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公开(公告)号：CN101978476A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980109802.3
申请日：2009-02-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 戴文·M·洛吉 , 卢多维克·葛特 , 伯纳德·G·琳赛 , 提摩太·J·米勒 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯
IPC: H01L21/265
CPC classification number: C23C14/48 , C23C14/54 , H01J37/32412 , H01J37/32935 , H01J37/3299
Abstract: 一种利用一飞行时间离子侦测器来控制一等离子体掺杂制程的方法包括于一等离子体腔中产生一包含多个掺杂离子的等离子体，等离子体接近一平台，平台承载一基板。利用一偏压波形偏压该平台，偏压波形具有一负电位，负电位将等离子体中的离子吸引至基板，以进行等离子体掺杂。利用一飞行时间离子侦测器来量测等离子体中出现的离子的谱，其中该谱为离子重量的函数。以法拉第量测系统来测定撞击该基板的离子总数。由所量测的离子的谱来判定一布植曲线。由所测定的离子总数和所算出的布植曲线来判定一积分剂量。依据所算出的该积分剂量来修改至少一等离子体掺杂参数。
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公开(公告)号：CN101978476B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200980109802.3
申请日：2009-02-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 戴文·M·洛吉 , 卢多维克·葛特 , 伯纳德·G·琳赛 , 提摩太·J·米勒 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯
IPC: H01L21/265
CPC classification number: C23C14/48 , C23C14/54 , H01J37/32412 , H01J37/32935 , H01J37/3299
Abstract: 一种利用一飞行时间离子侦测器来控制一等离子体掺杂制程的方法包括于一等离子体腔中产生一包含多个掺杂离子的等离子体，等离子体接近一平台，平台承载一基板。利用一偏压波形偏压该平台，偏压波形具有一负电位，负电位将等离子体中的离子吸引至基板，以进行等离子体掺杂。利用一飞行时间离子侦测器来量测等离子体中出现的离子的谱，其中该谱为离子重量的函数。以法拉第量测系统来测定撞击该基板的离子总数。由所量测的离子的谱来判定一布植曲线。由所测定的离子总数和所算出的布植曲线来判定一积分剂量。依据所算出的该积分剂量来修改至少一等离子体掺杂参数。
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公开(公告)号：CN101689498B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200880022236.8
申请日：2008-06-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C23C14/345 , H01J37/321 , H01J37/32165 , H01J37/32412 , H01L21/32136
Abstract: 一种等离子处理装置，包括支撑等离子处理的基底的平台。一种在输出端产生多重位准射频功率波形的射频电源，此射频功率波形至少包含具有第一功率位准的第一周期以及具有第二功率位准的第二周期。一种具有电性连接至射频电源的输出端的电性输入端的射频等离子源，至少在第一周期期间产生具有第一射频功率位准的第一射频等离子且在第二周期期间产生具有第二射频功率位准的第二射频等离子。一种具有电性连接至平台的输出端的偏压电源，产生足以吸引等离子的离子至等离子处理的基底的偏压波形。
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公开(公告)号：CN101689498A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880022236.8
申请日：2008-06-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C23C14/345 , H01J37/321 , H01J37/32165 , H01J37/32412 , H01L21/32136
Abstract: 一种等离子处理装置，包括支撑等离子处理的基底的平台。一种在输出端产生多重位准射频功率波形的射频电源，此射频功率波形至少包含具有第一功率位准的第一周期以及具有第二功率位准的第二周期。一种具有电性连接至射频电源的输出端的电性输入端的射频等离子源，至少在第一周期期间产生具有第一射频功率位准的第一射频等离子且在第二周期期间产生具有第二射频功率位准的第二射频等离子。一种具有电性连接至平台的输出端的偏压电源，产生足以吸引等离子的离子至等离子处理的基底的偏压波形。
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公开(公告)号：CN103109342B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201180028561.7
申请日：2011-06-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32146 , H01J37/32412 , H01J37/3244
Abstract: 揭示等离子体处理衬底的方法、处理衬底的方法及在设备中等离子体处理衬底的方法。在一个特定示范性实施例中，等离子体处理衬底的方法可用包括以下操作的方法来实现：在接近等离子体源处引入馈送气体，其中所述馈送气体可包括第一和第二物质，所述第一和第二物质具有不同的电离能量；向所述等离子体源提供多电平RF功率波形，所述多电平RF功率波形至少具有在第一脉冲持续时间期间的第一功率电平和在第二脉冲持续时间期间的第二功率电平，所述第二功率电平可不同于所述第一功率电平；在所述第一脉冲持续时间期间电离所述馈送气体的所述第一物质；在所述第二脉冲持续时间期间电离所述第二物质；以及在所述第一脉冲持续时间期间向所述衬底提供偏压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102471880B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201080029436.3
申请日：2010-06-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卡莫尔·哈迪德 , 拉杰许·都蕾 , 伯纳德·G·琳赛 , 维克拉姆·辛 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯
IPC: C23C14/48 , H01J37/317 , H01J37/32
CPC classification number: C23C14/48 , H01J37/32412 , H01J37/32935
Abstract: 一种调整等离子体的组成物的方法，用于等离子体掺杂、等离子体沉积和等离子体蚀刻技术中。所揭示的方法可藉由修饰等离子体中所存在的电子的能量分布来控制等离子体的组成物。使用很快的电压脉冲使等离子体中的电子加速，以便在等离子体中产生有能量的电子。该脉冲需足够长以影响电子，但太短将不能对离子造成显著影响。有能量的电子和等离子体组成物之间的碰撞，造成等离子体组成物中的变化。等离子体组成物然后可最佳化，以符合所使用的特定工艺的需求。这意味着能使等离子体中离子物种的比例改变、使离子化相对于分解的比例改变、或使等离子体的激发状态群改变。
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公开(公告)号：CN103109342A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201180028561.7
申请日：2011-06-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32146 , H01J37/32412 , H01J37/3244
Abstract: 揭示用于等离子体处理衬底的技术。在一个特定示范性实施例中，所述技术可用包括以下操作的方法来实现：在接近等离子体源处引入馈送气体，其中所述馈送气体可包括第一和第二物质，其中所述第一和第二物质具有不同的电离能量；向所述等离子体源提供多电平RF功率波形，其中所述多电平RF功率波形至少具有第一功率电平和在第二脉冲持续时间期间的第二功率电平，其中所述第二功率电平可不同于所述第一功率电平；在所述第一脉冲持续时间期间电离所述馈送气体的所述第一物质；在所述第二脉冲持续时间期间电离所述第二物质；以及在所述第一脉冲持续时间期间向所述衬底提供偏压。
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公开(公告)号：CN102422722B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201080019703.9
申请日：2010-04-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卢多维克·葛特 , 提摩太·J·米勒 , 克里斯多夫·J·里维特 , 伯纳德·G·琳赛
IPC: H05H1/24 , H05H1/34 , H01L21/265 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32623
Abstract: 一种等离子体处理装置包含：处理腔室；压板，其定位于所述处理腔室中，用于支撑工件；源，其经组态以在所述处理腔室中产生等离子体，所述等离子体具有邻近所述工件的前表面的等离子体鞘；以及绝缘修改器。所述绝缘修改器经组态以控制等离子体与等离子体鞘之间的边界的形状，使得所述边界的形状的一部分不平行于由工件的面向等离子体的前表面界定的平面。控制所述等离子体与所述等离子体鞘之间的所述边界的所述形状使得能够达成撞击所述工件的微粒的较大的入射角范围。
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公开(公告)号：CN102471880A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080029436.3
申请日：2010-06-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卡莫尔·哈迪德 , 拉杰许·都蕾 , 伯纳德·G·琳赛 , 维克拉姆·辛 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯
IPC: C23C14/48 , H01J37/317 , H01J37/32
CPC classification number: C23C14/48 , H01J37/32412 , H01J37/32935
Abstract: 一种调整等离子体的组成物的方法，用于等离子体掺杂、等离子体沉积和等离子体蚀刻技术中。所揭示的方法可藉由修饰等离子体中所存在的电子的能量分布来控制等离子体的组成物。使用很快的电压脉冲使等离子体中的电子加速，以便在等离子体中产生有能量的电子。该脉冲需足够长以影响电子，但太短将不能对离子造成显著影响。有能量的电子和等离子体组成物之间的碰撞，造成等离子体组成物中的变化。等离子体组成物然后可最佳化，以符合所使用的特定工艺的需求。这意味着能使等离子体中离子物种的比例改变、使离子化相对于分解的比例改变、或使等离子体的激发状态群改变。
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公开(公告)号：CN102422722A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080019703.9
申请日：2010-04-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卢多维克·葛特 , 提摩太·J·米勒 , 克里斯多夫·J·里维特 , 伯纳德·G·琳赛
IPC: H05H1/24 , H05H1/34 , H01L21/265 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32623
Abstract: 一种等离子体处理装置包含：处理腔室；压板，其定位于所述处理腔室中，用于支撑工件；源，其经组态以在所述处理腔室中产生等离子体，所述等离子体具有邻近所述工件的前表面的等离子体鞘；以及绝缘修改器。所述绝缘修改器经组态以控制等离子体与等离子体鞘之间的边界的形状，使得所述边界的形状的一部分不平行于由工件的面向等离子体的前表面界定的平面。控制所述等离子体与所述等离子体鞘之间的所述边界的所述形状使得能够达成撞击所述工件的微粒的较大的入射角范围。
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