制计算机接收所述检测信号，并且根据所接收的检测信号确定多个监视器的排列。
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公开(公告)号：CN107968119A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201710217824.8
申请日：2017-04-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/42376 , H01L23/5283 , H01L29/0673 , H01L29/0847 , H01L29/42364 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/7831 , H01L29/78696 , H01L29/4232
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件至少包括第一线图案、栅电极、半导体图案、栅绝缘层和第一间隔物。第一线图案在衬底上并与衬底分隔开。栅电极围绕第一线图案并交叉第一线图案。半导体图案在第一线图案的两侧，并且半导体图案包括交叠第一线图案的部分。栅绝缘层设置在栅电极与第一线图案之间，并且栅绝缘层围绕第一线图案。第一间隔物在第一线图案与衬底之间，并且第一间隔物在栅绝缘层与半导体图案之间。
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