公开(公告)号：CN102203913B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN200980143910.2

申请日：2009-09-30

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 迪帕克·瑞曼帕

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26593 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/32155 ,  H01L21/324

Abstract: 一种离子植入的方法，其包括在植入制程期间调整基底的温度。此调整影响基底的特性，且可以用来将范围末端缺陷最小化；选择性地分离和扩散出次掺质；将非结晶区域最大化或最小化；以及改变其他半导体参数。在一特定的实施例中，使用调整温度的离子植入的组合。在高温下的离子植入与一般的基本处理连续使用，以及与在低温下的离子植入连续使用。温度调整可以在制程的开始或末端，以减轻有害的次掺质影响。

公开(公告)号：CN102668038B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201080055181.8

申请日：2010-11-02

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 尼可拉斯·P·T·贝特曼 ,  海伦·L·梅纳德 ,  班杰明·B·里欧登 ,  克里斯多夫·R·汉特曼 ,  迪帕克·瑞曼帕

IPC: H01L21/266 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0682 ,  H01L21/266 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 使用各种方法来形成可用于后续植入的掩模，此等方法是利用非晶化硅与晶体硅之间物理特性及化学特性的差异。在某些实施例中，利用非晶硅与晶体硅之间在膜生长方面的差异来形成掩模。在其他实施例中，利用非晶硅与晶体硅之间在反射率或光吸收性的差异来形成掩模。在其他实施例中，则利用经掺杂的硅与未经掺杂的硅的特性差异来形成掩模。

公开(公告)号：CN102203944B

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN200980142556.1

申请日：2009-10-29

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 迪帕克·瑞曼帕 ,  丹尼斯·罗迪尔

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L21/76237 ,  H01L27/14683 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 在感光装置的制造期间，通过已改善的物种的植入来降低感光装置内的暗电流。暗电流可经由光二极管装置中的缺陷来引起，或于制造期间使用退火、植入或其他制程步骤来引起。经由非晶化光二极管范围中的工作部件，可消除大量的缺陷，从而消除此暗电流的原因。暗电流也可经由相邻STI所感应的应力来引起，其中衬与填充材料所产生的应力会加重工作部件中的缺陷。经由非晶化沟渠的侧壁与底部表面，可消除于蚀刻期间所产生的缺陷。此缺陷中的降低也可减少感光装置中的暗电流。

公开(公告)号：CN102971825A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201080051532.8

申请日：2010-11-17

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 安东尼·雷诺 ,  卢多维克·葛特 ,  提摩太·J·米勒 ,  约瑟·C·欧尔森 ,  维克拉姆·辛 ,  詹姆士·布诺德诺 ,  迪帕克·瑞曼帕 ,  拉塞尔·J·罗 ,  阿塔尔·古普塔 ,  凯文·M·丹尼尔斯

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/32 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  C23C14/48

CPC classification number: B01J19/081 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32623 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/1205 ,  H01L21/2236 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/08 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种等离子体处理装置包括等离子体源，所述等离子体源经组态以在等离子体腔室中产生等离子体，以使得所述等离子体含有用于植入至工件中的离子。所述装置亦包含具有孔隙配置的聚焦板配置，所述聚焦板配置经组态以修改接近所述聚焦板的所述等离子体的等离子体外鞘的形状，以使得离开所述孔隙配置的孔隙的离子界定聚焦离子。所述装置还包含与所述聚焦板隔开的含有工件的处理腔室，以使得在所述工件处的所述聚焦离子的固定植入区域实质上比所述孔隙窄。所述装置经组态以藉由在离子植入期间扫描所述工件而在所述工件中形成多个图案化区。

公开(公告)号：CN102203913A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200980143910.2

申请日：2009-09-30

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 迪帕克·瑞曼帕

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26593 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/32155 ,  H01L21/324

Abstract: 一种离子植入的方法，其包括在植入制程期间调整基底的温度。此调整影响基底的特性，且可以用来将范围末端缺陷最小化；选择性地分离和扩散出次掺质；将非结晶区域最大化或最小化；以及改变其他半导体参数。在一特定的实施例中，使用调整温度的离子植入的组合。在高温下的离子植入与一般的基本处理连续使用，以及与在低温下的离子植入连续使用。温度调整可以在制程的开始或末端，以减轻有害的次掺质影响。

公开(公告)号：CN102792453A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201080047452.5

申请日：2010-10-27

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 迪帕克·瑞曼帕

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明揭示用于提升太阳电池的一或多个介电层(302，303)的抗反射特性并降低所产生载子的表面再结合的方法。在某些实施例中，在介电层中引入掺杂剂，以提升其抗反射特性。在其他实施例中，在介电层(302，303)9中引入物质(800)以形成电场，由电场将少数载子以离开表面并朝触点的方式排斥。在另一实施例中，对抗反射涂层引入移动物质，藉此使载子被排斥离开太阳电池的表面。藉由在太阳电池的表面形成屏障，可降低表面处所不期望的再结合。

公开(公告)号：CN102150241A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200980135988.X

申请日：2009-08-12

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 迪帕克·瑞曼帕

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/265 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2658

Abstract: 一种增进基板分离的改良制程和一种执行分离的装置。在传统的分离制程中，通过气体类的离子(像氢气或氦气)布植在基板内，而在基板内部制造微泡状物层。而这些微泡状物的大小和空间分布可以通过超音波能量而改善。超音波能量可以使小的微泡状物结合在一起并且降低分散。一超音波转换器音性地连结至基板，以促进这些作用。在一些实施例中，超音波转换器可与平台相连接，藉此超音波能量可以在离子布植期间和/或之后立即施加。在其它的实施例中，离子布植可以在之后制程，像是退火期间施加。

公开(公告)号：CN102792453B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201080047452.5

申请日：2010-10-27

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 迪帕克·瑞曼帕

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明揭示用于提升太阳电池的一或多个介电层(302，303)的抗反射特性并降低所产生载子的表面再结合的方法。在某些实施例中，在介电层中引入掺杂剂，以提升其抗反射特性。在其他实施例中，在介电层(302，303)9中引入物质(800)以形成电场，由电场将少数载子以离开表面并朝触点的方式排斥。在另一实施例中，对抗反射涂层引入移动物质，藉此使载子被排斥离开太阳电池的表面。藉由在太阳电池的表面形成屏障，可降低表面处所不期望的再结合。

公开(公告)号：CN102742019A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201080062756.9

申请日：2010-12-17

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 迪帕克·瑞曼帕 ,  卢多维克·葛特

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32623 ,  H01L21/3065 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 工件纹理化或制造工件的方法。例如，此工件可以是太阳能电池。此纹理化可包括利用等离子体来进行蚀刻或局部溅镀，其中要利用绝缘调节器来修改等离子体与等离子体鞘层之间的边界的形状。在两次执行蚀刻或溅镀步骤之间可旋转工件以形成棱锥体。也可利用离子来对工件的多个区域进行蚀刻或溅镀，然后实施掺杂，其中离子是由经绝缘调节器调整后的等离子体来形成的。可在这些掺杂区上形成金属层。

公开(公告)号：CN102668038A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080055181.8

申请日：2010-11-02

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 尼可拉斯·P·T·贝特曼 ,  海伦·L·梅纳德 ,  班杰明·B·里欧登 ,  克里斯多夫·R·汉特曼 ,  迪帕克·瑞曼帕

IPC: H01L21/266 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0682 ,  H01L21/266 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 使用各种方法来形成可用于后续植入的掩模，此等方法是利用非晶化硅与晶体硅之间物理特性及化学特性的差异。在某些实施例中，利用非晶硅与晶体硅之间在膜生长方面的差异来形成掩模。在其他实施例中，利用非晶硅与晶体硅之间在反射率或光吸收性的差异来形成掩模。在其他实施例中，则利用经掺杂的硅与未经掺杂的硅的特性差异来形成掩模。