一种氧掺杂CZTSSe/CdS异质结缺陷态钝化方法

    公开(公告)号:CN119730448A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202411822330.9

    申请日:2024-12-11

    Abstract: 本发明提出一种氧掺杂CZTSSe/CdS异质结缺陷态钝化方法;通过在CZTSSe/CdS异质结区形成氧掺杂,抑制结内的载流子复合,实现膜层和界面缺陷态的钝化;掺杂的氧原子占据CdS膜中的硫空位点,钝化VS缺陷,降低电荷复合;氧掺杂提高CdS薄膜的费米能级位置,实现CZTSSe/CdS界面处良好的能带对准,提高电荷的输运能力;本发明操作简单有效,成本低,不仅有利于提高CZTSSe太阳能电池性能,而且满足大规模批量生产的要求,具有较强的推广意义。

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