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公开(公告)号:CN101459019A
公开(公告)日:2009-06-17
申请号:CN200710125114.9
申请日:2007-12-14
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/14 , H01J31/127 , H01J2201/196
Abstract: 本发明涉及一种热电子源,该热电子源包括一基板、至少两个电极和一热电子发射体,所述至少两个电极间隔设置,并与该热电子发射体电接触,所述热电子发射体为一薄膜结构,该热电子发射体至少部分与所述基板间隔设置。
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公开(公告)号:CN103295854A
公开(公告)日:2013-09-11
申请号:CN201210042274.8
申请日:2012-02-23
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/14 , H01J1/3044 , H01J9/042 , H01J37/073 , H01J63/02 , H01J63/06 , H01J2201/196 , H01J2201/30411 , H01J2201/30469 , H01J2237/06316 , H01J2237/06333 , H01J2237/06341 , H01J2237/26 , H01J2237/28 , H01J2329/0455 , Y10T428/24132
Abstract: 本发明提供一种碳纳米管微尖结构,其包括:一绝缘基底,该绝缘基底具有一表面,该表面具有一边缘;一图案化碳纳米管膜结构,该图案化碳纳米管膜结构部分设置于该绝缘基底的所述表面,该图案化碳纳米管膜结构包括两个条形臂,该两个条形臂在端部相连以形成一尖端,该尖端突出该绝缘基底所述表面的边缘并悬空设置,该图案化碳纳米管膜结构包括多个基本平行于该绝缘基底所述表面的碳纳米管。
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公开(公告)号:CN101506927B
公开(公告)日:2012-06-13
申请号:CN200680055690.4
申请日:2006-06-30
CPC classification number: H01J37/065 , H01J35/06 , H01J2201/196 , H01J2237/06316 , H01J2237/3175
Abstract: 本发明提供一种具有在电子束发射侧曲率半径为2.0μm的锥端的肖特基发射器。因为曲率半径大于等于1μm,电子枪的焦距可以比在曲率半径在0.5μm到不超过0.6μm的范围的传统实践中的更长。发现焦距粗略地和曲率半径成正比。因为角电流强度(每单位立体角的束流)和电子枪焦距的平方成正比,可以在发射器半径可实现的增加内把前者提高一个数量级。更高的角电流强度意味着来自电子枪更大的可用束流,而本发明使肖特基发射器能够用于要求微安量级的相对高的束流的应用中,例如微焦点X射线管、电子探针显微分析仪和电子束光刻系统。
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公开(公告)号:CN101506927A
公开(公告)日:2009-08-12
申请号:CN200680055690.4
申请日:2006-06-30
CPC classification number: H01J37/065 , H01J35/06 , H01J2201/196 , H01J2237/06316 , H01J2237/3175
Abstract: 本发明提供一种具有在电子束发射侧曲率半径为2.0μm的锥端的肖特基发射器。因为曲率半径大于等于1μm,电子枪的焦距可以比在曲率半径在0.5μm到不超过0.6μm的范围的传统实践中的更长。发现焦距粗略地和曲率半径成正比。因为角电流强度(每单位立体角的束流)和电子枪焦距的平方成正比,可以在发射器半径可实现的增加内把前者提高一个数量级。更高的角电流强度意味着来自电子枪更大的可用束流,而本发明使肖特基发射器能够用于要求微安量级的相对高的束流的应用中,例如微焦点X射线管、电子探针显微分析仪和电子束光刻系统。
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公开(公告)号:CN101471213A
公开(公告)日:2009-07-01
申请号:CN200710125672.5
申请日:2007-12-29
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/14 , H01J9/04 , H01J31/127 , H01J2201/196
Abstract: 本发明涉及一种热发射电子器件,其包括:一绝缘基底;多个行电极引线与列电极引线分别平行且等间隔设置于绝缘基底上,该多个行电极引线与多个列电极引线相互交叉设置,每两个相邻的行电极引线与每两个相邻的列电极引线形成一个网格,且行电极引线与列电极引线之间电绝缘;多个热电子发射单元,每个热电子发射单元对应一个网格设置,每个热电子发射单元包括一第一电极、一第二电极和一热电子发射体,该第一电极与第二电极间隔设置于每个网格中,并分别与所述行电极引线和列电极引线电连接,所述热电子发射体与所述第一电极和第二电极电连接,所述热电子发射体为一碳纳米管薄膜结构。
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公开(公告)号:CN101459019B
公开(公告)日:2012-01-25
申请号:CN200710125114.9
申请日:2007-12-14
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/14 , H01J31/127 , H01J2201/196
Abstract: 本发明涉及一种热电子源,该热电子源包括一基板、至少两个电极和一热电子发射体,所述至少两个电极间隔设置,并与该热电子发射体电接触,所述热电子发射体为一薄膜结构,该热电子发射体至少部分与所述基板间隔设置。
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公开(公告)号:CN101465254B
公开(公告)日:2010-12-08
申请号:CN200710125263.5
申请日:2007-12-19
Applicant: 北京富纳特创新科技有限公司 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/14 , H01J9/04 , H01J2201/196
Abstract: 一种热发射电子源包括碳纳米管长线,其中,该热发射电子源进一步包括低逸出功材料颗粒,该低逸出功材料颗粒至少部分填充于碳纳米管长线内。一种热发射电子源的制备方法,其包括以下步骤:提供一碳纳米管阵列形成于一基底;采用一拉伸工具从碳纳米管阵列中拉取碳纳米管获得一碳纳米管薄膜;提供一含有低逸出功材料或低逸出功材料前驱物的溶液,采用此溶液浸润上述碳纳米管薄膜,形成一碳纳米管长线;烘干该碳纳米管长线;激活烘干后的碳纳米管长线,得到热发射电子源。
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公开(公告)号:CN101471210A
公开(公告)日:2009-07-01
申请号:CN200710125659.X
申请日:2007-12-29
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J1/13
CPC classification number: H01J1/14 , H01J31/127 , H01J2201/196
Abstract: 本发明涉及一种热电子源,该热电子源包括一基板、一热电子发射体、一第一电极和一第二电极,所述基板具有一凹槽,所述热电子发射体对应该凹槽并设置于所述基板表面,且至少部分通过所述基板的凹槽与所述基板间隔设置,所述第一电极和第二电极间隔设置,并与该热电子发射体电接触。
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公开(公告)号:CN103295854B
公开(公告)日:2015-08-26
申请号:CN201210042274.8
申请日:2012-02-23
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/14 , H01J1/3044 , H01J9/042 , H01J37/073 , H01J63/02 , H01J63/06 , H01J2201/196 , H01J2201/30411 , H01J2201/30469 , H01J2237/06316 , H01J2237/06333 , H01J2237/06341 , H01J2237/26 , H01J2237/28 , H01J2329/0455 , Y10T428/24132
Abstract: 本发明提供一种碳纳米管微尖结构,其包括:一绝缘基底,该绝缘基底具有一表面,该表面具有一边缘;一图案化碳纳米管膜结构,该图案化碳纳米管膜结构部分设置于该绝缘基底的所述表面,该图案化碳纳米管膜结构包括两个条形臂,该两个条形臂在端部相连以形成一尖端,该尖端突出该绝缘基底所述表面的边缘并悬空设置,该图案化碳纳米管膜结构包括多个基本平行于该绝缘基底所述表面的碳纳米管。
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公开(公告)号:CN101471213B
公开(公告)日:2011-11-09
申请号:CN200710125672.5
申请日:2007-12-29
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/14 , H01J9/04 , H01J31/127 , H01J2201/196
Abstract: 本发明涉及一种热发射电子器件,其包括:一绝缘基底;多个行电极引线与列电极引线分别平行且等间隔设置于绝缘基底上,该多个行电极引线与多个列电极引线相互交叉设置,每两个相邻的行电极引线与每两个相邻的列电极引线形成一个网格,且行电极引线与列电极引线之间电绝缘;多个热电子发射单元,每个热电子发射单元对应一个网格设置,每个热电子发射单元包括一第一电极、一第二电极和一热电子发射体,该第一电极与第二电极间隔设置于每个网格中,并分别与所述行电极引线和列电极引线电连接,所述热电子发射体与所述第一电极和第二电极电连接,所述热电子发射体为一碳纳米管薄膜结构。
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