公开(公告)号：CN113220062A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110500674.8

申请日：2021-05-08

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 季轻舟 ,  姜洪雨 ,  廖雪 ,  魏海龙 ,  王勇 ,  李新瑞 ,  向宏莉

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明公开了一种双极线性稳压器的过温保护电路，属于过温保护领域。一种双极线性稳压器的过温保护电路，由温度传感器电路、采样反馈电路和输出电路构成。本发明的双极线性稳压器的过温保护电路，通过引入电流反馈回路，使电路具有的温度滞回特性，避免了在温度保护点处被保护电路的频繁开启，芯片结温不能充分降温，电路不能返回到正常工作状态，本发明适用于低电源电压。采用本发明的过温保护电路可以精确识别双极线性稳压器及其它模拟电路芯片结温是否超出安全工作区。本发明采用双极工艺设计实现，电路结构简洁，使用的元器件数量少，物理设计面积小。

公开(公告)号：CN116301159A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310288936.8

申请日：2023-03-22

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 李新瑞 ,  尤路 ,  廖雪 ,  向宏莉 ,  魏海龙 ,  王勇 ,  王清波

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明属于模拟集成电路领域，公开了一种低温漂的双极带隙基准电压源，包括带隙基准模块、温度补偿模块和直流偏置模块；温度补偿模块与带隙基准模块连接，直流偏置模块与带隙基准模块和温度补偿模块均连接；带隙基准模块用于生成一阶补偿的带隙基准电压；温度补偿模块用于生成高阶PTAT电流，并通过高阶PTAT电流补偿带隙基准电压中负温度系数的高阶项，得到低温漂的带隙基准电压；直流偏置模块用于生成第一偏置电流和第二偏置电流，并分别发送至带隙基准模块和温度补偿模块。可让电路在不同温度的工作状态下，使带隙基准电压源输出的基准电压不受温度的变化，具有低温漂、适应双极型工艺的特点，提高了基准电压源电路的应用适用性。

公开(公告)号：CN113220062B

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202110500674.8

申请日：2021-05-08

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 季轻舟 ,  姜洪雨 ,  廖雪 ,  魏海龙 ,  王勇 ,  李新瑞 ,  向宏莉

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明公开了一种双极线性稳压器的过温保护电路，属于过温保护领域。一种双极线性稳压器的过温保护电路，由温度传感器电路、采样反馈电路和输出电路构成。本发明的双极线性稳压器的过温保护电路，通过引入电流反馈回路，使电路具有的温度滞回特性，避免了在温度保护点处被保护电路的频繁开启，芯片结温不能充分降温，电路不能返回到正常工作状态，本发明适用于低电源电压。采用本发明的过温保护电路可以精确识别双极线性稳压器及其它模拟电路芯片结温是否超出安全工作区。本发明采用双极工艺设计实现，电路结构简洁，使用的元器件数量少，物理设计面积小。

公开(公告)号：CN119105613A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202411258140.9

申请日：2024-09-09

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 鲁亚翠 ,  李新瑞 ,  白欢利

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明公开了一种电压不敏感的低温漂电流源，包括电源VCC，接地VEE，第一电阻R1，第二电阻R2，第三电阻R3，第一NPN管Q1，第二NPN管Q2，第三NPN管Q3，第四NPN管Q4，第五NPN管Q5，第一PNP管Q6，第二PNP管Q7，NJFET管Jn1。通过NJFET管提供启动电流，调整电阻比例及晶体管面积比，得到一种结构简洁，元器件用量少，可用于较宽工作电压范围的双极工艺电压不敏感的低温漂电流源，本发明电路能够采用纯双极工艺实现，实现简单，成本低。

公开(公告)号：CN116466783A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310287809.6

申请日：2023-03-22

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 李新瑞 ,  尤路 ,  廖雪 ,  魏海龙 ,  王勇 ,  王清波

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明公开了一种双极带隙基准结构及工作方法，属于电源管理领域，具体属于模拟集成电路领域，通过采用两个相同的PNP晶体管，可产生相等的支路电流，从而使得两个NPN晶体管的集电极电流相等，生成的与温度正相关的电流，在流经电阻R2，产生与温度正相关电压，将与温度正相关电压与PNP晶体管Q2的VBE结压降叠加，得到并输出不受电源电压变化影响的带隙基准电压；本结构设计简单，能够减小电流镜失配的影响，具有功耗低、可靠性好、适应双极型工艺、芯片面积小、低成本的特点，提高了基准电压源电路的应用适用性，并且可广泛应用在各种电源类管理和驱动类芯片中，具有良好的应用前景和经济效益。

公开(公告)号：CN116260105A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202310113984.3

申请日：2023-02-14

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 鲁亚翠 ,  白欢利 ,  李新瑞 ,  尤路 ,  魏海龙 ,  王勇

IPC: H02H3/24 ,  H02H1/00 ,  H02M1/088 ,  H02H3/02

Abstract: 本发明公开了一种双极欠压锁定保护电路，包括电阻比例电流镜和启动电路，电阻比例电流镜包括LPNP1管、LPNP2管和LPNP3管，LPNP1管发射极通过电阻R1与电源Vcc连接，LPNP2管发射极通过电阻R2与电源Vcc连接；LPNP2管与LPNP3管共基极，LPNP2管集电极LPNP3管发射极连接，LPNP3集电极通过电阻R3接地；LPNP2管集电极与偏置电路以及电流源连接；偏置电路和电流源分别与达林顿管的集电极和基极连接，达林顿管的发射极与电阻R9第一端连接，R9第二端与NPN19管的集电极连接，NPN19管的基极与集电极连接，发射极接地；具有工艺简单、功耗低、阈值电压精度高、可靠性高的特点。