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公开(公告)号:CN104756221B
公开(公告)日:2017-05-03
申请号:CN201380058004.9
申请日:2013-09-06
Applicant: 哈维尔克有限责任公司
Inventor: H.W.P.库普斯
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , C23C14/28 , C23C14/30 , H01B1/14 , H01B1/16 , H01B1/20 , H01B1/22 , H01J9/025 , H01J19/38 , H01J19/57 , H01J43/246 , H01J2201/3048 , H01J2201/30488 , H01J2201/30496
Abstract: 本发明涉及纳米颗粒材料(NGM),其具有通过电荷以在室温下在重叠激子表面轨道状态下由玻色——爱因斯坦——凝聚(BEC)产生的玻色子的形式移动而以与高Tc半导体相比100倍的电流密度传导电流的非凡能力,并且具有光相关导电率。该材料被设置在导电连接之间,并且是纳米晶体复合材料。本发明还涉及包括NGM的电部件和用于使用无机化合物通过施加于基底的微粒束致沉积来制造NGM的方法和装置,所述无机化合物由于其蒸气压而被吸附在基底的表面上,并且其使得晶体传导相被嵌入包围材料的无机绝缘基质中。
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公开(公告)号:CN104756221A
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:CN201380058004.9
申请日:2013-09-06
Applicant: 哈维尔克有限责任公司
Inventor: H.W.P.库普斯
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , C23C14/28 , C23C14/30 , H01B1/14 , H01B1/16 , H01B1/20 , H01B1/22 , H01J9/025 , H01J19/38 , H01J19/57 , H01J43/246 , H01J2201/3048 , H01J2201/30488 , H01J2201/30496
Abstract: 本发明涉及纳米颗粒材料(NGM),其具有通过电荷以在室温下在重叠激子表面轨道状态下由玻色——爱因斯坦——凝聚(BEC)产生的玻色子的形式移动而以与高Tc半导体相比100倍的电流密度传导电流的非凡能力,并且具有光相关导电率。该材料被设置在导电连接之间,并且是纳米晶体复合材料。本发明还涉及包括NGM的电部件和用于使用无机化合物通过施加于基底的微粒束致沉积来制造NGM的方法和装置,所述无机化合物由于其蒸气压而被吸附在基底的表面上,并且其使得晶体传导相被嵌入包围材料的无机绝缘基质中。
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公开(公告)号:CN102884605B
公开(公告)日:2015-07-15
申请号:CN201180017218.2
申请日:2011-04-04
Applicant: 光实验室瑞典股份公司
Inventor: 胡秋红
CPC classification number: H01J1/3044 , B82Y20/00 , H01J1/304 , H01J31/123 , H01J63/02 , H01J63/04 , H01J2201/3043 , H01J2201/30446 , H01J2201/30484 , H01J2201/30488 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0428 , H01J2329/0439 , H01J2329/0465 , H01J2329/0468 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473
Abstract: 本发明涉及一种场致发射阴极,所述场致发射阴极包括:至少部分导电的基底结构;和空间分布在所述基底结构处的多个导电的微米级部分,其中,所述多个微米级部分中的至少一部分各自设置有多个导电的纳米结构。本发明的优点包括降低功耗以及增加例如包括所述场致发射阴极的场致发射照明装置的光输出。
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公开(公告)号:CN101752157A
公开(公告)日:2010-06-23
申请号:CN200910252315.4
申请日:2009-12-02
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J1/304 , H01J1/3046 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30446 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0439 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473
Abstract: 本发明公开一种电子发射器件、显示板和信息显示系统。所述电子发射器件包括导电部件和导电部件上的硼化镧层,并且还在导电部件和硼化镧层之间包括氧化物层。所述氧化物层可包含镧元素。所述硼化镧层可上覆有氧化镧层。
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公开(公告)号:CN104347335B
公开(公告)日:2017-11-10
申请号:CN201410389960.1
申请日:2014-08-08
Applicant: 日本株式会社日立高新技术科学
IPC: H01J37/02 , H01J37/073
CPC classification number: H01J1/3044 , G01Q60/10 , G01Q60/16 , G01Q60/24 , G01Q70/08 , G01Q70/16 , H01J1/3048 , H01J37/073 , H01J37/08 , H01J37/21 , H01J37/28 , H01J37/3002 , H01J2201/30415 , H01J2201/30496 , H01J2237/002 , H01J2237/006
Abstract: 本发明提供铱针尖、及使用铱针尖的离子源、电子源、显微镜和装置。本发明能够位置再现性良好地制作形成于铱针尖的前端部的前端为1个原子的角锥结构,既能够使得杂质不易附着,又能够长时间保持前端的1个原子。铱针尖在锐化的<210>方位的单晶的前端部具有角锥结构,该角锥结构的前端仅通过{210}方位的1个铱原子形成,该铱原子由1个{100}结晶面和2个{111}结晶面包围。将形成角锥结构的前端的1个铱原子作为第1层,第1层的正下方的第2层具有位于三角形的顶点的3个铱原子,第2层的正下方的第3层具有位于三角形的顶点和边的6个铱原子。
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公开(公告)号:CN102046834A
公开(公告)日:2011-05-04
申请号:CN200980115073.2
申请日:2009-04-15
Applicant: 光实验室瑞典股份公司
Inventor: Q·胡
CPC classification number: C23C14/30 , C30B23/066 , H01J1/304 , H01J37/065 , H01J37/073 , H01J37/1472 , H01J37/3053 , H01J2201/30496 , H01J2237/06341 , H01J2237/30472 , H01J2237/3132
Abstract: 本发明涉及一种蒸发系统(100),该蒸发系统包括真空室(102)、用于容纳蒸发材料的坩埚(104)、用于容纳衬底(114)的衬底架(112)以及用于对要被淀积在所述衬底上的所述蒸发材料进行加热的电子束源(116),其中所述电子束源与坩埚和衬底架一起被布置在真空室内,电子束源是场致发射电子束源,以及蒸发系统还包括用于控制由场致发射电子束源所发射的电子的方向的控制单元,从而使所发射的电子对蒸发材料进行加热以便蒸发材料蒸发。
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公开(公告)号:CN1949449B
公开(公告)日:2010-09-29
申请号:CN200510100365.2
申请日:2005-10-14
Applicant: 北京富纳特创新科技有限公司 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/14 , H01J1/15 , H01J1/20 , H01J1/304 , H01J2201/19 , H01J2201/196 , H01J2201/30449 , H01J2201/30469 , H01J2201/30496
Abstract: 本发明涉及一种电子发射器件,其包括:一电子发射体,其包括一维纳米结构;一相对于该电子发射体设置的阳极;一第一电源,用于在该电子发射体与阳极之间施加一电压以在该电子发射体与阳极之间形成一电场;及一第二电源,用于向该电子发射体施加一加热电压。本发明通过设置一第二电源向电子发射体施加一加热电压,可产生一加热电流对该电子发射体加热以产生一发射电流;此加热电压一方面可去除电子发射体表面的吸附物质,可获取稳定性较佳的发射电流;另一方面,该加热电压较低,发射电流大小可通过调节该加热电压方便调节。
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公开(公告)号:CN1949449A
公开(公告)日:2007-04-18
申请号:CN200510100365.2
申请日:2005-10-14
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/14 , H01J1/15 , H01J1/20 , H01J1/304 , H01J2201/19 , H01J2201/196 , H01J2201/30449 , H01J2201/30469 , H01J2201/30496
Abstract: 本发明涉及一种电子发射器件,其包括:一电子发射体,其包括一维纳米结构;一相对于该电子发射体设置的阳极;一第一电源,用于在该电子发射体与阳极之间施加一电压以在该电子发射体与阳极之间形成一电场;及一第二电源,用于向该电子发射体施加一加热电压。本发明通过设置一第二电源向电子发射体施加一加热电压,可产生一加热电流对该电子发射体加热以产生一发射电流;此加热电压一方面可去除电子发射体表面的吸附物质,可获取稳定性较佳的发射电流;另一方面,该加热电压较低,发射电流大小可通过调节该加热电压方便调节。
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公开(公告)号:CN103117205A
公开(公告)日:2013-05-22
申请号:CN201310036129.3
申请日:2013-01-30
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor: 王烨文
IPC: H01J63/02 , H01J63/00 , F21S8/00 , G02F1/13357
CPC classification number: H01J1/304 , G02F1/133604 , G02F2001/133614 , G02F2202/108 , H01J63/02 , H01J63/04 , H01J63/06 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469 , H01J2201/30496
Abstract: 本发明公开了一种显示设备、背光模组及其场发射光源装置和制造方法。场发射光源装置包括相对设置的第一基板和第二基板;第一电极层形成于第一基板的内侧;第二电极层形成于第二基板的内侧;发光材料层设于第一电极层和第二电极层之间并形成于第一电极层上,发光材料层包括量子点材料;第二电极层用于发射带电粒子轰击发光材料层而发光,进而形成用于背光模组的背光源。本发明采用量子点材料有效地提高场发射光源装置的发光性能。
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公开(公告)号:CN102884605A
公开(公告)日:2013-01-16
申请号:CN201180017218.2
申请日:2011-04-04
Applicant: 光实验室瑞典股份公司
Inventor: 胡秋红
CPC classification number: H01J1/3044 , B82Y20/00 , H01J1/304 , H01J31/123 , H01J63/02 , H01J63/04 , H01J2201/3043 , H01J2201/30446 , H01J2201/30484 , H01J2201/30488 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0428 , H01J2329/0439 , H01J2329/0465 , H01J2329/0468 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473
Abstract: 本发明涉及一种场致发射阴极,所述场致发射阴极包括:至少部分导电的基底结构;和空间分布在所述基底结构处的多个导电的微米级部分,其中,所述多个微米级部分中的至少一部分各自设置有多个导电的纳米结构。本发明的优点包括降低功耗以及增加例如包括所述场致发射阴极的场致发射照明装置的光输出。
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