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公开(公告)号：CN101075015B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200610060733.X
申请日：2006-05-19
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/304 , G01Q60/16 , H01J2201/30434 , H01J2201/30488 , H01J2203/0296 , Y10S977/815 , Y10S977/822 , Y10S977/838 , Y10S977/849 , Y10S977/86 , Y10S977/861
Abstract: 本发明涉及一种极化电子发射源。该种极化电子发射源通常包括电极以及位于该电极上的III-V族化合物半导体一维纳米结构；该III-V族化合物半导体一维纳米结构包括与电极形成电连接的第一端以及远离该电极的第二端，该第二端作为极化电子发射端，该III-V族化合物半导体一维纳米结构的第二端开口，该III-V族化合物半导体一维纳米结构为开口纳米管；当向该电极施加负偏压，经由磁场诱导或/和圆偏振光激发可使该一维纳米结构的第二端发射极化电子束。本发明还提供一种采用III-V族化合物半导体一维纳米结构作为探针的自旋极化电子扫描隧道显微镜。
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公开(公告)号：CN101425440A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810171014.4
申请日：2008-10-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C03C8/16 , B82Y10/00 , C03C17/008 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J9/148 , H01J29/04 , H01J2201/30434 , H01J2201/30488
Abstract: 提供了氮化硼纳米管糊状合成物、包括该氮化硼纳米管糊状合成物的电子发射源、包括该电子发射源的电子发射器件和包括该电子发射器件的背光单元和电子发射显示器件。氮化硼纳米管糊状合成物包括：大约100份按重量计算的氮化硼纳米管、大约250到大约1000份按重量计算的玻璃粉、大约500到大约1000份按重量计算的填料、大约1000到大约2000份按重量计算的有机溶剂、和大约2000到大约3000份按重量计算的聚合物粘结剂。包括氮化硼纳米管电子发射源的电子发射器件具有更长的使用寿命和改善了的像素间均匀性。
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公开(公告)号：CN102884605B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201180017218.2
申请日：2011-04-04
Applicant: 光实验室瑞典股份公司
Inventor： 胡秋红
CPC classification number: H01J1/3044 , B82Y20/00 , H01J1/304 , H01J31/123 , H01J63/02 , H01J63/04 , H01J2201/3043 , H01J2201/30446 , H01J2201/30484 , H01J2201/30488 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0428 , H01J2329/0439 , H01J2329/0465 , H01J2329/0468 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473
Abstract: 本发明涉及一种场致发射阴极，所述场致发射阴极包括：至少部分导电的基底结构；和空间分布在所述基底结构处的多个导电的微米级部分，其中，所述多个微米级部分中的至少一部分各自设置有多个导电的纳米结构。本发明的优点包括降低功耗以及增加例如包括所述场致发射阴极的场致发射照明装置的光输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104756221B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201380058004.9
申请日：2013-09-06
Applicant: 哈维尔克有限责任公司
Inventor： H.W.P.库普斯
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , C23C14/28 , C23C14/30 , H01B1/14 , H01B1/16 , H01B1/20 , H01B1/22 , H01J9/025 , H01J19/38 , H01J19/57 , H01J43/246 , H01J2201/3048 , H01J2201/30488 , H01J2201/30496
Abstract: 本发明涉及纳米颗粒材料（NGM），其具有通过电荷以在室温下在重叠激子表面轨道状态下由玻色——爱因斯坦——凝聚（BEC）产生的玻色子的形式移动而以与高Tc半导体相比100倍的电流密度传导电流的非凡能力，并且具有光相关导电率。该材料被设置在导电连接之间，并且是纳米晶体复合材料。本发明还涉及包括NGM的电部件和用于使用无机化合物通过施加于基底的微粒束致沉积来制造NGM的方法和装置，所述无机化合物由于其蒸气压而被吸附在基底的表面上，并且其使得晶体传导相被嵌入包围材料的无机绝缘基质中。
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公开(公告)号：CN104756221A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201380058004.9
申请日：2013-09-06
Applicant: 哈维尔克有限责任公司
Inventor： H.W.P.库普斯
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , C23C14/28 , C23C14/30 , H01B1/14 , H01B1/16 , H01B1/20 , H01B1/22 , H01J9/025 , H01J19/38 , H01J19/57 , H01J43/246 , H01J2201/3048 , H01J2201/30488 , H01J2201/30496
Abstract: 本发明涉及纳米颗粒材料（NGM），其具有通过电荷以在室温下在重叠激子表面轨道状态下由玻色——爱因斯坦——凝聚（BEC）产生的玻色子的形式移动而以与高Tc半导体相比100倍的电流密度传导电流的非凡能力，并且具有光相关导电率。该材料被设置在导电连接之间，并且是纳米晶体复合材料。本发明还涉及包括NGM的电部件和用于使用无机化合物通过施加于基底的微粒束致沉积来制造NGM的方法和装置，所述无机化合物由于其蒸气压而被吸附在基底的表面上，并且其使得晶体传导相被嵌入包围材料的无机绝缘基质中。
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公开(公告)号：CN104658829A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510094612.6
申请日：2015-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/304 , H01J2201/3048 , H01J2201/30488
Abstract: 一种阶梯状组分渐变的AlN薄膜型冷阴极，包括：一n型SiC衬底；一n型金属电极，其制作在n型SiC衬底下表面；一AlN薄膜型冷阴极，其外延生长在n型SiC衬底上；一金属阳极，其位于AlN薄膜型冷阴极的上面，且不与AlN薄膜型冷阴极接触；一高压源，其正极连接金属阳极；一电流计，其正极连接高压源，负极与n型金属电极连接。本发明是利用负电子亲和势的优势，将电子发射到真空中。
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公开(公告)号：CN102884605A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201180017218.2
申请日：2011-04-04
Applicant: 光实验室瑞典股份公司
Inventor： 胡秋红
CPC classification number: H01J1/3044 , B82Y20/00 , H01J1/304 , H01J31/123 , H01J63/02 , H01J63/04 , H01J2201/3043 , H01J2201/30446 , H01J2201/30484 , H01J2201/30488 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0428 , H01J2329/0439 , H01J2329/0465 , H01J2329/0468 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473
Abstract: 本发明涉及一种场致发射阴极，所述场致发射阴极包括：至少部分导电的基底结构；和空间分布在所述基底结构处的多个导电的微米级部分，其中，所述多个微米级部分中的至少一部分各自设置有多个导电的纳米结构。本发明的优点包括降低功耗以及增加例如包括所述场致发射阴极的场致发射照明装置的光输出。
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公开(公告)号：CN101075015A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200610060733.X
申请日：2006-05-19
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/304 , G01Q60/16 , H01J2201/30434 , H01J2201/30488 , H01J2203/0296 , Y10S977/815 , Y10S977/822 , Y10S977/838 , Y10S977/849 , Y10S977/86 , Y10S977/861
Abstract: 本发明涉及一种极化电子发射源。该种极化电子发射源通常包括电极以及位于该电极上的III－V族化合物半导体一维纳米结构；该III－V族化合物半导体一维纳米结构包括与电极形成电连接的第一端以及远离该电极的第二端，该第二端作为极化电子发射端；当向该电极施加负偏压，经由磁场诱导或/和圆偏振光激发可使该一维纳米结构的第二端发射极化电子束。本发明还提供一种采用III－V族化合物半导体一维纳米结构作为探针的自旋极化电子扫描隧道显微镜。
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