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公开(公告)号：CN110045307B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201910450042.8
申请日：2019-05-28
Applicant: 福州大学
IPC: G01R33/14
Abstract: 本发明涉及一种磁心材料磁滞回线测量方法，该方法提供一种磁心材料磁滞回线测量装置，并按如下方法测量磁心材料磁滞回线：1）计算去磁所需的初始电压或初始频率，然后对被测磁件进行去磁；2）去磁结束后，使直流源装置对RLC振荡电路的电容充电，延时到电压稳定断开；3）使RLC振荡电路的电感、电容及电阻产生阻尼振荡；4）通过数据采集卡采集用于测量被测磁件电压、电流的电压传感器和电流传感器的数据，进行滤波处理后，计算出每个时刻下的磁场强度H和对应的磁通密度B，得到被测磁件的一组磁滞回线，连接各磁滞回线的顶点得到基本磁化曲线。该方法可以在不需要大功率激励源下测量出磁件的一组极限磁滞回线并同时得到被测磁件的磁化曲线。
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公开(公告)号：CN105870083B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201610375500.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01L23/367
Abstract: 本发明涉及一种采用微热电发电机的3D芯片及其实现方法，包括一N层结构的3D芯片，所述3D芯片的顶层与中间层之间采用N型半导体与P型半导体相连，所述N型半导体与P型半导体之间采用金属相连形成一第一热电偶，则所述3D芯片的顶层、中间层、N型半导体以及P型半导体组成一第一微热温差发电机；所述所述3D芯片的底层与中间层之间采用N型半导体与P型半导体相连，所述N型半导体与P型半导体之间采用金属相连形成一第二热电偶，则所述3D芯片的底层、中间层、N型半导体以及P型半导体组成一第二微热温差发电机。本发明利用其高的热功率密度和多维的空间结构，在现有的半导体工艺下，采用微热电发电机技术，提高芯片的的整体能效，加快芯片散热。
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公开(公告)号：CN105897254B
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201610325873.9
申请日：2016-05-17
Applicant: 福州大学
IPC: H03K19/21
Abstract: 本发明涉及一种基于忆阻器与MOS管的异或门逻辑电路，包括第一忆阻器M1与第二忆阻器M2，第一忆阻器M1的负端作为第一输入端V1与第一PMOS管P1的源极连接，第二忆阻器M2的负端作为第二输入端V2与第二PMOS管P2的源极连接；还包括第一NMOS管N1与第二NMOS管N2，第一忆阻器M1的正端、第二忆阻器M2的正端、第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一NMOS管N1与第二NMOS管N2的栅极互相连接；第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一NMOS管N1与第二NMOS管N2的漏极互相连接并作为输出端Vout，第一NMOS管N1的源极与第二NMOS管N2的源极互相连接且接地；本发明还涉及一种基于忆阻器与MOS管的异或门逻辑电路的实现方法。本发明为忆阻器在逻辑运算中可发挥的作用提供了一种新的思路。
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公开(公告)号：CN105870083A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610375500.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01L23/367
CPC classification number: H01L23/367
Abstract: 本发明涉及一种采用微热电发电机的3D芯片及其实现方法，包括一N层结构的3D芯片，所述3D芯片的顶层与中间层之间采用N型半导体与P型半导体相连，所述N型半导体与P型半导体之间采用金属相连形成一第一热电偶，则所述3D芯片的顶层、中间层、N型半导体以及P型半导体组成一第一微热温差发电机；所述3D芯片的底层与中间层之间采用N型半导体与P型半导体相连，所述N型半导体与P型半导体之间采用金属相连形成一第二热电偶，则所述3D芯片的底层、中间层、N型半导体以及P型半导体组成一第二微热温差发电机。本发明利用其高的热功率密度和多维的空间结构，在现有的半导体工艺下，采用微热电发电机技术，提高芯片的整体能效，加快芯片散热。
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公开(公告)号：CN105551520A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610069637.5
申请日：2016-02-01
Applicant: 福州大学
CPC classification number: G11C13/0009 , G11C14/009
Abstract: 本发明涉及一种基于Memristor/MOSFET的可编程电路及其实现方法。通过忆阻器（Memristor）与MOS管结合使用，使编程电压能够产生改变忆阻器阻值的稳定电流，发挥忆阻器阻值可变及非易失特性，达到可编程的效果。本发明成功地在SPICE软件中实现了忆阻器模型的搭建，利用该模型提出基于忆阻器的可编程电路，并针对整个电路进行了仿真验证。忆阻器和MOS管结合的可编程电路结构简单，管子数目较小，集成度高，有利于集成电路进一步向纳米级别的发展。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115036589A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210786122.2
申请日：2022-07-04
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种锌离子二次电池凝胶电解质及其制备方法和应用，该方法包括以下步骤：S1、按重量份数将锌盐、水系溶剂、含羟基聚合物添加到容器中，在温度高于90℃的条件下进行加热搅拌1小时以上，直至溶解后混合均匀，得到混合溶液；S2、将混合溶液冷冻5h后，解冻恢复至室温一次，再继续冷冻7h，得到锌离子二次电池凝胶电解质；该方法制备的锌离子二次电池凝胶电解质达到抑制枝晶生长的作用，可提升锌离子还原的效率，且其所使用的水系溶剂中的有机成分可破坏水分子之间的氢键，降低了凝胶电解质整体的冰点，使其在低温环境下不产生结冰固化现象，仍具有韧性和液相连续相，达到电池可在低温运行的目的，在锌离子电池上有巨大应用前景。
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公开(公告)号：CN105958999B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201610325918.2
申请日：2016-05-17
Applicant: 福州大学
IPC: H03K19/20
Abstract: 本发明涉及一种实现与非、或非门逻辑的忆阻器电路，包括忆阻器M1与忆阻器M2；忆阻器M1的正端与NMOS管N1的漏极、NMOS管N2的源极连接，M1的负端与NMOS管N5的源极、NMOS管N6的漏极连接，N1的源极与N5的漏极连接并作为输入端V1；M2的正端与NMOS管N3的源极、NMOS管N4的漏极连接，M2的负端与NMOS管N7的漏极、NMOS管N8的源极连接，N4的源极与N8的漏极连接并作为输入端V2；N2的漏极、N3的漏极、N6的源极、N7的源极与反相器的输入端V3互相连接，反相器的输出端作为忆阻器电路的输出端Vout；NMOS管N1、N4、N6与N7的栅极连接至A选择端，NMOS管N2、N3、N5与N8的栅极连接至B选择端；本发明还涉及其实现方法。本发明为忆阻器在逻辑运算中可发挥的作用提供了一种新的思路。
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公开(公告)号：CN105958999A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610325918.2
申请日：2016-05-17
Applicant: 福州大学
IPC: H03K19/20
CPC classification number: H03K19/20
Abstract: 本发明涉及一种实现与非、或非门逻辑的忆阻器电路，包括忆阻器M1与忆阻器M2；忆阻器M1的正端与NMOS管N1的漏极、NMOS管N2的源极连接，M1的负端与NMOS管N5的源极、NMOS管N6的漏极连接，N1的源极与N5的漏极连接并作为输入端V1；M2的正端与NMOS管N3的源极、NMOS管N4的漏极连接，M2的负端与NMOS管N7的漏极、NMOS管N8的源极连接，N4的源极与N8的漏极连接并作为输入端V2；N2的漏极、N3的漏极、N6的源极、N7的源极与反相器的输入端V3互相连接，反相器的输出端作为忆阻器电路的输出端Vout；NMOS管N1、N4、N6与N7的栅极连接至A选择端，NMOS管N2、N3、N5与N8的栅极连接至B选择端；本发明还涉及其实现方法。本发明为忆阻器在逻辑运算中可发挥的作用提供了一种新的思路。
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公开(公告)号：CN110045307A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910450042.8
申请日：2019-05-28
Applicant: 福州大学
IPC: G01R33/14
Abstract: 本发明涉及一种磁心材料磁滞回线测量方法，该方法提供一种磁心材料磁滞回线测量装置，并按如下方法测量磁心材料磁滞回线：1）计算去磁所需的初始电压或初始频率，然后对被测磁件进行去磁；2）去磁结束后，使直流源装置对RLC振荡电路的电容充电，延时到电压稳定断开；3）使RLC振荡电路的电感、电容及电阻产生阻尼振荡；4）通过数据采集卡采集用于测量被测磁件电压、电流的电压传感器和电流传感器的数据，进行滤波处理后，计算出每个时刻下的磁场强度H和对应的磁通密度B，得到被测磁件的一组磁滞回线，连接各磁滞回线的顶点得到基本磁化曲线。该方法可以在不需要大功率激励源下测量出磁件的一组极限磁滞回线并同时得到被测磁件的磁化曲线。
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公开(公告)号：CN105551520B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201610069637.5
申请日：2016-02-01
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于Memristor/MOSFET的可编程电路及其实现方法。通过忆阻器（Memristor）与MOS管结合使用，使编程电压能够产生改变忆阻器阻值的稳定电流，发挥忆阻器阻值可变及非易失特性，达到可编程的效果。本发明成功地在SPICE软件中实现了忆阻器模型的搭建，利用该模型提出基于忆阻器的可编程电路，并针对整个电路进行了仿真验证。忆阻器和MOS管结合的可编程电路结构简单，管子数目较小，集成度高，有利于集成电路进一步向纳米级别的发展。
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