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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101484967A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200780023921.8
申请日：2007-06-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/304 , H01J37/244 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , G01J1/04 , G01J1/0437 , G01J1/0448 , G01J1/4257 , G01J2001/4261 , H01J37/244 , H01J2237/2446 , H01J2237/24507 , H01J2237/24542 , H01J2237/24578 , H01J2237/30472 , H01J2237/31703
Abstract: 一种束密度量测系统(140)，其包括遮罩(150)、束感测器(142，242)以及致动器(156)。束感测器在束(104，204)的行进方向上位于遮罩下游。束感测器经组态以感测该束的强度，且束感测器具有长维度以及短维度。致动器相对于束感测器而转译遮罩，其中随着相对于束感测器而转译遮罩，遮罩阻断来自束感测器的束的至少一部分，且其中与遮罩相对于束感测器的位置的改变相关联的强度的测得值表示该束在束感测器的长维度所界定的第一方向上的束密度分布。
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公开(公告)号：CN101076875B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200580033847.9
申请日：2005-10-07
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 张升吾 , 安东尼勒·可雀帝 , 约瑟·P·迪宰桔雷斯契 , 葛列格里·R·吉本雷洛 , 罗扎里欧·马雷卡 , 葛桔·A·洛里斯 , 约瑟·C·欧尔森 , 马黎耶·J·威尔旭
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/24542 , H01J2237/30461 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明揭露一种用来调校离子植入装置系统的离子束调校方法、系统以及程序产品。本发明通过例如横过植入室内的成形器扫描该离子束获得该离子束轮廓；并基于该离子束轮廓调校该离子植入装置系统使估计的植入电流最大化以同时使总离子束电流与离子束点宽最优化，从而使植入电流最大化。另外，调校也可基于该点束中心回馈将该离子束放置在其最佳路径上，这在每一离子束的很多设定过程中减少了离子束设定时间并提供可重复的束角性能，因而改善了离子植入装置系统的生产效率与性能。
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公开(公告)号：CN101467227A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200780021294.4
申请日：2007-06-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 本案揭示了一种离子束电流均匀度监控器、离子注入机及相关的方法。在一实施例中，所述离子束电流均匀度监控器(15)包括：离子束电流测量器，包括多数个测量装置(17)，以测量离子束(12)内多个位置的电流；以及控制器(18)，以根据所述离子束电流测量器的离子束电流测量值来维持离子束电流均匀度。
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公开(公告)号：CN101484967B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200780023921.8
申请日：2007-06-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/304 , H01J37/244 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , G01J1/04 , G01J1/0437 , G01J1/0448 , G01J1/4257 , G01J2001/4261 , H01J37/244 , H01J2237/2446 , H01J2237/24507 , H01J2237/24542 , H01J2237/24578 , H01J2237/30472 , H01J2237/31703
Abstract: 一种束密度量测系统(140)，其包括遮罩(150)、束感测器(142，242)以及致动器(156)。束感测器在束(104，204)的行进方向上位于遮罩下游。束感测器经组态以感测该束的强度，且束感测器具有长维度以及短维度。致动器相对于束感测器而转译遮罩，其中随着相对于束感测器而转译遮罩，遮罩阻断来自束感测器的束的至少一部分，且其中与遮罩相对于束感测器的位置的改变相关联的强度的测得值表示该束在束感测器的长维度所界定的第一方向上的束密度分布。
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公开(公告)号：CN101076875A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200580033847.9
申请日：2005-10-07
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 张升吾 , 安东尼勒·可雀帝 , 约瑟·P·迪宰桔雷斯契 , 葛列格里·R·吉本雷洛 , 罗扎里欧·马雷卡 , 葛桔·A·洛里斯 , 约瑟·C·欧尔森 , 马黎耶·J·威尔旭
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/24542 , H01J2237/30461 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明揭露一种用来调校离子植入装置系统的离子束调校方法、系统以及程序产品。本发明通过例如横过植入室内的成形器扫描该离子束获得该离子束轮廓；并基于该离子束轮廓调校该离子植入装置系统使估计的植入电流最大化以同时使总离子束电流与离子束点宽最优化，从而使植入电流最大化。另外，调校也可基于该点束中心回馈将该离子束放置在其最佳路径上，这在每一离子束的很多设定过程中减少了离子束设定时间并提供可重复的束角性能，因而改善了离子植入装置系统的生产效率与性能。
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