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公开(公告)号：CN114843367A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210422431.1
申请日：2022-04-21
Abstract: 本发明涉及一种旋涂溶液回收装置及其应用，该装置由周部的圆环形侧壁和底部的半圆环体构成，所述半圆环体的外径部分与圆环形侧壁底部连接在一起，所述半圆环体的中空圆直径大于匀胶机的旋涂仪直径，以匹配匀胶机，回收制备膜层过程中被甩出的溶液；所述半圆环体的外侧部设有排液结构，以排出回收的溶液。该装置及其应用有利于减少旋涂制膜过程产生的废液带来的环境污染及材料浪费，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN112490332B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202011502106.3
申请日：2020-12-17
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0216
Abstract: 本发明涉及一种柔性双阳离子掺杂的CZTSSe太阳电池界面钝化方法，其特征在于，在CZTSSe/CdS异质结界面形成Li掺杂，实现晶界处纳米电场反转，钝化异质结界面缺陷，抑制载流子复合；在CZTSSe/Mo背接触界面形成Ge掺杂，实现能带调控，钝化背接触界面缺陷，抑制电子流向背接触界面，减小界面复合。该方法不仅有利于提高电池的光电转换效率，而且工艺简单、成本低廉、绿色环保，满足了大规模批量生产与商业化的需求，制备的柔性CZTSSe太阳电池可安装在非平面平台上，具有较强的推广与应用价值。
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公开(公告)号：CN114843355B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202210422926.4
申请日：2022-04-21
Abstract: 本发明涉及一种大面积CZTSSe太阳电池及其制备方法，该太阳电池沿入射光方向，依次包括Ag电极、ITO/CdS窗口层、CZTSSe吸收层和衬底，所述ITO/CdS窗口层由CdS层和ITO层组成；其制备方法包括：（1）清洗衬底，然后用去离子水冲洗干净并用氮气吹干，得到洁净的衬底；（2）在洁净的衬底上制备CZTSSe前驱体薄膜；采用高温硒化技术，硒化前驱体薄膜，得到结晶性良好的CZTSSe吸收层；（3）利用化学水浴沉积法和磁控溅射法，在CZTSSe吸收层上依次沉积CdS层和ITO层；（4）利用真空蒸镀技术在ITO层上沉积Ag电极。该太阳电池提高了大面积CZTSSe太阳电池器件的填充因子，进而提高了器件性能。
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公开(公告)号：CN112490332A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011502106.3
申请日：2020-12-17
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0216
Abstract: 本发明涉及一种柔性双阳离子掺杂的CZTSSe太阳电池界面钝化方法，其特征在于，在CZTSSe/CdS异质结界面形成Li掺杂，实现晶界处纳米电场反转，钝化异质结界面缺陷，抑制载流子复合；在CZTSSe/Mo背接触界面形成Ge掺杂，实现能带调控，钝化背接触界面缺陷，抑制电子流向背接触界面，减小界面复合。该方法不仅有利于提高电池的光电转换效率，而且工艺简单、成本低廉、绿色环保，满足了大规模批量生产与商业化的需求，制备的柔性CZTSSe太阳电池可安装在非平面平台上，具有较强的推广与应用价值。
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公开(公告)号：CN119789571A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411945951.6
申请日：2024-12-27
Abstract: 本发明公开了一种CuO牺牲层修饰Mo/CZTSSe背界面的方法，其是在Mo/CZTSSe背界面处引入一层CuO牺牲层，以实现对背界面的修饰。CuO牺牲层的引入可阻止Se向衬底扩散，减薄MoSe2厚度，降低背界面接触电阻，同时，Cu离子向CZTSSe薄膜扩散，形成CuxSey液相，可促进其晶体生长，提高薄膜质量。该处理可同时改善背界面和CZTSSe吸收层质量，有效降低串联电阻和载流子复合，极大提高CZTSSe太阳电池的性能，使电池效率从9.23%提升到10.57%，为高效CZTSSe太阳电池的制备提供新的思路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114843354A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210422925.X
申请日：2022-04-21
IPC: H01L31/032 , C23C14/08 , C23C14/35 , C23C14/58 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种基于超薄CdS/ZTO双缓冲层的柔性CZTSSe太阳电池及其制备方法，该柔性CZTSSe太阳电池由衬底开始，自下而上依次设置柔性Mo箔衬底、CZTSSe吸收层、CdS/ZTO双缓冲层、ITO窗口层和Ag电极，所述CdS/ZTO双缓冲层由CdS缓冲层和ZTO缓冲层组成。该柔性CZTSSe太阳电池采用超薄CdS/ZTO双缓冲层，降低了器件中Cd的含量，高效环保。
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公开(公告)号：CN113097314A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110344754.9
申请日：2021-03-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0392 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种柔性硫化锑薄膜太阳能电池及其制备方法，所述的太阳能电池为底衬型结构，从衬底到表面分别为柔性钼箔衬底、硫化锑吸收层、CdS缓冲层、ZnO/ITO窗口层、金属电极。其中硫化锑吸收层薄膜通过将锑和硫单质溶解在前驱体溶液中，然后进行涂膜和退火获得。本发明开发出新的溶液法制备硫化锑薄膜，能够兼容柔性钼箔衬底，通过控制锑和硫的比例，降低薄膜中缺陷。本发明设计的新型底衬结构的柔性太阳能电池，提高太阳光的吸收利用，器件具有匹配的能带结构和高的柔性性能，可制作成柔性便携式产品；其制造成本低廉、绿色环保，满足了商业化的需求，具有较强的推广与应用价值。
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公开(公告)号：CN119730448A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411822330.9
申请日：2024-12-11
Abstract: 本发明提出一种氧掺杂CZTSSe/CdS异质结缺陷态钝化方法；通过在CZTSSe/CdS异质结区形成氧掺杂，抑制结内的载流子复合，实现膜层和界面缺陷态的钝化；掺杂的氧原子占据CdS膜中的硫空位点，钝化VS缺陷，降低电荷复合；氧掺杂提高CdS薄膜的费米能级位置，实现CZTSSe/CdS界面处良好的能带对准，提高电荷的输运能力；本发明操作简单有效，成本低，不仅有利于提高CZTSSe太阳能电池性能，而且满足大规模批量生产的要求，具有较强的推广意义。
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公开(公告)号：CN114843355A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210422926.4
申请日：2022-04-21
IPC: H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种大面积CZTSSe太阳电池及其制备方法，该太阳电池沿入射光方向，依次包括Ag电极、ITO/CdS窗口层、CZTSSe吸收层和衬底，所述ITO/CdS窗口层由CdS层和ITO层组成；其制备方法包括：（1）清洗衬底，然后用去离子水冲洗干净并用氮气吹干，得到洁净的衬底；（2）在洁净的衬底上制备CZTSSe前驱体薄膜；采用高温硒化技术，硒化前驱体薄膜，得到结晶性良好的CZTSSe吸收层；（3）利用化学水浴沉积法和磁控溅射法，在CZTSSe吸收层上依次沉积CdS层和ITO层；（4）利用真空蒸镀技术在ITO层上沉积Ag电极。该太阳电池提高了大面积CZTSSe太阳电池器件的填充因子，进而提高了器件性能。
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公开(公告)号：CN112531036B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202011469652.1
申请日：2020-12-15
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种柔性银铟双重梯度掺杂的CZTSSe薄膜的制备方法，采用溶液法溶解单质及后硒化处理的方式制备薄膜，由不同银或铟掺杂浓度的CZTSSe薄膜叠层构成，银含量从上往下梯度降低，铟含量从下往上梯度降低，可用于柔性太阳电池。本发明制得的银铟双重梯度掺杂的CZTSSe薄膜中，从下往上为P+型—P型—P‑/N+型的分布，薄膜内形成一个弱电场，这一电场促进空穴流向背接触界面、电子流向硫化镉和吸收层界面，增强对吸收层内部载流子的抽取能力，促进载流子的收集，提高了CZTSSe薄膜太阳电池的光电转换效率。
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