公开(公告)号：CN104756221B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201380058004.9

申请日：2013-09-06

Applicant: 哈维尔克有限责任公司

Inventor： H.W.P.库普斯

IPC: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  H01B1/14 ,  H01B1/16 ,  H01B1/20 ,  H01B1/22 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  C23C14/28 ,  C23C14/30 ,  H01B1/14 ,  H01B1/16 ,  H01B1/20 ,  H01B1/22 ,  H01J9/025 ,  H01J19/38 ,  H01J19/57 ,  H01J43/246 ,  H01J2201/3048 ,  H01J2201/30488 ,  H01J2201/30496

Abstract: 本发明涉及纳米颗粒材料（NGM），其具有通过电荷以在室温下在重叠激子表面轨道状态下由玻色——爱因斯坦——凝聚（BEC）产生的玻色子的形式移动而以与高Tc半导体相比100倍的电流密度传导电流的非凡能力，并且具有光相关导电率。该材料被设置在导电连接之间，并且是纳米晶体复合材料。本发明还涉及包括NGM的电部件和用于使用无机化合物通过施加于基底的微粒束致沉积来制造NGM的方法和装置，所述无机化合物由于其蒸气压而被吸附在基底的表面上，并且其使得晶体传导相被嵌入包围材料的无机绝缘基质中。

公开(公告)号：CN104756221A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201380058004.9

申请日：2013-09-06

Applicant: 哈维尔克有限责任公司

Inventor： H.W.P.库普斯

IPC: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  H01B1/14 ,  H01B1/16 ,  H01B1/20 ,  H01B1/22 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  C23C14/28 ,  C23C14/30 ,  H01B1/14 ,  H01B1/16 ,  H01B1/20 ,  H01B1/22 ,  H01J9/025 ,  H01J19/38 ,  H01J19/57 ,  H01J43/246 ,  H01J2201/3048 ,  H01J2201/30488 ,  H01J2201/30496

Abstract: 本发明涉及纳米颗粒材料（NGM），其具有通过电荷以在室温下在重叠激子表面轨道状态下由玻色——爱因斯坦——凝聚（BEC）产生的玻色子的形式移动而以与高Tc半导体相比100倍的电流密度传导电流的非凡能力，并且具有光相关导电率。该材料被设置在导电连接之间，并且是纳米晶体复合材料。本发明还涉及包括NGM的电部件和用于使用无机化合物通过施加于基底的微粒束致沉积来制造NGM的方法和装置，所述无机化合物由于其蒸气压而被吸附在基底的表面上，并且其使得晶体传导相被嵌入包围材料的无机绝缘基质中。