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公开(公告)号：CN101410930B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200780010722.3
申请日：2007-03-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 拉塞尔·罗 , 皮尔·R·卢比克 , D·杰弗里·里斯查尔 , 史蒂夫·E·克劳斯 , 艾立克·D·赫尔曼森 , 约瑟·C·欧尔森
IPC: H01J37/16 , H01J37/317 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/16 , H01J37/3171 , H01J2237/026 , H01J2237/038
Abstract: 离子注入机(100)包括经组态以提供离子束(152)的离子源(102)、界定空腔(110)的终端结构(104)，所述离子源至少部分地安置于空腔内，以及包括绝缘系统(162，171)。所述绝缘系统经组态以电绝缘终端结构且经组态以在接近终端结构的至少一个外表面的区域中提供大于约72千伏/英寸的有效介电强度(dielectric strength)。本发明亦提供用来电绝缘离子注入机的气体盒(106)的气体盒绝缘系统。
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公开(公告)号：CN101427350A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200780006744.2
申请日：2007-01-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01J27/02 , C23C14/48
CPC classification number: H01J37/08 , C23C14/48 , H01J27/02 , H01J37/3171
Abstract: 本发明提供离子布植方法以及该方法使用的离子源。该方法包含：自包含多种元素的源进料气体产生离子。举例而言，源进料气体可包含硼以及至少两种其它元素(例如，XaBbYc)。使用此等源进料气体较某些公知过程而言可产生若干优点，包含能够在形成具有超浅接合深度的布植区域时使用较高布植能量以及离子束电流。又，在某些实施例中，源进料气体的成分可经选择以在相对高温(例如，大于350℃)下为热稳定的，此允许在使用期间产生此等温度的许多公知离子源中(例如，间接加热阴极(IHC)，Bernas)使用此等气体。
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公开(公告)号：CN101410930A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780010722.3
申请日：2007-03-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 拉塞尔·罗 , 皮尔·R·卢比克 , D·杰弗里·里斯查尔 , 史蒂夫·E·克劳斯 , 艾立克·D·赫尔曼森 , 约瑟·C·欧尔森
IPC: H01J37/16 , H01J37/317 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/16 , H01J37/3171 , H01J2237/026 , H01J2237/038
Abstract: 离子注入机(100)包括经组态以提供离子束(152)的离子源(102)、界定空腔(110)的终端结构(104)，所述离子源至少部分地安置于空腔内，以及包括绝缘系统(162，171)。所述绝缘系统经组态以电绝缘终端结构且经组态以在接近终端结构的至少一个外表面的区域中提供大于约72千伏/时的有效介电强度(dielectric strength)。本发明亦提供用来电绝缘离子注入机的气体盒(106)的气体盒绝缘系统。
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公开(公告)号：CN101341570A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200680047763.5
申请日：2006-12-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼得·F·库鲁尼西 , 拉塞尔·罗 , 艾力克斯恩德·S·培尔 , 艾利克·R·科步 , 伊桑·亚当·莱特
IPC: H01J37/02 , H01J37/317
Abstract: 本发明是有关于一种用于提供感应耦合射频电浆浸没枪的技术。在一个特定例示性实施例中，可将所述技术实现为离子植入系统中的电浆浸没枪。所述电浆浸没枪可包含：具有一或多个孔径的电浆腔室；能够将至少一气态物质供应至所述电浆腔室的气体源；以及能够将射频电功率感应耦合至所述电浆腔室中以激发所述至少一气态物质从而产生电浆的电源。所述电浆腔室的整个内表面可不含金属材料，且所述电浆不可暴露至电浆腔室内的任何含金属组件。另外，所述一或多个孔径可足够宽以用于来自所述电浆的带电粒子的至少一部分流过。
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