公开(公告)号：CN1763885A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200510099621.0

申请日：2005-08-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 郑光锡

IPC: H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  H01J29/02 ,  H01J31/12 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J3/022 ,  H01J9/025

Abstract: 本发明公开了一种电子发射装置及其制备方法。该电子发射装置包括：相互朝向设置的第一基板和第二基板；形成在第一基板上的阴极；电连接到阴极的电子发射区域；形成在第一基板上并具有用于显露电子发射区域的开口的绝缘层；以及形成在绝缘层上的栅电极。电子发射区域包括形成在阴极上的至少一个多孔氧化铝模板，并且电子发射区域竖直生长于多孔氧化铝模板中。制备该电子发射装置的方法包括使用阳极氧化在阴极上形成多孔氧化铝模板，通过使用化学气相沉积而且注入载气和在第一基板和阴极之间施加电压来形成电子发射区域，在多孔氧化铝模板中生长电子发射材料。

公开(公告)号：CN101425440A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810171014.4

申请日：2008-10-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔荣喆 ,  朴钟换 ,  郑光锡 ,  金汎权

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12

CPC classification number: C03C8/16 ,  B82Y10/00 ,  C03C17/008 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J9/148 ,  H01J29/04 ,  H01J2201/30434 ,  H01J2201/30488

Abstract: 提供了氮化硼纳米管糊状合成物、包括该氮化硼纳米管糊状合成物的电子发射源、包括该电子发射源的电子发射器件和包括该电子发射器件的背光单元和电子发射显示器件。氮化硼纳米管糊状合成物包括：大约100份按重量计算的氮化硼纳米管、大约250到大约1000份按重量计算的玻璃粉、大约500到大约1000份按重量计算的填料、大约1000到大约2000份按重量计算的有机溶剂、和大约2000到大约3000份按重量计算的聚合物粘结剂。包括氮化硼纳米管电子发射源的电子发射器件具有更长的使用寿命和改善了的像素间均匀性。

公开(公告)号：CN101097826A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710003741.5

申请日：2007-01-24

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金夏辰 ,  韩仁泽 ,  崔荣喆 ,  郑光锡

IPC: H01J9/02 ,  C01B31/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/938 ,  Y10S977/939

Abstract: 本发明提供一种形成碳纳米管(CNT)结构的方法以及利用形成碳纳米管结构的该方法制造场发射器件的方法。形成CNT结构的方法包括：在基板上形成电极；在所述电极上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成颗粒形催化剂层；蚀刻通过所述催化剂层暴露的所述缓冲层；以及从形成在所述被蚀刻的缓冲层上的所述催化剂层生长CNT。