-
公开(公告)号:CN107612512A
公开(公告)日:2018-01-19
申请号:CN201710726428.8
申请日:2017-08-22
Applicant: 西安微电子技术研究所
Inventor: 兰蕾
IPC: H03F1/26
Abstract: 一种高精度、低噪声的抗辐照运算放大器修调电路及修调方法,由启动与偏置电路以及结构相同的两个放大器组成;两个放大器均包括输入级电路、中间级电路和输出级电路;输入级电路采用差分对管结构提高输入阻抗、降低失调电压与温度漂移、建立良好的匹配直流工作点,完成输入电压的缓冲和首级放大;中间级电路采用折叠式共基级共发射级结构提高电压增益及输出摆幅;输出级电路采用参数相同的三极管以推挽的形式输出来扩展内部电流、提高后级驱动能力、增大输出摆幅;输入级电路设置有修调网络,修调网络中包括多个修调压焊点,根据实测值的不同来修调不同的压焊点,本发明采用多晶硅修调代替金属薄膜电阻激光修调,节省了高精度电路的修调成本。
-
公开(公告)号:CN117406820A
公开(公告)日:2024-01-16
申请号:CN202311438419.0
申请日:2023-10-31
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于电子器件领域,公开了一种零极点负载跟随补偿的低压差线性稳压器及其电路,包括低压差线性稳压器电路以及相互连接的电流采样电路和阻容网络电路;电流采样电路与低压差线性稳压器电路的电源端以及低压差线性稳压器电路的误差放大器的输出端均连接;阻容网络电路与低压差线性稳压器电路的误差放大器的负输入端、低压差线性稳压器电路的输出端以及低压差线性稳压器电路的两个反馈电阻的连接线均连接。实现补偿位置随负载自适应变化,调节自由度高,即便在误差放大器主极点附近存在其它额外的零极点加速电路相位下降,也会由于负载跟随补偿的相位起点位于0°附近,使得所能兼容的相位或增益衰减范围更大,保证系统的稳定。
-
公开(公告)号:CN114070205A
公开(公告)日:2022-02-18
申请号:CN202111275872.5
申请日:2021-10-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种低噪声的运算放大器电路,包括放大器电路,放大器均包括输入级电路、中间级电路和输出级电路。输入级电路采用差分对管结构提高输入阻抗、降低失调电压与温度漂移、建立良好的匹配直流工作点,完成输入电压的缓冲和首级放大;中间级电路采用折叠式共基级共发射级结构提高电压增益及输出摆幅;输出级电路采用参数相同的三极管以推挽的形式输出来扩展内部电流、提高后级驱动能力、增大输出摆幅;本发明采用改变电阻尺寸的方法优化输入电压噪声,多晶硅修调代替金属薄膜电阻激光修调,实现了电路高精度的特点。本发明的电路结构能够提高噪声性能,能够兼容现有的抗辐照标准双极工艺。
-
公开(公告)号:CN113992162A
公开(公告)日:2022-01-28
申请号:CN202111276011.9
申请日:2021-10-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种高精度运算放大器的抗辐射加固结构,包括运算放大器的输入级电路,所述输入级电路中的输入差分对管采用三极管QD1和三极管QD2形成输入NPN对管;输入NPN对管的版图结构采用四管交叉结构;三极管QD1和三极管QD2的发射极与集电极之间设置有铝线,发射极与铝线的间距为5‑8μm。通过在运算放大器的输入级电路中将输入NPN对管的版图采用四管交叉(共重心)结构,版图结构上要求四管必须足够靠近并将面积裕量用来增加发射极面积以减小失调和噪声电压。本发明中利用现有NPN管设计面积,结合工艺规则,输入NPN对管的版图结构进行修正,实现国产电路辐照后参数合格。并且本发明的版图结构改进后不影响电路其他性能。
-
公开(公告)号:CN107612512B
公开(公告)日:2020-05-26
申请号:CN201710726428.8
申请日:2017-08-22
Applicant: 西安微电子技术研究所
Inventor: 兰蕾
IPC: H03F1/26
Abstract: 一种高精度、低噪声的抗辐照运算放大器修调电路及修调方法,由启动与偏置电路以及结构相同的两个放大器组成;两个放大器均包括输入级电路、中间级电路和输出级电路;输入级电路采用差分对管结构提高输入阻抗、降低失调电压与温度漂移、建立良好的匹配直流工作点,完成输入电压的缓冲和首级放大;中间级电路采用折叠式共基级共发射级结构提高电压增益及输出摆幅;输出级电路采用参数相同的三极管以推挽的形式输出来扩展内部电流、提高后级驱动能力、增大输出摆幅;输入级电路设置有修调网络,修调网络中包括多个修调压焊点,根据实测值的不同来修调不同的压焊点,本发明采用多晶硅修调代替金属薄膜电阻激光修调,节省了高精度电路的修调成本。
-
-
-
-