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公开(公告)号：CN116344495A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310342926.8
申请日：2023-03-31
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/485 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及电子封装技术领域，尤其涉及一种微模组封装引出结构及制备方法，引出结构包括凸点下金属触垫、柔性焊柱和凸点焊球，凸点下金属触垫与微模组的金属再布线层连接；柔性焊柱包括金属细柱簇和金属焊盘，凸点焊球焊接在金属焊盘上；金属细柱簇包括若干金属细柱，金属细柱的一端与金属焊盘连接，另一端与凸点下金属触垫连接；相邻金属细柱的间隙内填充有细柱保护层。本发明能有效缓解微模组和电路板直接装焊结构的热应力失配，使得微模组可以直接安装焊接在电路板上，不再需要通过塑封基板或陶封基板来做中间的电转接和应力缓冲，从而降低微模组器件的体积、重量和成本，更好的满足电子系统小型化需求。
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公开(公告)号：CN117747410A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311618469.7
申请日：2023-11-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/02 , G06F30/17 , G06F30/20 , G06F119/02 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种薄芯片翘曲矫正方法及系统，属于半导体封装技术领域。先建立正面等效介质层Si翘曲仿真模型，获取Si层厚度达到目标值时芯片翘曲值，在正面等效介质层Si翘曲仿真模型中将目标晶圆Si层设置目标减薄厚度，在Si层另一面增加Si背面矫正介质层等效翘曲仿真模型，通过修正介质层厚度使得目标晶圆翘曲达到目标要求值，记录仿真模型中介质层厚度，在实际工艺中按照仿真参数制备相应厚度的介质层进行晶圆翘曲的矫正，通过此方法可以改善薄晶圆或芯片的翘曲值，使之适用于不同工艺条件的翘曲要求，提高工艺普适性和产品产出良率。因此，本发明提出的方法不影响模组的堆叠高度，增加了堆叠存储器的模组容量。
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公开(公告)号：CN115575721A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211202869.5
申请日：2022-09-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明公开了一种应用晶圆级封装的再布线层材料的复介电常数提取方法，包括获取传输线的传输系数；建立基于微带线尺寸的介电常数与等效介电常数的模型，获取等效介电常数的理论值；根据搜索算法，在粗粒度下，由等效介电常数的理论值计算材料的介电常数范围；设置搜索步进，对材料的介电常数范围内的介电常数值进行搜索计算，得到频变的等效介电常数；根据传输线的传输系数，计算材料的损耗角正切值；计算得到复介电常数。利用晶圆级封装中传统微带线的结构，对再布线层材料的复介电常数进行提取，采用搜索算法，计算材料的介电常数范围，得到每个频率点的等效介电常数，扩大了测量的频率，降低了测量成本，提高了测试速度。
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公开(公告)号：CN117525044A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311596634.3
申请日：2023-11-27
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L23/64 , H01L27/08 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/538 , H10N97/00
Abstract: 本发明公开了一种三维电容单元结构、三维电容及其芯片立体集成结构，包括晶圆；晶圆上刻蚀形成有错位式六边形排布三齿齿轮状硅柱阵列，硅壁上形成有带硅壁凸起；硅柱、硅壁和凹槽的表面生长有晶圆绝缘层；晶圆绝缘层上生长有三维电容层；各个硅柱顶端，以及硅壁凸起顶端设置有第一分布式电极和第二分布式电极；第一分布式电极和第二分布式电极连接第一平面金属再分布层和第二平面金属再分布层；第一平面金属再分布层和第二平面金属再分布层连接焊盘。通过采用三齿齿轮状硅柱在硅柱阵列周期不变的情况下，增大了硅柱侧壁面积，有利于进一步提高电容密度，并且仍然能保证凹槽间隙的均匀性。
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