公开(公告)号：CN114628491A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202111211674.2

申请日：2021-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔珉姬 ,  郑谞珍 ,  金锡勋 ,  金正泽 ,  朴判贵 ,  梁炆承 ,  河龙

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种集成电路器件包括：鳍型有源区，位于衬底上；至少一个纳米片，具有面对鳍顶的底表面；栅极线，位于所述鳍型有源区上；以及源极/漏极区，位于所述鳍型有源区上，与所述栅极线相邻，并且与所述至少一个纳米片接触，其中，所述源极/漏极区包括下主体层和上主体层，所述下主体层的顶表面包括下刻面，所述下刻面在其在从所述至少一个纳米片到所述源极/漏极区的中心的方向上延伸时朝向所述衬底下降的，并且所述上主体层包括与所述下刻面接触的底表面和具有上刻面的顶表面。对于垂直截面，所述下刻面沿着相应的第一线延伸，所述上刻面沿着与所述第一线相交的第二线延伸。

公开(公告)号：CN113130629A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202010998536.2

申请日：2020-09-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河龙 ,  金东宇 ,  金傔 ,  金容丞 ,  朴判贵 ,  李承勋

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体器件，包括：有源图案，在第一方向上延伸；沟道图案，在有源图案上，并且包括竖直堆叠的半导体图案；源极/漏极图案，在有源图案中的凹部中；栅电极，在有源图案上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸，栅电极围绕每个半导体图案的顶表面、至少一个侧表面和底表面；以及栅极间隔物，覆盖栅电极的侧表面，并且具有向半导体图案的开口，其中，源极/漏极图案包括覆盖凹部的内侧的缓冲层，缓冲层包括彼此相对的外侧表面和内侧表面，并且外侧表面和内侧表面中的每一个是朝向栅电极凸出地弯曲的弯曲表面。

公开(公告)号：CN119403189A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411004238.1

申请日：2024-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许洋 ,  金傔 ,  朴判贵 ,  河龙 ,  许伦

IPC: H10D62/13 ,  H10D30/62 ,  H10D84/83 ,  H10D84/03

Abstract: 一种半导体装置包括：基底；有源区域，在基底上沿着第一水平方向延伸，并且包括第一有源图案、第二有源图案和过渡有源图案，第一有源图案在基底的底表面上方沿着竖直方向的第一高度处并且在水平的第二方向上具有第一宽度，第二有源图案在第二方向上具有不同于第一宽度的第二宽度，过渡有源图案将第一有源图案连接到第二有源图案；栅极结构，与有源区域交叉，每个栅极结构在第二方向上横跨基底延伸；源极/漏极区域，设置在栅极结构的侧面上，并且包括设置在第一有源图案上的第一源极/漏极区域、设置在第二有源图案上的第二源极/漏极区域和设置在过渡有源图案上的过渡源极/漏极区域。

公开(公告)号：CN108933165B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN201810513295.0

申请日：2018-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘贤琯 ,  金孝珍 ,  河龙

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：鳍型图案，其形成在衬底上并包括由沟槽限定的第一侧壁和第二侧壁；场绝缘膜，其与第一侧壁和第二侧壁接触放置并填充沟槽；以及外延图案，其形成在鳍型图案上并包括第一外延层和形成在第一外延层上的第二外延层。

公开(公告)号：CN114628500A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202111116770.9

申请日：2021-09-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金正泽 ,  金锡勋 ,  朴判贵 ,  梁炆承 ,  郑㥠珍 ,  崔珉姬 ,  河龙

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件包括：多沟道有源图案；多个栅极结构，位于所述多沟道有源图案上并在第一方向上彼此间隔开，所述多个栅极结构包括在与所述第一方向不同的第二方向上延伸的栅电极；源极/漏极凹陷，位于相邻的所述栅极结构之间；以及源极/漏极图案，在所述源极/漏极凹陷中位于所述多沟道有源图案上，其中，所述源极/漏极图案包括：半导体衬垫层，包括硅锗并沿着所述源极/漏极凹陷延伸；半导体填充层，包括硅锗并位于所述半导体衬垫层上；以及至少一个半导体插入层，位于所述半导体衬垫层和所述半导体填充层之间，其中，所述至少一个半导体插入层具有鞍结构。

公开(公告)号：CN112530944A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010643649.0

申请日：2020-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承烈 ,  金容丞 ,  金正泽 ,  朴判贵 ,  徐东灿 ,  梁炆承 ,  郑谞珍 ,  崔珉姬 ,  河龙

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种集成电路器件，包括：鳍型有源区，从衬底突出并沿第一方向延伸；多个半导体图案，与鳍型有源区的上表面分开设置，所述多个半导体图案均包括沟道区；栅电极，围绕所述多个半导体图案，在垂直于第一方向的第二方向上延伸，并且包括主栅电极和子栅电极，其中所述主栅电极设置在所述多个半导体图案中的最上方半导体图案上并在第二方向上延伸，且所述子栅电极设置在多个半导体图案之间；第一间隔结构，设置在所述主栅电极的两个侧壁上；以及源极区/漏极区，与所述多个半导体图案相连，设置在所述栅电极的两侧，并接触所述间隔结构的底表面。

公开(公告)号：CN114639734A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202111326140.4

申请日：2021-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑㥠珍 ,  高到贤 ,  金锡勳 ,  金正泽 ,  朴判贵 ,  梁炆承 ,  崔珉姬 ,  河龙

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源图案，包括下图案和多个片图案；栅极结构，设置在下图案上并且围绕多个片图案；以及源极/漏极图案，填充源极/漏极凹陷并且形成在栅极结构的至少一侧上。源极/漏极图案包括沿着源极/漏极凹陷延伸并且接触下图案的第一半导体图案以及依次地设置在第一半导体图案上的第二半导体图案和第三半导体图案，第三半导体图案的下表面设置在最下面的片图案的下表面下方，第三半导体图案的侧表面包括平面部分，并且在第三半导体图案的下表面上的第二半导体图案的厚度与在第三半导体图案的侧表面的平面部分上的第二半导体图案的厚度不同。

公开(公告)号：CN114597252A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202111388186.9

申请日：2021-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金正泽 ,  金锡勋 ,  河龙 ,  朴判贵 ,  申东石

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体装置，包括：有源图案，其包括在第一方向上延伸的下图案和在垂直于第一方向的第二方向上与下图案间隔开的多个片图案；多个栅极结构，其位于下图案上以在第一方向上彼此间隔开，并且包括包围多个片图案的栅电极和栅极绝缘膜；源极/漏极凹部，其限定在彼此相邻的栅极结构之间；以及源极/漏极图案，其位于源极/漏极凹部内部，并且包括沿着源极/漏极凹部连续地形成的半导体阻挡膜，其中，源极/漏极凹部包括多个宽度延伸区域，并且宽度延伸区域中的每一个在第一方向上的宽度随着其远离下图案的上表面而增大并且随后减小。

公开(公告)号：CN115881780A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210712796.8

申请日：2022-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河龙 ,  金锡勳 ,  高到贤 ,  金正泽 ,  梁炆承 ,  李相吉 ,  郑揟珍

IPC: H01L29/08 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括有源图案；沟道图案，设置在有源图案上，其中，沟道图案包括竖直堆叠并彼此间隔开的多个半导体图案；源极/漏极图案，连接到半导体图案；以及栅电极，设置在半导体图案上。栅电极包括分别置于半导体图案之间的多个部分，源极/漏极图案包括与半导体图案接触的缓冲层和设置在缓冲层上的主层。缓冲层包含硅锗(SiGe)，并且包括第一半导体层和在第一半导体层上的第一回流层。第一回流层的锗浓度小于第一半导体层的锗浓度。

公开(公告)号：CN114725201A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202111493819.2

申请日：2021-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河龙 ,  金锡勋 ,  金正泽 ,  朴判贵 ,  梁炆承 ,  郑㥠珍

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，包括：有源图案，其包括下部图案和在第一方向上与下部图案间隔开的片状图案；栅极结构，其位于下部图案上，并且包括围绕片状图案的栅电极，栅电极在垂直于第一方向的第二方向上延伸；以及源极/漏极图案，其在下部图案上并且与片状图案接触。片状图案与源极/漏极图案之间的接触表面在第二方向上具有第一宽度，并且片状图案在第二方向上具有大于第一宽度的第二宽度。