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公开(公告)号：CN108199718B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201810275984.2
申请日：2018-03-30
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于Sigma‑Delta调制的电容传感器检测方法，包括：感应电容、电容数字转换器、数字抽取滤波器以及时序控制电路；感应电容与电容数字转换器相连，数字抽取滤波器与电容数字转换器相连，时序控制电路分别与电容数字转换器以及数字抽取滤波器相连；电容数字转换器采用Sigma‑Delta调制器；电容数字转换器将感应电容的变化量转换为电荷信号，对电荷信号进行Sigma‑Delta调制，输出数字码流，数字抽取滤波器对数字码流进行滤波和降采样处理，并输出用于表征感应电容的数字量。本发明采用三阶Sigma‑Delta调制器作为电容读取电路，待测电容直接作为调制器的输入电容，实现电容到数字的直接转换，并采用补偿电容，减少Sigma‑Delta调制器额外动态范围的消耗，降低了功耗，扩展电容测量范围。
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公开(公告)号：CN104795095B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201510189983.2
申请日：2015-04-21
Applicant: 福州大学
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1693
Abstract: 本发明涉及一种基于折叠式比较器的STT‑RAM读取电路及控制方法。所述读取电路，包括一折叠式共源共栅比较器及与该折叠式共源共栅比较器连接的并行磁隧道结、控制逻辑电路和反相器，所述反相器还连接有第一D触发器和第二D触发器，所述第一D触发器和第二D触发器的时钟控制输入端分别连接至时钟输出模块的第一时钟信号输出端和第二时钟信号输出端，所述第一D触发器和第二D触发器的反相输出端分别输出并行磁隧道结中存储的高位数据和低位数据。本发明提供的读取电路可以有效的提高读取速度，节省了功耗，增大了输出摆幅和增益，提高了与数字系统对接时整个读取电路的可靠性。
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公开(公告)号：CN104795094A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510189871.7
申请日：2015-04-21
Applicant: 福州大学
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1693
Abstract: 本发明涉及一种基于两级放大器的STT-RAM读取电路及其控制方法。所述读取电路包括一开环放大器及与该开环放大器连接的并行磁隧道结、控制逻辑电路和第一反相器，所述第一反相器还连接有第一D触发器和第二D触发器，所述第一D触发器和第二D触发器的时钟控制输入端分别连接至第一时钟输出模块的第一时钟信号输出端和第二时钟信号输出端，所述第一D触发器和第二D触发器的反相输出端分别输出并行磁隧道结中存储的高位数据和低位数据，所述控制逻辑电路还连接有一用于提供参考电压的外部电压输出电路。本发明提供的读取电路可以有效的提高读取速度，节省了功耗，增大了输出摆幅和增益，提高了与数字系统对接时整个读取电路的可靠性。
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公开(公告)号：CN104795089B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510190009.8
申请日：2015-04-21
Applicant: 福州大学
IPC: G11C7/06
Abstract: 本发明涉及一种低功耗两级放大器STT‑RAM读取电路的控制方法。提供一低功耗STT‑RAM读取电路，包括控制电路、并行磁隧道结、开环放大器、控制逻辑电路、第一反相器、第一D触发器、第二D触发器、时钟输出模块；通过控制电路控制低功耗STT‑RAM读取电路进入工作及待机状态，从而实现对并行磁隧道结存储的数据读取。本发明采用树型的读取方案，不但具有较快的读取速度，且通过引入了控制电路，只在进入工作状态时产生功耗，从而又节省了读取电路的功耗。
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公开(公告)号：CN105870083A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610375500.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01L23/367
CPC classification number: H01L23/367
Abstract: 本发明涉及一种采用微热电发电机的3D芯片及其实现方法，包括一N层结构的3D芯片，所述3D芯片的顶层与中间层之间采用N型半导体与P型半导体相连，所述N型半导体与P型半导体之间采用金属相连形成一第一热电偶，则所述3D芯片的顶层、中间层、N型半导体以及P型半导体组成一第一微热温差发电机；所述3D芯片的底层与中间层之间采用N型半导体与P型半导体相连，所述N型半导体与P型半导体之间采用金属相连形成一第二热电偶，则所述3D芯片的底层、中间层、N型半导体以及P型半导体组成一第二微热温差发电机。本发明利用其高的热功率密度和多维的空间结构，在现有的半导体工艺下，采用微热电发电机技术，提高芯片的整体能效，加快芯片散热。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104795095A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510189983.2
申请日：2015-04-21
Applicant: 福州大学
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1693
Abstract: 本发明涉及一种基于折叠式比较器的STT-RAM读取电路及控制方法。所述读取电路，包括一折叠式共源共栅比较器及与该折叠式共源共栅比较器连接的并行磁隧道结、控制逻辑电路和反相器，所述反相器还连接有第一D触发器和第二D触发器，所述第一D触发器和第二D触发器的时钟控制输入端分别连接至时钟输出模块的第一时钟信号输出端和第二时钟信号输出端，所述第一D触发器和第二D触发器的反相输出端分别输出并行磁隧道结中存储的高位数据和低位数据。本发明提供的读取电路可以有效的提高读取速度，节省了功耗，增大了输出摆幅和增益，提高了与数字系统对接时整个读取电路的可靠性。
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公开(公告)号：CN105870083B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201610375500.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01L23/367
Abstract: 本发明涉及一种采用微热电发电机的3D芯片及其实现方法，包括一N层结构的3D芯片，所述3D芯片的顶层与中间层之间采用N型半导体与P型半导体相连，所述N型半导体与P型半导体之间采用金属相连形成一第一热电偶，则所述3D芯片的顶层、中间层、N型半导体以及P型半导体组成一第一微热温差发电机；所述所述3D芯片的底层与中间层之间采用N型半导体与P型半导体相连，所述N型半导体与P型半导体之间采用金属相连形成一第二热电偶，则所述3D芯片的底层、中间层、N型半导体以及P型半导体组成一第二微热温差发电机。本发明利用其高的热功率密度和多维的空间结构，在现有的半导体工艺下，采用微热电发电机技术，提高芯片的的整体能效，加快芯片散热。
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公开(公告)号：CN108199718A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810275984.2
申请日：2018-03-30
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于Sigma-Delta调制的电容传感器检测方法，包括：感应电容、电容数字转换器、数字抽取滤波器以及时序控制电路；感应电容与电容数字转换器相连，数字抽取滤波器与电容数字转换器相连，时序控制电路分别与电容数字转换器以及数字抽取滤波器相连；电容数字转换器采用Sigma-Delta调制器；电容数字转换器将感应电容的变化量转换为电荷信号，对电荷信号进行Sigma-Delta调制，输出数字码流，数字抽取滤波器对数字码流进行滤波和降采样处理，并输出用于表征感应电容的数字量。本发明采用三阶Sigma-Delta调制器作为电容读取电路，待测电容直接作为调制器的输入电容，实现电容到数字的直接转换，并采用补偿电容，减少Sigma-Delta调制器额外动态范围的消耗，降低了功耗，扩展电容测量范围。
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公开(公告)号：CN104795094B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201510189871.7
申请日：2015-04-21
Applicant: 福州大学
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1693
Abstract: 本发明涉及一种基于两级放大器的STT‑RAM读取电路及其控制方法。所述读取电路包括一开环放大器及与该开环放大器连接的并行磁隧道结、控制逻辑电路和第一反相器，所述第一反相器还连接有第一D触发器和第二D触发器，所述第一D触发器和第二D触发器的时钟控制输入端分别连接至第一时钟输出模块的第一时钟信号输出端和第二时钟信号输出端，所述第一D触发器和第二D触发器的反相输出端分别输出并行磁隧道结中存储的高位数据和低位数据，所述控制逻辑电路还连接有一用于提供参考电压的外部电压输出电路。本发明提供的读取电路可以有效的提高读取速度，节省了功耗，增大了输出摆幅和增益，提高了与数字系统对接时整个读取电路的可靠性。
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公开(公告)号：CN104795089A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510190009.8
申请日：2015-04-21
Applicant: 福州大学
IPC: G11C7/06
Abstract: 本发明涉及一种低功耗两级放大器STT-RAM读取电路的控制方法。提供一低功耗STT-RAM读取电路，包括控制电路、并行磁隧道结、开环放大器、控制逻辑电路、第一反相器、第一D触发器、第二D触发器、时钟输出模块；通过控制电路控制低功耗STT-RAM读取电路进入工作及待机状态，从而实现对并行磁隧道结存储的数据读取。本发明采用树型的读取方案，不但具有较快的读取速度，且通过引入了控制电路，只在进入工作状态时产生功耗，从而又节省了读取电路的功耗。
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