公开(公告)号：CN118588723A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410632867.2

申请日：2024-05-21

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 方慈浙 ,  杨家泳 ,  曾翔宇 ,  王轶博 ,  李晓茜 ,  赵若乔 ,  刘艳 ,  郝跃 ,  韩根全

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯与Ga2O3集成的探测器阵列及其制备方法，包括：衬底、有源层、石墨烯层、第一金属电极和第二金属电极；所述有源层通过光刻和刻蚀形成隔离，构成N x N线性阵列；在石墨烯层与有源层界面处形成石墨烯/Ga2O3异质结，结区内形成内建电场；所述金属电极电流的流动方向与有源层保持平行形成横向导电。本发明采用透明电极石墨烯解决透光率低的问题；石墨烯与Ga2O3形成纵向异质结，配合横向结构设计，实现大面积透光从而提高有源层光吸收。此外，异质结区电场能够加快光生载流子分离，提高响应速度。

公开(公告)号：CN118215390A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410349031.1

申请日：2024-03-26

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 李晓茜 ,  方媛 ,  曾翔宇 ,  吴志帆 ,  刘艳 ,  韩根全

IPC: H10N97/00 ,  H10B53/30

Abstract: 本发明提供一种基于铝钪氮薄膜的crossbar逻辑架构及制备方法，包括以下步骤：S1：准备硅基衬底；S2：在硅基衬底上溅射生长底层金属薄膜，并对生长均匀的底层金属薄膜进行光刻刻蚀得到多个独立电极；S3：在底层金属薄膜上溅射生长AlScN薄膜，其中独立电极上表面生长AlScN薄膜形成铁电薄膜电容；S4：在生长均匀的AlScN薄膜上生长顶层金属薄膜，并对生长均匀的顶层金属薄膜进行套刻刻蚀，其中顶层金属薄膜串联铁电薄膜电容，减小铝钪氮薄膜的厚度的同时减小漏电，实现了低漏电、低成本以及可拓展的crossbar逻辑架构，提高了器件性能进而使得器件能够灵活应用于存内计算的广泛领域。